EP3C5U256I7
Altera · 封装：BGA-256
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 414 kbit、总存储容量 423936 位、输入／输出数 182 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.15～1.25 V，采用 BGA-256 封装。FPGA 与可编程逻辑
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型号列表
27,592 条型号记录EP3C55F484C6
Altera · 封装：FBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.11 Mbit、总存储容量 2396160 位、输入／输出数 327 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.15～1.25 V，采用 FBGA-484 封装。EP3C55F484C7
Altera · 封装：FBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.11 Mbit、总存储容量 2396160 位、输入／输出数 327 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.15～1.25 V，采用 FBGA-484 封装。EP3C55F484I7
Altera · 封装：FBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.29 Mbit、总存储容量 2396160 位、输入／输出数 327 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.15～1.25 V，采用 FBGA-484 封装。EP3C55F484I7N
Altera · 封装：FBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.29 Mbit、总存储容量 2396160 位、输入／输出数 327 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.15～1.25 V，采用 FBGA-484 封装。EP3C55F780C6
Altera · 封装：FBGA-780
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.11 Mbit、总存储容量 2396160 位、输入／输出数 377 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.15～1.25 V，采用 FBGA-780 封装。EP3C55F780C6N
Altera · 封装：FBGA-780
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.16 Mbit、总存储容量 2396160 位、输入／输出数 377 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.15～1.25 V，采用 FBGA-780 封装。EP3C55F780C7
Altera · 封装：FBGA-780
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.11 Mbit、总存储容量 2396160 位、输入／输出数 377 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.15～1.25 V，采用 FBGA-780 封装。EP3C55F780C7N
Altera · 封装：FBGA-780
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.11 Mbit、总存储容量 2396160 位、输入／输出数 377 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.15～1.25 V，采用 FBGA-780 封装。EP3C55F780C8
Altera · 封装：FBGA-780
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.11 Mbit、总存储容量 2396160 位、输入／输出数 377 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.15～1.25 V，采用 FBGA-780 封装。EP3C55F780C8N
Altera · 封装：FBGA-780
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.11 Mbit、总存储容量 2396160 位、输入／输出数 377 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.15～1.25 V，采用 FBGA-780 封装。EP3C55F780I7
Altera · 封装：FBGA-780
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.11 Mbit、总存储容量 2396160 位、输入／输出数 377 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.15～1.25 V，采用 FBGA-780 封装。EP3C55F780I7N
Altera · 封装：FBGA-780
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.29 Mbit、总存储容量 2396160 位、输入／输出数 377 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.15～1.25 V，采用 FBGA-780 封装。EP3C55U484C6
Altera · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.11 Mbit、总存储容量 2396160 位、输入／输出数 327 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.15～1.25 V，采用 BGA-484 封装。EP3C55U484C6N
Altera · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.11 Mbit、总存储容量 2396160 位、输入／输出数 327 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.15～1.25 V，采用 BGA-484 封装。EP3C55U484C7
Altera · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.11 Mbit、总存储容量 2396160 位、输入／输出数 327 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.15～1.25 V，采用 BGA-484 封装。EP3C55U484C7N
Altera · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.11 Mbit、总存储容量 2396160 位、输入／输出数 327 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.15～1.25 V，采用 BGA-484 封装。EP3C55U484C8
Altera · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.11 Mbit、总存储容量 2396160 位、输入／输出数 327 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.15～1.25 V，采用 BGA-484 封装。EP3C55U484I7
Altera · 封装：UBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.29 Mbit、总存储容量 2396160 位、输入／输出数 327 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.15～1.25 V，采用 UBGA-484 封装。EP3C55U484I7N
Altera · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.29 Mbit、总存储容量 2396160 位、输入／输出数 327 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.15～1.25 V，采用 BGA-484 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。