EP2C50F672C6
Altera · 封装：FBGA-672
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 580.5 kbit、总存储容量 594432 位、输入／输出数 450 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.15～1.25 V，采用 FBGA-672 封装。FPGA 与可编程逻辑
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27,592 条型号记录EP2C50F672C6N
Altera · 封装：FBGA-672
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 580.5 kbit、总存储容量 594432 位、输入／输出数 450 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.15～1.25 V，采用 FBGA-672 封装。EP2C50F672C7
Altera · 封装：FBGA-672
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 580.5 kbit、总存储容量 594432 位、输入／输出数 450 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.15～1.25 V，采用 FBGA-672 封装。EP2C50F672C7N
Altera · 封装：FBGA-672
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 580.5 kbit、总存储容量 594432 位、输入／输出数 450 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.15～1.25 V，采用 FBGA-672 封装。EP2C50F672C8
Altera · 封装：FBGA-672
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 580.5 kbit、总存储容量 594432 位、输入／输出数 450 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.15～1.25 V，采用 FBGA-672 封装。EP2C50F672C8N
Altera · 封装：FBGA-672
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 580.5 kbit、总存储容量 594432 位、输入／输出数 450 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.15～1.25 V，采用 FBGA-672 封装。EP2C50U484C7
Altera · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 580.5 kbit、总存储容量 594432 位、输入／输出数 294 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.15～1.25 V，采用 BGA-484 封装。EP2C70F672C6
Altera · 封装：FBGA-672
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.1 Mbit、总存储容量 1152000 位、输入／输出数 422 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.15～1.25 V，采用 FBGA-672 封装。EP2C70F672C6N
Altera · 封装：FBGA-672
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.1 Mbit、总存储容量 1152000 位、输入／输出数 422 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.15～1.25 V，采用 FBGA-672 封装。EP2C70F672C7
Altera · 封装：FBGA-672
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.1 Mbit、总存储容量 1152000 位、输入／输出数 422 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.15～1.25 V，采用 FBGA-672 封装。EP2C70F672C7N
Altera · 封装：FBGA-672
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.1 Mbit、总存储容量 1152000 位、输入／输出数 422 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.15～1.25 V，采用 FBGA-672 封装。EP2C70F672C8
Altera · 封装：FBGA-672
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.1 Mbit、总存储容量 1152000 位、输入／输出数 422 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.15～1.25 V，采用 FBGA-672 封装。EP2C70F672C8N
Altera · 封装：FBGA-672
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.1 Mbit、总存储容量 1152000 位、输入／输出数 422 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.15～1.25 V，采用 FBGA-672 封装。EP2C70F672I8N
Altera · 封装：FBGA-672
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.1 Mbit、总存储容量 1152000 位、输入／输出数 422 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.15～1.25 V，采用 FBGA-672 封装。EP2C70F896C6
Altera · 封装：FBGA-896
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.1 Mbit、总存储容量 1152000 位、输入／输出数 622 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.15～1.25 V，采用 FBGA-896 封装。EP2C70F896C6N
Altera · 封装：FBGA-896
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.1 Mbit、总存储容量 1152000 位、输入／输出数 622 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.15～1.25 V，采用 FBGA-896 封装。EP2C70F896C7
Altera · 封装：FBGA-896
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.1 Mbit、总存储容量 1152000 位、输入／输出数 622 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.15～1.25 V，采用 FBGA-896 封装。EP2C70F896C7N
Altera · 封装：FBGA-896
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.1 Mbit、总存储容量 1152000 位、输入／输出数 622 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.15～1.25 V，采用 FBGA-896 封装。EP2C70F896C8
Altera · 封装：FBGA-896
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.1 Mbit、总存储容量 1152000 位、输入／输出数 622 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.15～1.25 V，采用 FBGA-896 封装。EP2C70F896C8N
Altera · 封装：FBGA-896
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.1 Mbit、总存储容量 1152000 位、输入／输出数 622 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.15～1.25 V，采用 FBGA-896 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。