EPCQ32ASI8N
Altera · 封装：SOIC-8
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 32 Mbit、工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、最大工作频率 100 MHz、存储器类型 Flash，采用 SOIC-8 封装。FPGA 与可编程逻辑
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型号列表
27,592 条型号记录EPCQ4ASI8N
Altera · 封装：SOIC-8
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 4 Mbit、工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、最大工作频率 100 MHz、存储器类型 Flash，采用 SOIC-8 封装。EPCQ64ASI16N
Altera · 封装：SOIC-16
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 64 Mbit、工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、最大工作频率 100 MHz、存储器类型 Flash，采用 SOIC-16 封装。AT17LV002-10CU
Microchip Technology · 封装：LAP-8
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 2 Mbit、工作电源电压 3.3 V, 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、最大工作频率 15 MHz、存储器类型 EEPROM，采用 LAP-8 封装。AT17LV002-10JU
Microchip Technology · 封装：PLCC-20
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 2 Mbit、工作电源电压 3.3 V, 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、最大工作频率 15 MHz、存储器类型 EEPROM，采用 PLCC-20 封装。AT17LV002-10SU
Microchip Technology · 封装：SOIC-20
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 2 Mbit、工作电源电压 3.3 V, 5 V、电源电压（最大值） 3.6 V, 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V, 4.5 V、最大工作频率 10 MHz, 15 MHz、存储器类型 EEPROM，采用 SOIC-20 封装。AT17LV002A-10JU
Microchip Technology · 封装：PLCC-20
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 2 Mbit、工作电源电压 3.3 V, 5 V、电源电压（最大值） 3.6 V, 5.25 V、电源电压（最小值） 3 V, 4.75 V、最大工作频率 10 MHz, 15 MHz、存储器类型 EEPROM，采用 PLCC-20 封装。AT17LV010-10CU
Microchip Technology · 封装：LAP-8
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 1 Mbit、工作电源电压 3.3 V, 5 V、电源电压（最大值） 3.6 V, 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V, 4.5 V、最大工作频率 10 MHz, 15 MHz、存储器类型 EEPROM，采用 LAP-8 封装。AT17LV010-10JU
Microchip Technology · 封装：PLCC-20
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 1 Mbit、工作电源电压 3.3 V, 5 V、电源电压（最大值） 5 V、电源电压（最小值） 3.3 V、最大工作频率 10 MHz, 15 MHz、存储器类型 EEPROM，采用 PLCC-20 封装。AT17LV010-10PU
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 1 Mbit、工作电源电压 3.3 V, 5 V、电源电压（最大值） 3.6 V, 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V, 4.5 V、最大工作频率 10 MHz, 15 MHz、存储器类型 EEPROM，采用 PDIP-8 封装。AT17LV010A-10JU
Microchip Technology · 封装：PLCC-20
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 1 Mbit、工作电源电压 3.3 V, 5 V、电源电压（最大值） 5 V、电源电压（最小值） 3.3 V、最大工作频率 10 MHz, 15 MHz、存储器类型 EEPROM，采用 PLCC-20 封装。AT17LV010A-10PU
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 1 Mbit、工作电源电压 3.3 V, 5 V、电源电压（最大值） 3.6 V, 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V, 4.5 V、最大工作频率 10 MHz, 15 MHz、存储器类型 EEPROM，采用 PDIP-8 封装。AT17LV040-10TQU
Microchip Technology · 封装：TQFP-44
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 4 Mbit、工作电源电压 3.3 V, 5 V、电源电压（最大值） 3.6 V, 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V, 4.5 V、最大工作频率 10 MHz, 15 MHz、存储器类型 EEPROM，采用 TQFP-44 封装。AT17LV256-10CU
Microchip Technology · 封装：LAP-8
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 256 kbit、工作电源电压 3.3 V, 5 V、电源电压（最大值） 3.6 V, 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V, 4.5 V、最大工作频率 10 MHz, 12.5 MHz、存储器类型 EEPROM，采用 LAP-8 封装。AT17LV256-10JU
Microchip Technology · 封装：PLCC-20
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 256 kbit、工作电源电压 3.3 V, 5 V、电源电压（最大值） 3.6 V, 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V, 4.5 V、最大工作频率 10 MHz, 12.5 MHz、存储器类型 EEPROM，采用 PLCC-20 封装。AT17LV256-10NU
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 256 kbit、工作电源电压 3.3 V, 5 V、电源电压（最大值） 3.6 V, 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V, 4.5 V、最大工作频率 10 MHz, 12.5 MHz、存储器类型 EEPROM，采用 SOIC-8 封装。AT17LV256-10NU-T
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 256 kbit、工作电源电压 3.3 V, 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、最大工作频率 12.5 MHz、存储器类型 EEPROM，采用 SOIC-8 封装。AT17LV256-10PU
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 256 kbit、工作电源电压 3.3 V, 5 V、电源电压（最大值） 3.6 V, 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V, 4.5 V、最大工作频率 10 MHz, 12.5 MHz、存储器类型 EEPROM，采用 PDIP-8 封装。AT17LV256-10SU
Microchip Technology · 封装：SOIC-20
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 256 kbit、工作电源电压 3.3 V, 5 V、电源电压（最大值） 3.6 V, 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V, 4.5 V、最大工作频率 10 MHz, 12.5 MHz、存储器类型 EEPROM，采用 SOIC-20 封装。AT17LV512-10CU
Microchip Technology · 封装：LAP-8
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 512 kbit、工作电源电压 3.3 V, 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、最大工作频率 15 MHz、存储器类型 EEPROM，采用 LAP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。