AT17F080-30CU
Microchip Technology / Atmel · 封装:LAP-8
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括存储容量 8 Mbit、工作电源电压 3.3 V、电源电压(最大值) 3.63 V、电源电压(最小值) 2.97 V、最大工作频率 33 MHz、最小工作温度 - 40 C,采用 LAP-8 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Microchip Technology / Atmel · 封装:LAP-8
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括存储容量 8 Mbit、工作电源电压 3.3 V、电源电压(最大值) 3.63 V、电源电压(最小值) 2.97 V、最大工作频率 33 MHz、最小工作温度 - 40 C,采用 LAP-8 封装。Microchip Technology / Atmel · 封装:PLCC-20
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括存储容量 8 Mbit、工作电源电压 3.3 V、电源电压(最大值) 3.63 V、电源电压(最小值) 2.97 V、最大工作频率 10 MHz、最小工作温度 - 40 C,采用 PLCC-20 封装。Microchip Technology / Atmel · 封装:SOIC-8
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括存储容量 256 kbit、工作电源电压 3.3 V, 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、最大工作频率 12.5 MHz、存储器类型 EEPROM,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology / Atmel · 封装:LAP-8
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括存储容量 4 Mbit、工作电源电压 3.3 V、电源电压(最大值) 3.63 V、电源电压(最小值) 2.97 V、最大工作频率 10 MHz、最小工作温度 - 40 C,采用 LAP-8 封装。Microchip Technology / Atmel · 封装:PLCC-20
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括存储容量 16 Mbit、工作电源电压 3.3 V、电源电压(最大值) 3.63 V、电源电压(最小值) 2.97 V、最大工作频率 33 MHz、最小工作温度 - 40 C,采用 PLCC-20 封装。Microchip Technology / Atmel · 封装:PLCC-20
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括存储容量 512 kbit、工作电源电压 3.3 V, 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、最大工作频率 15 MHz、存储器类型 EEPROM,采用 PLCC-20 封装。Microchip Technology / Atmel · 封装:PLCC-20
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括存储容量 512 kbit、工作电源电压 3.3 V, 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、最大工作频率 15 MHz、存储器类型 EEPROM,采用 PLCC-20 封装。Microchip Technology / Atmel · 封装:PLCC-20
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括存储容量 2 Mbit、工作电源电压 3.3 V, 5 V、电源电压(最大值) 3.6 V, 5.25 V、电源电压(最小值) 3 V, 4.75 V、最大工作频率 10 MHz, 15 MHz、存储器类型 EEPROM,采用 PLCC-20 封装。Microchip Technology / Atmel · 封装:PLCC-20
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括存储容量 2 Mbit、工作电源电压 3.3 V, 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、最大工作频率 15 MHz、存储器类型 EEPROM,采用 PLCC-20 封装。Microchip Technology / Atmel · 封装:LAP-8
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括存储容量 2 Mbit、工作电源电压 3.3 V, 5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V、最大工作频率 15 MHz、存储器类型 EEPROM,采用 LAP-8 封装。Microchip Technology / Atmel · 封装:PLCC-20
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括存储容量 8 Mbit、工作电源电压 3.3 V、电源电压(最大值) 3.63 V、电源电压(最小值) 2.97 V、最大工作频率 33 MHz、最小工作温度 - 40 C,采用 PLCC-20 封装。Microchip Technology / Atmel · 封装:PLCC-20
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括存储容量 4 Mbit、工作电源电压 3.3 V、电源电压(最大值) 3.63 V、电源电压(最小值) 2.97 V、最大工作频率 33 MHz、最小工作温度 - 40 C,采用 PLCC-20 封装。Microchip Technology / Atmel · 封装:PDIP-8
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括存储容量 512 kbit、工作电源电压 3.3 V, 5 V、电源电压(最大值) 3.6 V, 5.25 V、电源电压(最小值) 3 V, 4.75 V、最大工作频率 10 MHz, 15 MHz、存储器类型 EEPROM,采用 PDIP-8 封装。Microchip Technology / Atmel · 封装:SOIC-8
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括存储容量 256 kbit、工作电源电压 3.3 V, 5 V、电源电压(最大值) 3.6 V, 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V, 4.5 V、最大工作频率 10 MHz, 12.5 MHz、存储器类型 EEPROM,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology / Atmel · 封装:PDIP-8
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括存储容量 1 Mbit、工作电源电压 3.3 V, 5 V、电源电压(最大值) 3.6 V, 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V, 4.5 V、最大工作频率 10 MHz, 15 MHz、存储器类型 EEPROM,采用 PDIP-8 封装。Microchip Technology / Atmel · 封装:LAP-8
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括存储容量 16 Mbit、工作电源电压 3.3 V、电源电压(最大值) 3.63 V、电源电压(最小值) 2.97 V、最大工作频率 33 MHz、最小工作温度 - 40 C,采用 LAP-8 封装。Microchip Technology / Atmel · 封装:LAP-8
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括存储容量 8 Mbit、工作电源电压 3.3 V、电源电压(最大值) 3.63 V、电源电压(最小值) 2.97 V、最大工作频率 10 MHz、最小工作温度 - 40 C,采用 LAP-8 封装。Microchip Technology / Atmel · 封装:PLCC-20
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括存储容量 256 kbit、工作电源电压 3.3 V, 5 V、电源电压(最大值) 3.6 V, 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V, 4.5 V、最大工作频率 10 MHz, 12.5 MHz、存储器类型 EEPROM,采用 PLCC-20 封装。Microchip Technology / Atmel · 封装:PLCC-20
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括存储容量 1 Mbit、工作电源电压 3.3 V, 5 V、电源电压(最大值) 5 V、电源电压(最小值) 3.3 V、最大工作频率 10 MHz, 15 MHz、存储器类型 EEPROM,采用 PLCC-20 封装。Microchip Technology / Atmel · 封装:SOIC-20
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括存储容量 256 kbit、工作电源电压 3.3 V, 5 V、电源电压(最大值) 3.6 V, 5.5 V、电源电压(最小值) 3 V, 4.5 V、最大工作频率 10 MHz, 12.5 MHz、存储器类型 EEPROM,采用 SOIC-20 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。