XCF04SVO20C
Xilinx · 封装：TSSOP-20
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 4 Mbit、工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大工作频率 50 MHz、存储器类型 EEPROM，采用 TSSOP-20 封装。FPGA 与可编程逻辑
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型号列表
27,592 条型号记录XCF02SVO20C
Xilinx · 封装：TSSOP-20
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 2 Mbit、工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大工作频率 50 MHz、存储器类型 EEPROM，采用 TSSOP-20 封装。XCF01SVOG20C
Xilinx · 封装：TSSOP-20
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 1 Mbit、工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大工作频率 50 MHz、存储器类型 EEPROM，采用 TSSOP-20 封装。XCF32PVOG48C
Xilinx · 封装：TSOP-48
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 32 Mbit、工作电源电压 1.8 V、电源电压（最大值） 2 V、电源电压（最小值） 1.65 V、最大工作频率 50 MHz、存储器类型 EEPROM，采用 TSOP-48 封装。XCF128XFT64C
Xilinx · 封装：FTBGA-64
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 128 Mbit、工作电源电压 1.8 V、电源电压（最大值） 2 V、电源电压（最小值） 1.7 V、最大工作频率 54 MHz、存储器类型 EEPROM，采用 FTBGA-64 封装。XC18V512SOG20C
Xilinx · 封装：SOIC-20
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 512 kbit、工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大工作频率 33 MHz、存储器类型 EEPROM，采用 SOIC-20 封装。XCF04SVOG20C
Xilinx · 封装：TSSOP-20
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 4 Mbit、工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大工作频率 50 MHz、存储器类型 EEPROM，采用 TSSOP-20 封装。XCF08PVOG48C
Xilinx · 封装：TSOP-48
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 8 Mbit、工作电源电压 1.8 V、电源电压（最大值） 2 V、电源电压（最小值） 1.65 V、最大工作频率 50 MHz、存储器类型 EEPROM，采用 TSOP-48 封装。XCF02SVOG20C
Xilinx · 封装：TSSOP-20
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 2 Mbit、工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大工作频率 50 MHz、存储器类型 EEPROM，采用 TSSOP-20 封装。AT17LV256-10CU
Microchip Technology / Atmel · 封装：LAP-8
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 256 kbit、工作电源电压 3.3 V, 5 V、电源电压（最大值） 3.6 V, 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V, 4.5 V、最大工作频率 10 MHz, 12.5 MHz、存储器类型 EEPROM，采用 LAP-8 封装。AT17F16A-30CU
Microchip Technology / Atmel · 封装：LAP-8
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 16 Mbit、工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.97 V、最大工作频率 10 MHz、最小工作温度 - 40 C，采用 LAP-8 封装。AT17F040A-30JU
Microchip Technology / Atmel · 封装：PLCC-20
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 4 Mbit、工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.97 V、最大工作频率 10 MHz、最小工作温度 - 40 C，采用 PLCC-20 封装。XC18V512PCG20C
Xilinx · 封装：PLCC-20
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 512 kbit、工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大工作频率 33 MHz、存储器类型 EEPROM，采用 PLCC-20 封装。AT17F040-30CU
Microchip Technology / Atmel · 封装：LAP-8
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 4 Mbit、工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.63 V、电源电压（最小值） 2.97 V、最大工作频率 33 MHz、最小工作温度 - 40 C，采用 LAP-8 封装。XC18V512PC20C
Xilinx · 封装：PLCC-20
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 512 kbit、工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大工作频率 33 MHz、存储器类型 EEPROM，采用 PLCC-20 封装。XC17S200APD8I
Xilinx · 封装：PDIP-8
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 2 Mbit、工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、存储器类型 EEPROM、最小工作温度 - 40 C，采用 PDIP-8 封装。XC18V02PCG44C
Xilinx · 封装：PLCC-44
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 2 Mbit、工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大工作频率 33 MHz、存储器类型 EEPROM，采用 PLCC-44 封装。XC18V512VQ44C
Xilinx · 封装：VQFP-44
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 512 kbit、工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大工作频率 33 MHz、存储器类型 EEPROM，采用 VQFP-44 封装。XC17S200APDG8C
Xilinx · 封装：PDIP-8
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 2 Mbit、工作电源电压 3.3V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、存储器类型 EEPROM、最小工作温度 0 C，采用 PDIP-8 封装。XC18V04VQ44C
Xilinx · 封装：VQFP-44
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 4 Mbit、工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大工作频率 33 MHz、存储器类型 EEPROM，采用 VQFP-44 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。