ATF16V8C-7PU
Microchip Technology · 封装：PDIP-20
主要参数包括输入／输出数 8 个输入／输出、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、最大工作频率 125 MHz、产品 High Performance EECMOS PLDs，采用 PDIP-20 封装。FPGA 与可编程逻辑
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型号列表
27,592 条型号记录ATF22V10C-10PU
Microchip Technology · 封装：PDIP-24
主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、最大工作频率 125 MHz、宏单元数 10 Macrocell、传播延迟（最大值） 10 ns，采用 PDIP-24 封装。ATF22V10C-5JX
Microchip Technology · 封装：PLCC-28
主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、最大工作频率 166 MHz、宏单元数 10 Macrocell、传播延迟（最大值） 5 ns，采用 PLCC-28 封装。ATF22V10C-7JU
Microchip Technology · 封装：PLCC-28
主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、最大工作频率 166 MHz、宏单元数 10 Macrocell、传播延迟（最大值） 7.5 ns，采用 PLCC-28 封装。XC18V01PC20C
Xilinx · 封装：PLCC-20
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 1 Mbit、工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大工作频率 33 MHz、存储器类型 EEPROM，采用 PLCC-20 封装。XC18V01VQG44C
Xilinx · 封装：VQFP-44
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 1 Mbit、工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大工作频率 33 MHz、存储器类型 EEPROM，采用 VQFP-44 封装。XC18V04PC44C
Xilinx · 封装：PLCC-44
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 4 Mbit、工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大工作频率 33 MHz、存储器类型 EEPROM，采用 PLCC-44 封装。XC18V04VQG44C
Xilinx · 封装：VQFP-44
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 4 Mbit、工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大工作频率 33 MHz、存储器类型 EEPROM，采用 VQFP-44 封装。XC18V01SO20C
Xilinx · 封装：SOIC-20
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 1 Mbit、工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大工作频率 33 MHz、存储器类型 EEPROM，采用 SOIC-20 封装。XC18V01SOG20C
Xilinx · 封装：SOIC-20
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 1 Mbit、工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大工作频率 33 MHz、存储器类型 EEPROM，采用 SOIC-20 封装。XC18V02VQG44C
Xilinx · 封装：VQFP-44
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 2 Mbit、工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大工作频率 33 MHz、存储器类型 EEPROM，采用 VQFP-44 封装。XCF128XFTG64C
Xilinx · 封装：FTBGA-64
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 128 Mbit、工作电源电压 1.8 V、电源电压（最大值） 2 V、电源电压（最小值） 1.7 V、最大工作频率 54 MHz、存储器类型 EEPROM，采用 FTBGA-64 封装。XCF01SVO20C
Xilinx · 封装：TSSOP-20
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 1 Mbit、工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、最大工作频率 50 MHz、存储器类型 EEPROM，采用 TSSOP-20 封装。XCF32PFSG48C
Xilinx · 封装：TFBGA-48
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 32 Mbit、工作电源电压 1.8 V、电源电压（最大值） 2 V、电源电压（最小值） 1.65 V、最大工作频率 50 MHz、存储器类型 EEPROM，采用 TFBGA-48 封装。XCF32PFS48C
Xilinx · 封装：TFBGA-48
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 32 Mbit、工作电源电压 1.8 V、电源电压（最大值） 2 V、电源电压（最小值） 1.65 V、最大工作频率 50 MHz、存储器类型 EEPROM，采用 TFBGA-48 封装。XCF16PFS48C
Xilinx · 封装：TFBGA-48
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 16 Mbit、工作电源电压 1.8 V、电源电压（最大值） 2 V、电源电压（最小值） 1.65 V、最大工作频率 50 MHz、存储器类型 EEPROM，采用 TFBGA-48 封装。XCF16PVOG48C
Xilinx · 封装：TSOP-48
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 16 Mbit、工作电源电压 1.8 V、电源电压（最大值） 2 V、电源电压（最小值） 1.65 V、最大工作频率 50 MHz、存储器类型 EEPROM，采用 TSOP-48 封装。XCF16PFSG48C
Xilinx · 封装：TFBGA-48
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 16 Mbit、工作电源电压 1.8 V、电源电压（最大值） 2 V、电源电压（最小值） 1.65 V、最大工作频率 50 MHz、存储器类型 EEPROM，采用 TFBGA-48 封装。XCF08PFSG48C
Xilinx · 封装：TFBGA-48
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 8 Mbit、工作电源电压 1.8 V、电源电压（最大值） 2 V、电源电压（最小值） 1.65 V、最大工作频率 50 MHz、存储器类型 EEPROM，采用 TFBGA-48 封装。XCF08PFS48C
Xilinx · 封装：TFBGA-48
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括存储容量 8 Mbit、工作电源电压 1.8 V、电源电压（最大值） 2 V、电源电压（最小值） 1.65 V、最大工作频率 50 MHz、存储器类型 EEPROM，采用 TFBGA-48 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。