LFE2M50E-6FN672C
Lattice · 封装：FPBGA-672
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括总存储容量 4248 kbit、输入／输出数 372 个输入／输出、工作电源电压 1.2 V、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、最大工作频率 357 MHz，采用 FPBGA-672 封装。FPGA 与可编程逻辑
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型号列表
27,592 条型号记录A42MX16-PQG160I
Microchip / Microsemi · 封装：PQFP-160
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括输入／输出数 125 个输入／输出、工作电源电压 3.3 V, 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、最大工作频率 172 MHz、最小工作温度 - 40 C，采用 PQFP-160 封装。LFXP2-17E-6FN484C
Lattice · 封装：FPBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括总存储容量 311 kbit、输入／输出数 358 个输入／输出、工作电源电压 1.2 V、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、产品 XP2，采用 FPBGA-484 封装。A3PE1500-PQG208I
Microchip / Microsemi · 封装：PQFP-208
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括输入／输出数 147 个输入／输出、工作电源电压 1.5 V、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、最大工作频率 231 MHz、最小工作温度 - 40 C，采用 PQFP-208 封装。LFE3-35EA-9FN672C
Lattice · 封装：FPBGA-672
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括总存储容量 1395 kbit、输入／输出数 310 个输入／输出、工作电源电压 1.2 V、产品 ECP3、逻辑单元数 33000、逻辑阵列块（LAB）数 4125，采用 FPBGA-672 封装。A42MX16-PLG84I
Microchip / Microsemi · 封装：PLCC-84
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括输入／输出数 72 个输入／输出、工作电源电压 3.3 V, 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、最大工作频率 172 MHz、最小工作温度 - 40 C，采用 PLCC-84 封装。LFE2M20E-6FN256C
Lattice · 封装：FPBGA-256
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括总存储容量 1258 kbit、输入／输出数 140 个输入／输出、工作电源电压 1.2 V、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、最大工作频率 357 MHz，采用 FPBGA-256 封装。M2S060TS-1FGG484I
Microchip / Microsemi
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括逻辑单元数 56520、逻辑阵列块（LAB）数 4710、湿敏性 是、商品名称 SmartFusion2。M2S010-FGG484I
Microchip / Microsemi · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括总存储容量 256 kB、输入／输出数 233 个输入／输出、工作电源电压 1.2 V、数据速率 667 Mb/s、最大工作频率 400 MHz、产品 SmartFusion2，采用 BGA-484 封装。A54SX08A-FTQG144
Microchip / Microsemi · 封装：TQFP-144
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括输入／输出数 113 个输入／输出、工作电源电压 2.5 V、电源电压（最大值） 2.75 V、电源电压（最小值） 2.25 V、最大工作频率 172 MHz、最小工作温度 0 C，采用 TQFP-144 封装。M2GL010T-1FGG484I
Microchip / Microsemi · 封装：FPBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括总存储容量 912 kbit、输入／输出数 233 个输入／输出、工作电源电压 1.2 V、数据速率 5 Gb/s、最大工作频率 200 MHz、产品 IGLOO2 SoC FPGA，采用 FPBGA-484 封装。A3P600-FGG256
Microchip / Microsemi · 封装：FBGA
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括输入／输出数 177 个输入／输出、工作电源电压 1.5 V、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、最大工作频率 231 MHz、最小工作温度 0 C，采用 FBGA 封装。LFE2-20E-6FN484C
Lattice · 封装：FPBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括总存储容量 318 kbit、输入／输出数 331 个输入／输出、工作电源电压 1.2 V、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、产品 ECP2，采用 FPBGA-484 封装。LFE2-20SE-5FN484I
Lattice · 封装：FPBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括总存储容量 318 kbit、输入／输出数 331 个输入／输出、工作电源电压 1.2 V、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、最大工作频率 311 MHz，采用 FPBGA-484 封装。M2S010-FGG484
Microchip / Microsemi · 封装：FPBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括总存储容量 400 kbit、输入／输出数 233 个输入／输出、工作电源电压 1.2 V、产品 M2S010、逻辑单元数 12084、逻辑阵列块（LAB）数 1007，采用 FPBGA-484 封装。LFE2M20E-5FN256C
Lattice · 封装：FPBGA-256
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括总存储容量 1258 kbit、输入／输出数 140 个输入／输出、工作电源电压 1.2 V、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、最大工作频率 311 MHz，采用 FPBGA-256 封装。LFE2M20SE-5FN256C
Lattice · 封装：FPBGA-256
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括总存储容量 1258 kbit、输入／输出数 140 个输入／输出、工作电源电压 1.2 V、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、最大工作频率 311 MHz，采用 FPBGA-256 封装。LFE2-50E-5FN672C
Lattice · 封装：FPBGA-672
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括总存储容量 483 kbit、输入／输出数 500 个输入／输出、工作电源电压 1.2 V、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、产品 ECP2，采用 FPBGA-672 封装。APA150-PQG208I
Microchip / Microsemi · 封装：PQFP-208
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括总存储容量 36864 位、输入／输出数 158 个输入／输出、工作电源电压 2.5 V、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、最大工作频率 180 MHz，采用 PQFP-208 封装。LFE3-70EA-6FN1156I
Lattice · 封装：FPBGA-1156
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括总存储容量 4565 kbit、输入／输出数 490 个输入／输出、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 375 MHz、产品 ECP3、逻辑单元数 67000，采用 FPBGA-1156 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。