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FPGA 与可编程逻辑

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MPFS160TL-FCSG536E

Microchip Technology · 封装：FCSBGA-536

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 667 MHz, 667 MHz、嵌入式存储容量 11.3 Mbit、输入／输出数 312 个输入／输出、工作电源电压 1 V、内核 RV64GC, RV64IMAC、内核数 5 Core，采用 FCSBGA-536 封装。
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MPFS160TL-FCSG536I

Microchip Technology · 封装：FCSBGA-536

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 667 MHz, 667 MHz、嵌入式存储容量 11.3 Mbit、输入／输出数 312 个输入／输出、工作电源电压 1 V、内核 RV64GC, RV64IMAC、内核数 5 Core，采用 FCSBGA-536 封装。
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MPFS160TL-FCVG484E

Microchip Technology · 封装：FCVBGA-484

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 667 MHz, 667 MHz、嵌入式存储容量 11.3 Mbit、输入／输出数 312 个输入／输出、工作电源电压 1 V、内核 RV64GC, RV64IMAC、内核数 5 Core，采用 FCVBGA-484 封装。
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MPFS160TL-FCVG484I

Microchip Technology · 封装：FCVBGA-484

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 667 MHz, 667 MHz、嵌入式存储容量 11.3 Mbit、输入／输出数 312 个输入／输出、工作电源电压 1 V、内核 RV64GC, RV64IMAC、内核数 5 Core，采用 FCVBGA-484 封装。
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MPFS160TL-FCVG784E

Microchip Technology · 封装：FCVBGA-784

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 667 MHz, 667 MHz、嵌入式存储容量 11.3 Mbit、输入／输出数 312 个输入／输出、工作电源电压 1 V、内核 RV64GC, RV64IMAC、内核数 5 Core，采用 FCVBGA-784 封装。
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MPFS160TL-FCVG784I

Microchip Technology · 封装：FCVBGA-784

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 667 MHz, 667 MHz、嵌入式存储容量 11.3 Mbit、输入／输出数 312 个输入／输出、工作电源电压 1 V、内核 RV64GC, RV64IMAC、内核数 5 Core，采用 FCVBGA-784 封装。
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MPFS160TLS-FCSG536I

Microchip Technology · 封装：FCSBGA-536

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 667 MHz, 667 MHz、嵌入式存储容量 11.3 Mbit、输入／输出数 312 个输入／输出、工作电源电压 1 V、内核 RV64GC, RV64IMAC、内核数 5 Core，采用 FCSBGA-536 封装。
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MPFS160TLS-FCVG484I

Microchip Technology · 封装：FCVBGA-484

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 667 MHz, 667 MHz、嵌入式存储容量 11.3 Mbit、输入／输出数 312 个输入／输出、工作电源电压 1 V、内核 RV64GC, RV64IMAC、内核数 5 Core，采用 FCVBGA-484 封装。
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MPFS160TS-FCVG484I

Microchip Technology · 封装：FCVBGA-484

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 667 MHz, 667 MHz、嵌入式存储容量 11.3 Mbit、输入／输出数 312 个输入／输出、工作电源电压 1 V、内核 RV64GC, RV64IMAC、内核数 5 Core，采用 FCVBGA-484 封装。
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M2S050TS-1FGG896I

Microchip Technology · 封装：FPBGA-896

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、程序存储容量 256 kB、数据 RAM 容量 64 kB、内核 ARM Cortex M3、内核数 1 Core、逻辑单元数 56340 LE，采用 FPBGA-896 封装。
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M2S050TS-1VF400

Microchip Technology · 封装：VFBGA-400

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、程序存储容量 256 kB、数据 RAM 容量 64 kB、内核 ARM Cortex M3、内核数 1 Core、逻辑单元数 56340 LE，采用 VFBGA-400 封装。
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M2S050TS-1VF400I

Microchip Technology · 封装：VFBGA-400

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、程序存储容量 256 kB、数据 RAM 容量 64 kB、内核 ARM Cortex M3、内核数 1 Core、逻辑单元数 56340 LE，采用 VFBGA-400 封装。
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M2S050TS-1VFG400

Microchip Technology · 封装：VFBGA-400

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、程序存储容量 256 kB、数据 RAM 容量 64 kB、内核 ARM Cortex M3、内核数 1 Core、逻辑单元数 56340 LE，采用 VFBGA-400 封装。
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M2S050TS-1VFG400I

Microchip Technology · 封装：VFBGA-400

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、程序存储容量 256 kB、数据 RAM 容量 64 kB、内核 ARM Cortex M3、内核数 1 Core、逻辑单元数 56340 LE，采用 VFBGA-400 封装。
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M2S050TS-FCS325

Microchip Technology

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、程序存储容量 256 kB、数据 RAM 容量 64 kB、内核 ARM Cortex M3、内核数 1 Core、逻辑单元数 56340 LE。
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M2S050TS-FCS325I

Microchip Technology · 封装：FCSBGA-325

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、程序存储容量 256 kB、数据 RAM 容量 64 kB、内核 ARM Cortex M3、内核数 1 Core、逻辑单元数 56340 LE，采用 FCSBGA-325 封装。
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M2S050TS-FCSG325

Microchip Technology · 封装：FCSBGA-325

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、程序存储容量 256 kB、数据 RAM 容量 64 kB、内核 ARM Cortex M3、内核数 1 Core、逻辑单元数 56340 LE，采用 FCSBGA-325 封装。
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M2S050TS-FCSG325I

Microchip Technology · 封装：FCSBGA-325

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、程序存储容量 256 kB、数据 RAM 容量 64 kB、内核 ARM Cortex M3、内核数 1 Core、逻辑单元数 56340 LE，采用 FCSBGA-325 封装。
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M2S050TS-FG484

Microchip Technology

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、程序存储容量 256 kB、数据 RAM 容量 64 kB、内核 ARM Cortex M3、内核数 1 Core、逻辑单元数 56340 LE。
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M2S050TS-FG484I

Microchip Technology

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、程序存储容量 256 kB、数据 RAM 容量 64 kB、内核 ARM Cortex M3、内核数 1 Core、逻辑单元数 56340 LE。
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