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FPGA 与可编程逻辑

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XAZU1EG-1SFVC784I

AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-784

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括商品名称 Zynq UltraScale+,采用 FCBGA-784 封装。

XAZU1EG-1SFVC784Q

AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-784

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括商品名称 Zynq UltraScale+,采用 FCBGA-784 封装。

XAZU1EG-L1SBVA484I

AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括商品名称 Zynq UltraScale+,采用 FCBGA-484 封装。

XAZU1EG-L1SFVA625I

AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-625

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括商品名称 Zynq UltraScale+,采用 FCBGA-625 封装。

XAZU1EG-L1SFVC784I

AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-784

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括商品名称 Zynq UltraScale+,采用 FCBGA-784 封装。

XCZU9EG-L2FFVB1156E

AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-1156

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括最大时钟频率 600 MHz, 667 MHz, 1.5 GHz、嵌入式存储容量 32.1 Mbit、输入/输出数 352 个输入/输出、工作电源电压 850 mV、内核 ARM Cortex A53, ARM Cortex R5, ARM Mali-400 MP2、内核数 7 Core,采用 FCBGA-1156 封装。

XCZU9EG-L1FFVC900I

AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-900

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括最大时钟频率 600 MHz, 667 MHz, 1.5 GHz、嵌入式存储容量 32.1 Mbit、输入/输出数 220 个输入/输出、工作电源电压 850 mV、内核 ARM Cortex A53, ARM Cortex R5, ARM Mali-400 MP2、内核数 7 Core,采用 FCBGA-900 封装。

XCZU9EG-3FFVC900E

AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-900

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括最大时钟频率 600 MHz, 667 MHz, 1.5 GHz、嵌入式存储容量 32.1 Mbit、输入/输出数 220 个输入/输出、工作电源电压 850 mV、内核 ARM Cortex A53, ARM Cortex R5, ARM Mali-400 MP2、内核数 7 Core,采用 FCBGA-900 封装。

XCZU9EG-1FFVB1156E

AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-1156

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括最大时钟频率 600 MHz, 667 MHz, 1.5 GHz、嵌入式存储容量 32.1 Mbit、输入/输出数 352 个输入/输出、工作电源电压 850 mV、内核 ARM Cortex A53, ARM Cortex R5, ARM Mali-400 MP2、内核数 7 Core,采用 FCBGA-1156 封装。

XCZU9EG-3FFVB1156E

AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-1156

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括最大时钟频率 600 MHz, 667 MHz, 1.5 GHz、嵌入式存储容量 32.1 Mbit、输入/输出数 352 个输入/输出、工作电源电压 850 mV、内核 ARM Cortex A53, ARM Cortex R5, ARM Mali-400 MP2、内核数 7 Core,采用 FCBGA-1156 封装。

XCZU9EG-2FFVC900I

AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-900

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括最大时钟频率 600 MHz, 667 MHz, 1.5 GHz、嵌入式存储容量 32.1 Mbit、输入/输出数 220 个输入/输出、工作电源电压 850 mV、内核 ARM Cortex A53, ARM Cortex R5, ARM Mali-400 MP2、内核数 7 Core,采用 FCBGA-900 封装。

XCZU9EG-2FFVC900E

AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-900

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括最大时钟频率 600 MHz, 667 MHz, 1.5 GHz、嵌入式存储容量 32.1 Mbit、输入/输出数 220 个输入/输出、工作电源电压 850 mV、内核 ARM Cortex A53, ARM Cortex R5, ARM Mali-400 MP2、内核数 7 Core,采用 FCBGA-900 封装。

XCZU9EG-2FFVB1156I

AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-1156

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括最大时钟频率 600 MHz, 667 MHz, 1.5 GHz、嵌入式存储容量 32.1 Mbit、输入/输出数 352 个输入/输出、工作电源电压 850 mV、内核 ARM Cortex A53, ARM Cortex R5, ARM Mali-400 MP2、内核数 7 Core,采用 FCBGA-1156 封装。

XCZU9EG-2FFVB1156E

AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-1156

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括最大时钟频率 600 MHz, 667 MHz, 1.5 GHz、嵌入式存储容量 32.1 Mbit、输入/输出数 352 个输入/输出、工作电源电压 850 mV、内核 ARM Cortex A53, ARM Cortex R5, ARM Mali-400 MP2、内核数 7 Core,采用 FCBGA-1156 封装。

XCZU9EG-1FFVC900I

AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-900

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括最大时钟频率 600 MHz, 667 MHz, 1.5 GHz、嵌入式存储容量 32.1 Mbit、输入/输出数 220 个输入/输出、工作电源电压 850 mV、内核 ARM Cortex A53, ARM Cortex R5, ARM Mali-400 MP2、内核数 7 Core,采用 FCBGA-900 封装。

XCZU9EG-1FFVC900E

AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-900

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括最大时钟频率 600 MHz, 667 MHz, 1.5 GHz、嵌入式存储容量 32.1 Mbit、输入/输出数 220 个输入/输出、工作电源电压 850 mV、内核 ARM Cortex A53, ARM Cortex R5, ARM Mali-400 MP2、内核数 7 Core,采用 FCBGA-900 封装。

XCZU9EG-1FFVB1156I

AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-1156

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括最大时钟频率 600 MHz, 667 MHz, 1.5 GHz、嵌入式存储容量 32.1 Mbit、输入/输出数 352 个输入/输出、工作电源电压 850 mV、内核 ARM Cortex A53, ARM Cortex R5, ARM Mali-400 MP2、内核数 7 Core,采用 FCBGA-1156 封装。

XCZU9CG-L2FFVC900E

AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-900

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括最大时钟频率 600 MHz, 1.5 GHz、嵌入式存储容量 32.1 Mbit、输入/输出数 220 个输入/输出、工作电源电压 850 mV、内核 ARM Cortex A53, ARM Cortex R5、内核数 4 Core,采用 FCBGA-900 封装。

XCZU9CG-1FFVB1156I

AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-1156

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括最大时钟频率 600 MHz, 1.5 GHz、嵌入式存储容量 32.1 Mbit、输入/输出数 352 个输入/输出、工作电源电压 850 mV、内核 ARM Cortex A53, ARM Cortex R5、内核数 4 Core,采用 FCBGA-1156 封装。

XCZU9CG-L1FFVC900I

AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-900

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括最大时钟频率 600 MHz, 1.5 GHz、嵌入式存储容量 32.1 Mbit、输入/输出数 220 个输入/输出、工作电源电压 850 mV、内核 ARM Cortex A53, ARM Cortex R5、内核数 4 Core,采用 FCBGA-900 封装。

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