M2S090TS-1FG484
Microchip Technology · 封装：FPBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、程序存储容量 512 kB、数据 RAM 容量 64 kB、内核 ARM Cortex M3、内核数 1 Core、逻辑单元数 86316 LE，采用 FPBGA-484 封装。FPGA 与可编程逻辑
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型号列表
27,592 条型号记录M2S150T-1FCS536I
Microchip Technology
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、程序存储容量 512 kB、数据 RAM 容量 64 kB、内核 ARM Cortex M3、内核数 1 Core、逻辑单元数 146124 LE。M2S150T-1FCSG536
Microchip Technology · 封装：FCSBGA-536
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、程序存储容量 512 kB、数据 RAM 容量 64 kB、内核 ARM Cortex M3、内核数 1 Core、逻辑单元数 146124 LE，采用 FCSBGA-536 封装。M2S150T-1FCSG536I
Microchip Technology · 封装：FCSBGA-536
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、程序存储容量 512 kB、数据 RAM 容量 64 kB、内核 ARM Cortex M3、内核数 1 Core、逻辑单元数 146124 LE，采用 FCSBGA-536 封装。M2S150T-1FCV484
Microchip Technology
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、程序存储容量 512 kB、数据 RAM 容量 64 kB、内核 ARM Cortex M3、内核数 1 Core、逻辑单元数 146124 LE。M2S150T-1FCV484I
Microchip Technology
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、程序存储容量 512 kB、数据 RAM 容量 64 kB、内核 ARM Cortex M3、内核数 1 Core、逻辑单元数 146124 LE。1SX110HN3F43E2LPBK
Altera · 封装：FBGA-1760
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括收发器数 48 Transceiver、商品名称 Stratix，采用 FBGA-1760 封装。A5EC013AB32AI2V
Altera
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括湿敏性 是、商品名称 Agilex、型号别名 99CLNV。M2S090TS-1FCS325
Microchip Technology · 封装：FCSBGA-325
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、程序存储容量 512 kB、数据 RAM 容量 64 kB、内核 ARM Cortex M3、内核数 1 Core、逻辑单元数 86316 LE，采用 FCSBGA-325 封装。M2S090TS-1FCS325I
Microchip Technology · 封装：FCSBGA-325
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、程序存储容量 512 kB、数据 RAM 容量 64 kB、内核 ARM Cortex M3、内核数 1 Core、逻辑单元数 86316 LE，采用 FCSBGA-325 封装。A5EC013AB32AI3V
Altera
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括湿敏性 是、商品名称 Agilex、型号别名 99CLNT。SLG46538V
Dialog Semiconductor · 封装：STQFN-20
主要参数包括工作电源电压 1.8 V, 3.3 V, 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.71 V、最大工作频率 2 MHz, 25 MHz、产品 Programmable Mixed-Signal Matrix、宏单元数 19，采用 STQFN-20 封装。SLG46537V
Dialog Semiconductor · 封装：STQFN-20
主要参数包括工作电源电压 1.8 V, 3.3 V, 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.71 V、最大工作频率 2 MHz, 25 MHz、产品 Programmable Mixed-Signal Matrix、宏单元数 19，采用 STQFN-20 封装。SLG46108V
Dialog Semiconductor · 封装：STQFN-8
主要参数包括工作电源电压 1.8 V, 3.3 V, 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.71 V、最大工作频率 2 MHz、产品 Programmable Mixed Signal Matrix、宏单元数 7，采用 STQFN-8 封装。SLG46620V
Dialog Semiconductor · 封装：STQFN-20
主要参数包括工作电源电压 1.8 V, 3.3 V, 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.71 V、最大工作频率 2 MHz、产品 Programmable Mixed Signal Matrix、宏单元数 1，采用 STQFN-20 封装。SLG46140V
Dialog Semiconductor · 封装：STQFN-14
主要参数包括工作电源电压 1.8 V, 3.3 V, 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.71 V、最大工作频率 2 MHz、产品 Programmable Mixed Signal Matrix、宏单元数 9，采用 STQFN-14 封装。ATF22V10B-15GM/883
Microchip Technology / Atmel · 封装：CDIP-24
主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、最大工作频率 83.3 MHz、产品 ATF22V10B、宏单元数 10，采用 CDIP-24 封装。ATF22LV10CQZ-30SU
Microchip Technology / Atmel · 封装：SOIC-24
主要参数包括工作电源电压 3～5.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、最大工作频率 33.3 MHz、产品 ATF22LV10C、宏单元数 10，采用 SOIC-24 封装。PAL22V10Z-25CJTL
Texas Instruments · 封装：CDIP-24
主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 75 C、长度 32 mm，采用 CDIP-24 封装。ATF22LV10CQZ-30XU
Microchip Technology / Atmel · 封装：TSSOP-24
主要参数包括工作电源电压 3～5.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、最大工作频率 33.3 MHz、产品 ATF22LV10C、宏单元数 10，采用 TSSOP-24 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。