M2S150T-FC1152
Microchip Technology
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、程序存储容量 512 kB、数据 RAM 容量 64 kB、内核 ARM Cortex M3、内核数 1 Core、逻辑单元数 146124 LE。FPGA 与可编程逻辑
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27,592 条型号记录M2S150T-FC1152I
Microchip Technology · 封装：FCBGA-1152
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、程序存储容量 512 kB、数据 RAM 容量 64 kB、内核 ARM Cortex M3、内核数 1 Core、逻辑单元数 146124 LE，采用 FCBGA-1152 封装。M2S150T-FCG1152
Microchip Technology · 封装：FCBGA-1152
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、程序存储容量 512 kB、数据 RAM 容量 64 kB、内核 ARM Cortex M3、内核数 1 Core、逻辑单元数 146124 LE，采用 FCBGA-1152 封装。M2S150T-FCG1152I
Microchip Technology · 封装：FCBGA-1152
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、程序存储容量 512 kB、数据 RAM 容量 64 kB、输入／输出数 574 个输入／输出、工作电源电压 1.2 V、内核 ARM Cortex M3，采用 FCBGA-1152 封装。M2S150T-FCS536
Microchip Technology
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、程序存储容量 512 kB、数据 RAM 容量 64 kB、内核 ARM Cortex M3、内核数 1 Core、逻辑单元数 146124 LE。M2S150T-FCS536I
Microchip Technology
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、程序存储容量 512 kB、数据 RAM 容量 64 kB、内核 ARM Cortex M3、内核数 1 Core、逻辑单元数 146124 LE。M2S150T-FCSG536
Microchip Technology · 封装：FCSBGA-536
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、程序存储容量 512 kB、数据 RAM 容量 64 kB、内核 ARM Cortex M3、内核数 1 Core、逻辑单元数 146124 LE，采用 FCSBGA-536 封装。M2S150T-FCSG536I
Microchip Technology · 封装：FCSBGA-536
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、程序存储容量 512 kB、数据 RAM 容量 64 kB、内核 ARM Cortex M3、内核数 1 Core、逻辑单元数 146124 LE，采用 FCSBGA-536 封装。M2S150T-FCV484
Microchip Technology
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、程序存储容量 512 kB、数据 RAM 容量 64 kB、内核 ARM Cortex M3、内核数 1 Core、逻辑单元数 146124 LE。M2S150T-FCV484I
Microchip Technology
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、程序存储容量 512 kB、数据 RAM 容量 64 kB、内核 ARM Cortex M3、内核数 1 Core、逻辑单元数 146124 LE。M2S150T-FCVG484
Microchip Technology · 封装：FCVBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、程序存储容量 512 kB、数据 RAM 容量 64 kB、内核 ARM Cortex M3、内核数 1 Core、逻辑单元数 146124 LE，采用 FCVBGA-484 封装。M2S150T-FCVG484I
Microchip Technology · 封装：FCVBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、程序存储容量 512 kB、数据 RAM 容量 64 kB、内核 ARM Cortex M3、内核数 1 Core、逻辑单元数 146124 LE，采用 FCVBGA-484 封装。M2S150TS-1FC1152
Microchip Technology · 封装：FCBGA-1152
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、程序存储容量 512 kB、数据 RAM 容量 64 kB、内核 ARM Cortex M3、内核数 1 Core、逻辑单元数 146124 LE，采用 FCBGA-1152 封装。M2S150TS-1FC1152I
Microchip Technology · 封装：FCBGA-1152
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、程序存储容量 512 kB、数据 RAM 容量 64 kB、内核 ARM Cortex M3、内核数 1 Core、逻辑单元数 146124 LE，采用 FCBGA-1152 封装。M2S150TS-1FCG1152
Microchip Technology · 封装：FCBGA-1152
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、程序存储容量 512 kB、数据 RAM 容量 64 kB、内核 ARM Cortex M3、内核数 1 Core、逻辑单元数 146124 LE，采用 FCBGA-1152 封装。M2S150TS-1FCG1152I
Microchip Technology · 封装：FCBGA-1152
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、程序存储容量 512 kB、数据 RAM 容量 64 kB、内核 ARM Cortex M3、内核数 1 Core、逻辑单元数 146124 LE，采用 FCBGA-1152 封装。XC7Z100-2FFG900I
AMD / Xilinx · 封装：FCBGA-900
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 766 MHz、嵌入式存储容量 26.5 Mbit、输入／输出数 362 个输入／输出、内核 ARM Cortex A9、内核数 2 Core、一级指令缓存 2 x 32 kB，采用 FCBGA-900 封装。XCZU4CG-1FBVB900E
AMD / Xilinx · 封装：FCBGA-900
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 600 MHz, 1.5 GHz、嵌入式存储容量 4.5 Mbit、工作电源电压 850 mV、内核 ARM Cortex A53, ARM Cortex R5、内核数 4 Core、一级指令缓存 2 x 32 kB, 2 x 32 kB，采用 FCBGA-900 封装。XCZU5EV-1SFVC784E
AMD / Xilinx · 封装：FCBGA-784
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 600 MHz, 667 MHz, 1.5 GHz、嵌入式存储容量 5.1 Mbit、输入／输出数 256 个输入／输出、工作电源电压 850 mV、内核 ARM Cortex A53, ARM Cortex R5, ARM Mali-400 MP2、内核数 7 Core，采用 FCBGA-784 封装。XAZU5EV-1SFVC784I
AMD / Xilinx · 封装：FCBGA-784
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 500 MHz, 600 MHz, 1.2 GHz、嵌入式存储容量 5.1 Mbit、输入／输出数 252 个输入／输出、工作电源电压 850 mV、内核 ARM Cortex A53, ARM Cortex R5, ARM Mali-400 MP2、内核数 7 Core，采用 FCBGA-784 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。