EP4CE30F29C8LN
Altera · 封装：FBGA-780
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 594 kbit、总存储容量 594 kbit、输入／输出数 532 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV、电源电压（最大值） 1.03 V、工作电源电压 1 V，采用 FBGA-780 封装。FPGA 与可编程逻辑
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
27,592 条型号记录EP4CE30F29C8N
Altera · 封装：FBGA-780
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 594 kbit、总存储容量 594 kbit、输入／输出数 532 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.2 V，采用 FBGA-780 封装。EP4CE30F29C9L
Altera · 封装：FBGA-780
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 594 kbit、总存储容量 594 kbit、输入／输出数 532 个输入／输出、电源电压（最小值） 1 V、电源电压（最大值） 1 V、工作电源电压 1 V，采用 FBGA-780 封装。EP3C5F256A7N
Altera · 封装：FBGA-256
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 414 kbit、总存储容量 423936 位、输入／输出数 182 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.15～1.25 V，采用 FBGA-256 封装。5CEFA7F27I7
Altera · 封装：FBGA-672
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 7.7 Mbit、总存储容量 7696 kbit、输入／输出数 336 个输入／输出、电源电压（最大值） 1.1 V、工作电源电压 1.1 V、最大工作频率 925 MHz，采用 FBGA-672 封装。EP3C55F484C8N
Altera · 封装：FBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.29 Mbit、总存储容量 2396160 位、输入／输出数 327 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.15～1.25 V，采用 FBGA-484 封装。EP3C55U484C8N
Altera · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.11 Mbit、总存储容量 2396160 位、输入／输出数 327 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.15～1.25 V，采用 BGA-484 封装。EP3CLS200F484I7N
Altera · 封装：FBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 7.83 Mbit、总存储容量 8211456 位、输入／输出数 226 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.15～1.25 V，采用 FBGA-484 封装。EP3CLS200F780C7
Altera · 封装：FBGA-780
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 7.83 Mbit、总存储容量 8211456 位、输入／输出数 429 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.15～1.25 V，采用 FBGA-780 封装。EP3CLS200F780C7N
Altera · 封装：FBGA-780
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 7.83 Mbit、总存储容量 8211456 位、输入／输出数 429 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.15～1.25 V，采用 FBGA-780 封装。EP3CLS70F484C7N
Altera · 封装：FBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.93 Mbit、总存储容量 3068928 位、输入／输出数 294 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.15～1.25 V，采用 FBGA-484 封装。EP3CLS70F780I7N
Altera · 封装：FBGA-780
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.93 Mbit、总存储容量 3068928 位、输入／输出数 429 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.15～1.25 V，采用 FBGA-780 封装。EP3CLS70U484C7
Altera · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.93 Mbit、总存储容量 3068928 位、输入／输出数 294 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.15～1.25 V，采用 BGA-484 封装。10AS032E4F27E3LG
Altera · 封装：FBGA-672
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 17.4 Mbit、输入／输出数 384 个输入／输出、电源电压（最小值） 870 mV、电源电压（最大值） 980 mV、工作电源电压 950 mV、数据速率 17.4 Gb/s，采用 FBGA-672 封装。EP3C5E144I7N
Altera · 封装：EQFP-144
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 414 kbit、总存储容量 423936 位、输入／输出数 94 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.15～1.25 V，采用 EQFP-144 封装。EP4CE40F23A7N
Altera · 封装：FBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.11 Mbit、总存储容量 1134 kbit、输入／输出数 328 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V，采用 FBGA-484 封装。EP4CE40F23C6
Altera · 封装：FBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.11 Mbit、总存储容量 1134 kbit、输入／输出数 328 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V，采用 FBGA-484 封装。EP4CE55F29C9LN
Altera · 封装：FBGA-780
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.29 Mbit、总存储容量 2340 kbit、输入／输出数 374 个输入／输出、电源电压（最小值） 1 V、电源电压（最大值） 1 V、工作电源电压 1 V，采用 FBGA-780 封装。LCMXO3LF-640E-5TG100C
Lattice · 封装：TQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 64 kbit、输入／输出数 79 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、逻辑单元数 640 LE、自适应逻辑模块数（ALM） 320 ALM，采用 TQFP-100 封装。LAV-AT-X50-2LBG484I
Lattice · 封装：FCBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 22.7 Mbit、总存储容量 25.99 Mb、输入／输出数 218 个输入／输出、工作电源电压 820 mV、最大工作频率 2.4 GHz、逻辑单元数 409000 LE，采用 FCBGA-484 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。