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FPGA 与可编程逻辑

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A3PN060-2VQ100

Microchip Technology · 封装:VQFP-100

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 71 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 350 MHz,采用 VQFP-100 封装。

A3PN060-2VQ100I

Microchip Technology · 封装:VQFP-100

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 71 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 350 MHz,采用 VQFP-100 封装。

A3PN060-2VQG100

Microchip Technology · 封装:VQFP-100

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 71 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 350 MHz,采用 VQFP-100 封装。

A3PN060-2VQG100I

Microchip Technology · 封装:VQFP-100

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 19 kbit、输入/输出数 71 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、工作电源电压 1.425~1.575 V、最大工作频率 350 MHz,采用 VQFP-100 封装。

AGLN060V2-VQ100

Microchip Technology · 封装:VQFP-100

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 71 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.575 V、工作电源电压 1.2~1.5 V、最大工作频率 250 MHz,采用 VQFP-100 封装。

M2S060T-1VFG784

Microchip Technology · 封装:FBGA-784

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、逻辑单元数 56500 LE、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 85 C,采用 FBGA-784 封装。

M2GL150TS-FCVG484I

Microchip Technology · 封装:BGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、湿敏性 是、商品名称 IGLOO2,采用 BGA-484 封装。

M2GL150TS-1FCV484M

Microchip Technology · 封装:BGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、商品名称 IGLOO2,采用 BGA-484 封装。

EP3C25U256C6N

Altera · 封装:BGA-256

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 594 kbit、总存储容量 608256 位、输入/输出数 156 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.15 V、电源电压(最大值) 1.25 V、工作电源电压 1.15~1.25 V,采用 BGA-256 封装。

EP3C16U484I7

Altera · 封装:UBGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 504 kbit、总存储容量 516096 位、输入/输出数 346 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.15 V、电源电压(最大值) 1.25 V、工作电源电压 1.15~1.25 V,采用 UBGA-484 封装。

EP3C16U484I7N

Altera · 封装:BGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 504 kbit、总存储容量 516096 位、输入/输出数 346 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.15 V、电源电压(最大值) 1.25 V、工作电源电压 1.15~1.25 V,采用 BGA-484 封装。

EP3C25U256C7

Altera · 封装:BGA-256

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 594 kbit、总存储容量 608256 位、输入/输出数 156 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.15 V、电源电压(最大值) 1.25 V、工作电源电压 1.15~1.25 V,采用 BGA-256 封装。

EP3C25U256C7N

Altera · 封装:BGA-256

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 594 kbit、总存储容量 608256 位、输入/输出数 156 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.15 V、电源电压(最大值) 1.25 V、工作电源电压 1.15~1.25 V,采用 BGA-256 封装。

10M16SCE144A7G

Altera · 封装:EQFP-144

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 549 kbit、输入/输出数 101 个输入/输出、电源电压(最小值) 2.85 V/3.135 V、电源电压(最大值) 3.15 V/3.465 V、工作电源电压 3 V, 3.3 V、最大工作频率 450 MHz,采用 EQFP-144 封装。

10M16SCE144I7G

Altera · 封装:EQFP-144

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 549 kbit、输入/输出数 101 个输入/输出、电源电压(最小值) 2.85 V、电源电压(最大值) 3.465 V、工作电源电压 3 V, 3.3 V、最大工作频率 450 MHz,采用 EQFP-144 封装。

1SG250LN3F43E1VG

Altera · 封装:FBGA-1760

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 195 Mbit、输入/输出数 1160 个输入/输出、电源电压(最小值) 770 mV、电源电压(最大值) 970 mV、工作电源电压 940 mV、数据速率 28.3 Gb/s,采用 FBGA-1760 封装。

1SG250LN3F43E2LG

Altera · 封装:FBGA-1760

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 195 Mbit、输入/输出数 1160 个输入/输出、电源电压(最小值) 770 mV、电源电压(最大值) 970 mV、工作电源电压 940 mV、数据速率 28.3 Gb/s,采用 FBGA-1760 封装。

A40MX02-3PQG100

Microchip Technology · 封装:PQFP-100

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 57 个输入/输出、电源电压(最小值) 4.75 V、电源电压(最大值) 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 295 LE,采用 PQFP-100 封装。

AX250-2FG256

Microchip Technology · 封装:FBGA-250

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 138 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 870 MHz,采用 FBGA-250 封装。

A40MX02-3PQG100I

Microchip Technology · 封装:PQFP-100

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 57 个输入/输出、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 295 LE,采用 PQFP-100 封装。

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