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27,592 条型号记录

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1SG280LU3F50E3XG

Altera · 封装：FBGA-2397

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 229 Mbit、输入／输出数 1160 个输入／输出、电源电压（最小值） 770 mV、电源电压（最大值） 970 mV、工作电源电压 940 mV、数据速率 28.3 Gb/s，采用 FBGA-2397 封装。

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1SG280LU3F50I1VG

Altera · 封装：FBGA-2397

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 229 Mbit、输入／输出数 1160 个输入／输出、电源电压（最小值） 770 mV、电源电压（最大值） 970 mV、工作电源电压 940 mV、数据速率 28.3 Gb/s，采用 FBGA-2397 封装。

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1SG280LU3F50I2LG

Altera · 封装：FBGA-2397

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 229 Mbit、输入／输出数 1160 个输入／输出、电源电压（最小值） 770 mV、电源电压（最大值） 970 mV、工作电源电压 940 mV、数据速率 28.3 Gb/s，采用 FBGA-2397 封装。

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1SG280LU3F50I2VG

Altera · 封装：FBGA-2397

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 229 Mbit、输入／输出数 1160 个输入／输出、电源电压（最小值） 770 mV、电源电压（最大值） 970 mV、工作电源电压 940 mV、数据速率 28.3 Gb/s，采用 FBGA-2397 封装。

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EP4CE40U19I7N

Altera · 封装：UBGA-484

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.11 Mbit、总存储容量 1134 kbit、输入／输出数 328 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.2 V，采用 UBGA-484 封装。

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1SG280LU2F50E2LG

Altera · 封装：FBGA-2397

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 229 Mbit、输入／输出数 1160 个输入／输出、电源电压（最小值） 770 mV、电源电压（最大值） 970 mV、工作电源电压 940 mV、数据速率 28.3 Gb/s，采用 FBGA-2397 封装。

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EP4CE55F29I7

Altera · 封装：FBGA-780

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.29 Mbit、总存储容量 2340 kbit、输入／输出数 374 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V，采用 FBGA-780 封装。

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EP4CE55F29I7N

Altera · 封装：FBGA-780

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.29 Mbit、总存储容量 2340 kbit、输入／输出数 374 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V，采用 FBGA-780 封装。

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EP4CE55F29I8L

Altera · 封装：FBGA-780

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.29 Mbit、总存储容量 2340 kbit、输入／输出数 374 个输入／输出、电源电压（最小值） 1 V、电源电压（最大值） 1 V、工作电源电压 1 V，采用 FBGA-780 封装。

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EP4CE55F29I8LN

Altera · 封装：FBGA-780

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.29 Mbit、总存储容量 2340 kbit、输入／输出数 374 个输入／输出、电源电压（最小值） 1 V、电源电压（最大值） 1 V、工作电源电压 1 V，采用 FBGA-780 封装。

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EP4CE55U19I7N

Altera · 封装：BGA-484

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.29 Mbit、总存储容量 2340 kbit、输入／输出数 324 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.2 V，采用 BGA-484 封装。

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EP4CE75F29I7N

Altera · 封装：FBGA-780

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.68 Mbit、总存储容量 2745 kbit、输入／输出数 426 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.2 V，采用 FBGA-780 封装。

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1SG280LN3F43I3VG

Altera · 封装：FBGA-1760

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 229 Mbit、输入／输出数 1160 个输入／输出、电源电压（最小值） 770 mV、电源电压（最大值） 970 mV、工作电源电压 940 mV、数据速率 28.3 Gb/s，采用 FBGA-1760 封装。

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1SG280LN3F43I3VGAS

Altera · 封装：FBGA-1760

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 229 Mbit、输入／输出数 1160 个输入／输出、电源电压（最小值） 770 mV、电源电压（最大值） 970 mV、工作电源电压 940 mV、数据速率 28.3 Gb/s，采用 FBGA-1760 封装。

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A42MX16-3PQG100

Microchip Technology · 封装：PQFP-100

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 83 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 608 LE，采用 PQFP-100 封装。

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A42MX16-2TQG176

Microchip Technology · 封装：TQFP-176

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 140 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 608 LE，采用 TQFP-176 封装。

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A42MX16-2TQG176I

Microchip Technology · 封装：TQFP-176

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 140 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 608 LE，采用 TQFP-176 封装。

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A42MX16-2VQG100

Microchip Technology · 封装：VQFP-100

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 83 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 608 LE，采用 VQFP-100 封装。

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A42MX16-2VQG100I

Microchip Technology · 封装：VQFP-100

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 83 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 608 LE，采用 VQFP-100 封装。

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A42MX16-PQG100I

Microchip Technology · 封装：PQFP-100

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 83 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 608 LE，采用 PQFP-100 封装。

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