LCMXO2-1200ZE-1UWG36ITR1K
Lattice · 封装:WLCSP-36
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 64 kbit、总存储容量 138 kbit、输入/输出数 28 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.26 V、工作电源电压 1.2 V,采用 WLCSP-36 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Lattice · 封装:WLCSP-36
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 64 kbit、总存储容量 138 kbit、输入/输出数 28 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.26 V、工作电源电压 1.2 V,采用 WLCSP-36 封装。Lattice · 封装:FCBGA-676
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 14.4 Mbit、总存储容量 16.5 Mbit、输入/输出数 298 个输入/输出、工作电源电压 820 mV、最大工作频率 2.4 GHz、逻辑单元数 262000 LE,采用 FCBGA-676 封装。Microchip Technology · 封装:VQFP-100
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 71 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 350 MHz,采用 VQFP-100 封装。Microchip Technology · 封装:FBGA-484
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 360 个输入/输出、电源电压(最小值) 2.25 V、电源电压(最大值) 2.75 V、工作电源电压 2.5 V、最大工作频率 156 MHz,采用 FBGA-484 封装。Microchip Technology · 封装:VQFP-100
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 71 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 350 MHz,采用 VQFP-100 封装。Microchip Technology · 封装:PLCC-44
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 34 个输入/输出、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 295 LE,采用 PLCC-44 封装。Microchip Technology · 封装:TQFP-100
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 81 个输入/输出、电源电压(最小值) 2.25 V、电源电压(最大值) 2.75 V、工作电源电压 2.5 V、最大工作频率 172 MHz,采用 TQFP-100 封装。Microchip Technology · 封装:TQFP-100
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 81 个输入/输出、电源电压(最小值) 2.25 V、电源电压(最大值) 2.75 V、工作电源电压 2.5 V、最大工作频率 238 MHz,采用 TQFP-100 封装。Microchip Technology · 封装:TQFP-100
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 81 个输入/输出、电源电压(最小值) 2.25 V、电源电压(最大值) 2.75 V、工作电源电压 2.5 V、最大工作频率 238 MHz,采用 TQFP-100 封装。Microchip Technology · 封装:TQFP-100
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 81 个输入/输出、电源电压(最小值) 2.25 V、电源电压(最大值) 5.25 V、工作电源电压 2.25~5.25 V、逻辑单元数 1800 LE,采用 TQFP-100 封装。Microchip Technology · 封装:TQFP-144
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 113 个输入/输出、电源电压(最小值) 2.25 V、电源电压(最大值) 2.75 V、工作电源电压 2.5 V、最大工作频率 238 MHz,采用 TQFP-144 封装。Microchip Technology · 封装:FBGA-256
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 203 个输入/输出、电源电压(最小值) 2.25 V、电源电压(最大值) 2.75 V、工作电源电压 2.5 V、最大工作频率 156 MHz,采用 FBGA-256 封装。Microchip Technology · 封装:FBGA-256
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 203 个输入/输出、电源电压(最小值) 2.25 V、电源电压(最大值) 2.75 V、工作电源电压 2.5 V、最大工作频率 156 MHz,采用 FBGA-256 封装。Microchip Technology · 封装:FBGA-144
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 97 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.575 V、工作电源电压 1.2~1.5 V、最大工作频率 526.32 MHz, 892.86 MHz,采用 FBGA-144 封装。Microchip Technology · 封装:FBGA-484
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 360 个输入/输出、电源电压(最小值) 2.25 V、电源电压(最大值) 2.75 V、工作电源电压 2.5 V、最大工作频率 156 MHz,采用 FBGA-484 封装。Microchip Technology · 封装:FBGA-256
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 203 个输入/输出、电源电压(最小值) 2.25 V、电源电压(最大值) 2.75 V、工作电源电压 2.5 V、最大工作频率 217 MHz,采用 FBGA-256 封装。Microchip Technology · 封装:FBGA-256
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 177 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.575 V、工作电源电压 1.2~1.5 V、最大工作频率 526.32 MHz, 892.86 MHz,采用 FBGA-256 封装。Microchip Technology · 封装:FBGA-256
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 177 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.575 V、工作电源电压 1.2~1.5 V、最大工作频率 526.32 MHz, 892.86 MHz,采用 FBGA-256 封装。Microchip Technology · 封装:CSP-281
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 215 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 250 MHz,采用 CSP-281 封装。Microchip Technology · 封装:FBGA-256
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 177 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 892.86 MHz,采用 FBGA-256 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。