LCMXO3D-9400HC-6SG72I
Lattice · 封装：QFN-72
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 432 kbit、输入／输出数 58 个输入／输出、电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.465 V、工作电源电压 2.5 V/3.3 V、最大工作频率 400 MHz，采用 QFN-72 封装。FPGA 与可编程逻辑
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型号列表
27,592 条型号记录LCMXO3LF-640E-5MG132C
Lattice · 封装：CSFBGA-132
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 64 kbit、输入／输出数 104 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、逻辑单元数 640 LE、自适应逻辑模块数（ALM） 320 ALM，采用 CSFBGA-132 封装。LCMXO3D-9400HC-D-EVNG
Lattice
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、逻辑单元数 9400 LE、原产国家或地区 美国。LCMXO3LF-2100C-5TG100I
Lattice · 封装：TQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 74 kbit、输入／输出数 79 个输入／输出、电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.465 V、逻辑单元数 2112 LE、自适应逻辑模块数（ALM） 1056 ALM，采用 TQFP-100 封装。LCMXO3LF-2100C-6MG132C
Lattice · 封装：CSFBGA-132
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 74 kbit、输入／输出数 104 个输入／输出、电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.465 V、逻辑单元数 2112 LE、自适应逻辑模块数（ALM） 1056 ALM，采用 CSFBGA-132 封装。LCMXO3LF-2100C-6MG132I
Lattice · 封装：CSFBGA-132
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 74 kbit、输入／输出数 104 个输入／输出、电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.465 V、逻辑单元数 2112 LE、自适应逻辑模块数（ALM） 1056 ALM，采用 CSFBGA-132 封装。LCMXO3LF-2100C-6TG100C
Lattice · 封装：TQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 74 kbit、输入／输出数 79 个输入／输出、电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.465 V、逻辑单元数 2112 LE、自适应逻辑模块数（ALM） 1056 ALM，采用 TQFP-100 封装。LCMXO3LF-2100C-6TG100I
Lattice · 封装：TQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 74 kbit、输入／输出数 79 个输入／输出、电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.465 V、逻辑单元数 2112 LE、自适应逻辑模块数（ALM） 1056 ALM，采用 TQFP-100 封装。LCMXO3LF-4300C-5MG132C
Lattice · 封装：CSFBGA-132
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 92 kbit、输入／输出数 104 个输入／输出、电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.465 V、逻辑单元数 4320 LE、自适应逻辑模块数（ALM） 2160 ALM，采用 CSFBGA-132 封装。LCMXO3LF-4300E-6MG132I
Lattice · 封装：CSFBGA-132
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 92 kbit、输入／输出数 104 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、逻辑单元数 4320 LE、自适应逻辑模块数（ALM） 2160 ALM，采用 CSFBGA-132 封装。LAMXO3LF-1300C-5BG256E
Lattice · 封装：caBGA-256
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 64 kbit、输入／输出数 206 个输入／输出、电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.465 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V、最大工作频率 400 MHz，采用 caBGA-256 封装。LAV-AT-E70-3CBG484C
Lattice · 封装：FCCSP-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 35.6 Mbit、总存储容量 40.73 Mb、输入／输出数 349 个输入／输出、工作电源电压 820 mV、最大工作频率 2.4 GHz、逻辑单元数 637000 LE，采用 FCCSP-484 封装。LAMXO3LF-1300E-5BG256E
Lattice · 封装：caBGA-256
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 64 kbit、输入／输出数 206 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 400 MHz，采用 caBGA-256 封装。LAMXO3LF-2100C-5BG256E
Lattice · 封装：caBGA-256
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 74 kbit、输入／输出数 206 个输入／输出、电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.465 V、工作电源电压 2.5 V, 3.3 V、最大工作频率 400 MHz，采用 caBGA-256 封装。LAMXO3LF-4300E-5BG256E
Lattice · 封装：caBGA-256
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 92 kbit、输入／输出数 206 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 400 MHz，采用 caBGA-256 封装。LAMXO3LF-4300E-5BG324E
Lattice · 封装：caBGA-324
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 92 kbit、输入／输出数 279 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 400 MHz，采用 caBGA-324 封装。LAV-AT-E30-1ASG410C
Lattice · 封装：FOWLP-410
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 14.4 Mbit、总存储容量 16.5 Mbit、输入／输出数 247 个输入／输出、工作电源电压 820 mV、最大工作频率 2.4 GHz、逻辑单元数 262000 LE，采用 FOWLP-410 封装。LAV-AT-E30-1ASG410I
Lattice · 封装：FOWLP-410
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 14.4 Mbit、总存储容量 16.5 Mbit、输入／输出数 247 个输入／输出、工作电源电压 820 mV、最大工作频率 2.4 GHz、逻辑单元数 262000 LE，采用 FOWLP-410 封装。LAV-AT-E30-1CBG484C
Lattice · 封装：FCCSP-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 14.4 Mbit、总存储容量 16.5 Mbit、输入／输出数 329 个输入／输出、工作电源电压 820 mV、最大工作频率 2.4 GHz、逻辑单元数 262000 LE，采用 FCCSP-484 封装。LAV-AT-E70-2LFG676I
Lattice · 封装：FCBGA-676
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 35.6 Mbit、总存储容量 40.73 Mb、输入／输出数 297 个输入／输出、工作电源电压 820 mV、最大工作频率 2.4 GHz、逻辑单元数 637000 LE，采用 FCBGA-676 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。