XC6VSX315T-1FFG1156C
AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-1156
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 24.75 Mbit、输入/输出数 600 个输入/输出、电源电压(最小值) 950 mV、电源电压(最大值) 1.05 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.6 Gb/s,采用 FCBGA-1156 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-1156
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 24.75 Mbit、输入/输出数 600 个输入/输出、电源电压(最小值) 950 mV、电源电压(最大值) 1.05 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.6 Gb/s,采用 FCBGA-1156 封装。AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-484
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 4.75 Mbit、输入/输出数 285 个输入/输出、电源电压(最小值) 950 mV、电源电压(最大值) 1.05 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.6 Gb/s,采用 FCBGA-484 封装。AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-1156
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 24.75 Mbit、输入/输出数 600 个输入/输出、电源电压(最小值) 1 V、电源电压(最大值) 1 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.6 Gb/s,采用 FCBGA-1156 封装。AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-1156
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 24.75 Mbit、输入/输出数 600 个输入/输出、电源电压(最小值) 1 V、电源电压(最大值) 1 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.6 Gb/s,采用 FCBGA-1156 封装。AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-1156
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 24.75 Mbit、输入/输出数 600 个输入/输出、电源电压(最小值) 1 V、电源电压(最大值) 1 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.6 Gb/s,采用 FCBGA-1156 封装。AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-1156
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 24.75 Mbit、输入/输出数 600 个输入/输出、电源电压(最小值) 1 V、电源电压(最大值) 1 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.6 Gb/s,采用 FCBGA-1156 封装。AMD / Xilinx · 封装:CSBGA-324
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 4.75 Mbit、输入/输出数 210 个输入/输出、电源电压(最小值) 950 mV、电源电压(最大值) 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 101440 LE,采用 CSBGA-324 封装。AMD / Xilinx · 封装:CSBGA-324
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 4.75 Mbit、输入/输出数 210 个输入/输出、电源电压(最小值) 950 mV、电源电压(最大值) 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 101440 LE,采用 CSBGA-324 封装。AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-484
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 4.75 Mbit、输入/输出数 285 个输入/输出、电源电压(最小值) 950 mV、电源电压(最大值) 1.05 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.6 Gb/s,采用 FCBGA-484 封装。AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-484
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 4.75 Mbit、输入/输出数 285 个输入/输出、电源电压(最小值) 950 mV、电源电压(最大值) 1.05 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.6 Gb/s,采用 FCBGA-484 封装。AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-676
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 27.95 Mbit、输入/输出数 400 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 3.3 V、工作电源电压 1.2~3.3 V、数据速率 6.6 Gb/s,采用 FCBGA-676 封装。AMD / Xilinx
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是、商品名称 Spartan UltraScale+。AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-676
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 27.95 Mbit、输入/输出数 400 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV、电源电压(最大值) 1.03 V、工作电源电压 1.2~3.3 V、数据速率 12.5 Gb/s,采用 FCBGA-676 封装。AMD / Xilinx · 封装:FBGA-900
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 27.95 Mbit、输入/输出数 500 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV、电源电压(最大值) 1.03 V、工作电源电压 1 V、数据速率 12.5 Gb/s,采用 FBGA-900 封装。AMD / Xilinx · 封装:FBGA-900
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 27.95 Mbit、输入/输出数 500 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 3.3 V、工作电源电压 1.2~3.3 V、数据速率 6.6 Gb/s,采用 FBGA-900 封装。AMD / Xilinx · 封装:FBGA-2104
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 115.2 Mbit、输入/输出数 778 个输入/输出、电源电压(最小值) 850 mV、电源电压(最大值) 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s, 30.5 Gb/s,采用 FBGA-2104 封装。AMD / Xilinx · 封装:FBGA-2104
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 115.2 Mbit、输入/输出数 778 个输入/输出、电源电压(最小值) 850 mV、电源电压(最大值) 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s, 30.5 Gb/s,采用 FBGA-2104 封装。AMD / Xilinx · 封装:FBGA-2104
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 115.2 Mbit、输入/输出数 778 个输入/输出、电源电压(最小值) 850 mV、电源电压(最大值) 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s, 30.5 Gb/s,采用 FBGA-2104 封装。AMD / Xilinx · 封装:FBGA-2104
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 88.6 Mbit、输入/输出数 496 个输入/输出、电源电压(最小值) 850 mV、电源电压(最大值) 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s, 30.5 Gb/s,采用 FBGA-2104 封装。AMD / Xilinx · 封装:FBGA-2104
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 88.6 Mbit、输入/输出数 778 个输入/输出、电源电压(最小值) 850 mV、电源电压(最大值) 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s, 30.5 Gb/s,采用 FBGA-2104 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。