A42MX16-CQ172B
Microchip Technology · 封装：CQFP-172
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 140 个输入／输出、逻辑单元数 608 LE、逻辑门数 24000，采用 CQFP-172 封装。FPGA 与可编程逻辑
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型号列表
27,592 条型号记录A42MX16-CQ172M
Microchip Technology · 封装：CQFP-172
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 140 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、逻辑单元数 608 LE、最小工作温度 - 55 C，采用 CQFP-172 封装。A42MX16-FPQG100
Microchip Technology · 封装：PQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 83 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 608 LE，采用 PQFP-100 封装。A42MX16-FTQG176
Microchip Technology · 封装：TQFP-176
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 140 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 608 LE，采用 TQFP-176 封装。A42MX16-FVQG100
Microchip Technology · 封装：VQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 83 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 608 LE，采用 VQFP-100 封装。A42MX16-PG176B
Microchip Technology · 封装：CPGA-176
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 140 个输入／输出、逻辑单元数 608 LE、逻辑门数 24000，采用 CPGA-176 封装。A40MX02-1PQG100
Microchip Technology · 封装：PQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 57 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 295 LE，采用 PQFP-100 封装。A40MX02-2PLG68I
Microchip Technology · 封装：PLCC-68
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 57 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 295 LE，采用 PLCC-68 封装。A40MX02-1PQG100I
Microchip Technology · 封装：PQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 57 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 295 LE，采用 PQFP-100 封装。A40MX02-1PQG100M
Microchip Technology · 封装：PQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 57 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 295 LE，采用 PQFP-100 封装。A40MX02-1VQG80
Microchip Technology · 封装：VQFP-80
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 57 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 295 LE，采用 VQFP-80 封装。A40MX02-1VQG80I
Microchip Technology · 封装：VQFP-80
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 57 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 295 LE，采用 VQFP-80 封装。A40MX02-1VQG80M
Microchip Technology · 封装：VQFP-80
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 57 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 295 LE，采用 VQFP-80 封装。A40MX02-2PLG44
Microchip Technology · 封装：PLCC-44
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 34 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 295 LE，采用 PLCC-44 封装。A40MX02-2PLG44I
Microchip Technology · 封装：PLCC-44
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 34 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 295 LE，采用 PLCC-44 封装。A40MX02-2PLG68
Microchip Technology · 封装：PLCC-68
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 57 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 295 LE，采用 PLCC-68 封装。A40MX02-3VQG80
Microchip Technology · 封装：VQFP-80
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 57 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 295 LE，采用 VQFP-80 封装。AX250-1FG256
Microchip Technology · 封装：FBGA-250
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 138 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 763 MHz，采用 FBGA-250 封装。A40MX02-3VQG80I
Microchip Technology · 封装：VQFP-80
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 57 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 295 LE，采用 VQFP-80 封装。A40MX02-FPLG44
Microchip Technology · 封装：PLCC-44
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 34 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 295 LE，采用 PLCC-44 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。