M2GL010TS-1VFG256I
Microchip Technology · 封装：LFBGA-256
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 138 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 12084 LE，采用 LFBGA-256 封装。FPGA 与可编程逻辑
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型号列表
27,592 条型号记录M2GL025-1FG484
Microchip Technology · 封装：FPBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 267 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 27696 LE，采用 FPBGA-484 封装。M2GL025-1VF256I
Microchip Technology · 封装：LFBGA-256
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 138 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 27696 LE，采用 LFBGA-256 封装。M2GL025-1VF256
Microchip Technology · 封装：LFBGA-256
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 138 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 27696 LE，采用 LFBGA-256 封装。M2GL025-1FGG484I
Microchip Technology · 封装：FPBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 267 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 27696 LE，采用 FPBGA-484 封装。M2GL025-1FGG484
Microchip Technology · 封装：FPBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 267 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 27696 LE，采用 FPBGA-484 封装。M2GL025-1FG484I
Microchip Technology · 封装：FPBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 267 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 27696 LE，采用 FPBGA-484 封装。M2GL010TS-1FG484
Microchip Technology · 封装：PBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 233 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 12084 LE，采用 PBGA-484 封装。M2GL010TS-1VF400
Microchip Technology · 封装：LFBGA-400
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 195 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 12084 LE，采用 LFBGA-400 封装。M2GL010TS-1VF256I
Microchip Technology · 封装：LFBGA-256
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 138 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 12084 LE，采用 LFBGA-256 封装。M2GL010TS-1VF256
Microchip Technology · 封装：LFBGA-256
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 138 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 12084 LE，采用 LFBGA-256 封装。M2GL010TS-1FGG484M
Microchip Technology · 封装：PBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 233 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 12084 LE，采用 PBGA-484 封装。M2GL010TS-1FGG484I
Microchip Technology · 封装：PBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 233 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 12084 LE，采用 PBGA-484 封装。M2GL010TS-1FGG484
Microchip Technology · 封装：PBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 233 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 12084 LE，采用 PBGA-484 封装。M2GL010TS-1FG484M
Microchip Technology · 封装：PBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 233 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 12084 LE，采用 PBGA-484 封装。M2GL010TS-1FG484I
Microchip Technology · 封装：PBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 233 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 12084 LE，采用 PBGA-484 封装。A42MX16-3VQG100
Microchip Technology · 封装：VQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 83 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 608 LE，采用 VQFP-100 封装。A42MX16-PQG100
Microchip Technology · 封装：PQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 83 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 608 LE，采用 PQFP-100 封装。A42MX16-3VQG100I
Microchip Technology · 封装：VQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 83 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 608 LE，采用 VQFP-100 封装。A42MX16-CQ172
Microchip Technology · 封装：CQFP-172
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 140 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、逻辑单元数 608 LE、最小工作温度 0 C，采用 CQFP-172 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。