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FPGA 与可编程逻辑

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M1AGL600V2-CSG281

Microchip Technology

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.5 V、工作电源电压 1.2~1.5 V、原产国家或地区 中国、湿敏性 是。

M1AGL600V2-CS281I

Microchip Technology

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.5 V、工作电源电压 1.2~1.5 V、原产国家或地区 中国、湿敏性 是。

M1AGL600V2-CS281

Microchip Technology

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.5 V、工作电源电压 1.2~1.5 V、原产国家或地区 中国、湿敏性 是。

M1AGL250V5-VQG100I

Microchip Technology · 封装:VQFP-100

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 68 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、逻辑单元数 3000 LE,采用 VQFP-100 封装。

M1AGL250V5-VQ100I

Microchip Technology · 封装:VQFP-100

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 68 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、逻辑单元数 3000 LE,采用 VQFP-100 封装。

M1AGL250V2-FG144

Microchip Technology · 封装:FBGA-144

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 97 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.575 V、工作电源电压 1.2~1.5 V、逻辑单元数 3000 LE,采用 FBGA-144 封装。

M1AGL1000V5-FGG484I

Microchip Technology · 封装:FPBGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、逻辑单元数 11000 LE、湿敏性 是、商品名称 IGLOOe,采用 FPBGA-484 封装。

M1AGL1000V5-CS281

Microchip Technology · 封装:CSP-281

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、逻辑单元数 11000 LE、湿敏性 是、商品名称 IGLOOe,采用 CSP-281 封装。

M1AFS600-FG256I

Microchip Technology · 封装:FBGA-256

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 119 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 1.0989 GHz,采用 FBGA-256 封装。

M1A3P600-FGG484

Microchip Technology · 封装:FBGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 109 kbit、输入/输出数 235 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 350 MHz,采用 FBGA-484 封装。

M1AFS600-FG256

Microchip Technology · 封装:FBGA-256

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 119 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 1.0989 GHz,采用 FBGA-256 封装。

M1AFS600-2FGG484

Microchip Technology · 封装:FBGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 172 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 1.47059 GHz,采用 FBGA-484 封装。

M1AFS600-1FGG256I

Microchip Technology · 封装:FBGA-256

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 119 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 1.28205 GHz,采用 FBGA-256 封装。

M1A3P600L-FG484I

Microchip Technology · 封装:FBGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 235 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 781.25 MHz,采用 FBGA-484 封装。

M1A3P600L-FG484

Microchip Technology · 封装:FBGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 235 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 781.25 MHz,采用 FBGA-484 封装。

M1A3P600L-1FG144I

Microchip Technology · 封装:FBGA-144

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 97 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 892.86 MHz,采用 FBGA-144 封装。

M1A3P600L-1FG144

Microchip Technology · 封装:FBGA-144

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 97 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 892.86 MHz,采用 FBGA-144 封装。

M1A3P600-FGG484I

Microchip Technology · 封装:FBGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 235 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 231 MHz,采用 FBGA-484 封装。

M1A3P600-FGG256I

Microchip Technology · 封装:FBGA-256

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 177 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 231 MHz,采用 FBGA-256 封装。

M1A3P250-VQG100

Microchip Technology · 封装:VQFP-100

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 68 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 231 MHz,采用 VQFP-100 封装。

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