M1A3PE3000-2FGG324I
Microchip Technology
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、湿敏性 是、商品名称 ProASIC3。FPGA 与可编程逻辑
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27,592 条型号记录M1A3PE3000-2FG324I
Microchip Technology
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、湿敏性 是、商品名称 ProASIC3。M1A3PE3000-2FG324
Microchip Technology
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、湿敏性 是、商品名称 ProASIC3。M1A3PE3000-1FGG896I
Microchip Technology · 封装：FBGA-896
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 620 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 272 MHz，采用 FBGA-896 封装。M2GL060TS-VF400I
Microchip Technology · 封装：LFBGA-400
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 207 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 56520 LE，采用 LFBGA-400 封装。M2GL090T-1FG676I
Microchip Technology · 封装：PBGA-676
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.53 Mbit、输入／输出数 425 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、数据速率 667 Mb/s，采用 PBGA-676 封装。M2GL090-1FG484I
Microchip Technology · 封装：PBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 267 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 86184 LE，采用 PBGA-484 封装。M2GL090-1FCSG325I
Microchip Technology · 封装：TFBGA-325
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 180 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 86184 LE，采用 TFBGA-325 封装。M2GL090-1FCSG325
Microchip Technology · 封装：TFBGA-325
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 180 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 86184 LE，采用 TFBGA-325 封装。M2GL090-1FCS325I
Microchip Technology · 封装：TFBGA-325
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 180 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 86184 LE，采用 TFBGA-325 封装。M2GL060TS-FGG676I
Microchip Technology · 封装：PBGA-676
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 387 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 56520 LE，采用 PBGA-676 封装。M2GL060T-VFG784
Microchip Technology · 封装：FBGA-784
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、逻辑单元数 56500 LE、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 85 C，采用 FBGA-784 封装。M2GL060TS-FGG676
Microchip Technology · 封装：PBGA-676
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 387 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 56520 LE，采用 PBGA-676 封装。M2GL060TS-FGG484I
Microchip Technology · 封装：PBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 267 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 56520 LE，采用 PBGA-484 封装。M2GL060TS-FCSG325I
Microchip Technology · 封装：TFBGA-325
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 200 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 56520 LE，采用 TFBGA-325 封装。M2GL060TS-FCSG325
Microchip Technology · 封装：TFBGA-325
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 200 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 56520 LE，采用 TFBGA-325 封装。M2GL060TS-FCS325I
Microchip Technology · 封装：TFBGA-325
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 200 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 56520 LE，采用 TFBGA-325 封装。M2GL060TS-FCS325
Microchip Technology · 封装：TFBGA-325
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 200 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 56520 LE，采用 TFBGA-325 封装。M2GL060TS-1VFG784I
Microchip Technology · 封装：FBGA-784
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、逻辑单元数 56500 LE、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 100 C，采用 FBGA-784 封装。M2GL060TS-1FCSG325I
Microchip Technology · 封装：TFBGA-325
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 200 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 56520 LE，采用 TFBGA-325 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。