MPF100T-1FCSG325E
Microchip Technology · 封装：BGA-325
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 7.6 Mbit、输入／输出数 296 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV/1.02 V、电源电压（最大值） 1.03 V/1.08 V、逻辑单元数 109000 LE、原产国家或地区 韩国，采用 BGA-325 封装。FPGA 与可编程逻辑
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型号列表
27,592 条型号记录MPF100T-1FCG484I
Microchip Technology · 封装：BGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 7.6 Mbit、输入／输出数 296 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV/1.02 V、电源电压（最大值） 1.03 V/1.08 V、逻辑单元数 109000 LE、原产国家或地区 韩国，采用 BGA-484 封装。AT94K10AL-25BQU
Microchip Technology · 封装：LQFP-144
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 LQFP-144 封装。P1AFS1500-2FG256
Microchip Technology
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、湿敏性 是、商品名称 Fusion。AT94K10AL-25DQU
Microchip Technology · 封装：PQFP-208
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 PQFP-208 封装。AT94K40AL-25BQU
Microchip Technology · 封装：LQFP-144
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 LQFP-144 封装。P1AFS1500-2FG484I
Microchip Technology
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、湿敏性 是、商品名称 Fusion。P1AFS1500-2FG484
Microchip Technology
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、湿敏性 是、商品名称 Fusion。P1AFS1500-2FG256I
Microchip Technology
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、湿敏性 是、商品名称 Fusion。MPF500TS-FCG784I
Microchip Technology · 封装：BGA-784
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 584 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV/1.02 V、电源电压（最大值） 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1.05 V、湿敏性 是，采用 BGA-784 封装。MPF300TL-FCG784E
Microchip Technology · 封装：BGA-784
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 20.6 Mbit、输入／输出数 512 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV/1.02 V、电源电压（最大值） 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1.05 V，采用 BGA-784 封装。MPF500T-FCG1152I
Microchip Technology · 封装：BGA-1152
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 33 Mbit、输入／输出数 584 个输入／输出、工作电源电压 1 V, 1.05 V、电源电压（最大值） 1.08 V、电源电压（最小值） 970 mV、数据速率 12.5 Gb/s，采用 BGA-1152 封装。MPF500T-FCG1152E
Microchip Technology · 封装：BGA-1152
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 33 Mbit、输入／输出数 584 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV、电源电压（最大值） 1.08 V、工作电源电压 1 V, 1.05 V、数据速率 12.5 Gb/s，采用 BGA-1152 封装。MPF500T-1FCG784I
Microchip Technology · 封装：BGA-784
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 584 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV/1.02 V、电源电压（最大值） 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1.05 V、原产国家或地区 韩国，采用 BGA-784 封装。MPF500T-1FCG784E
Microchip Technology · 封装：BGA-784
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 584 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV/1.02 V、电源电压（最大值） 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1.05 V、湿敏性 是，采用 BGA-784 封装。MPF500T-1FCG1152I
Microchip Technology · 封装：BGA-1152
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 584 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV/1.02 V、电源电压（最大值） 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1.05 V、原产国家或地区 韩国，采用 BGA-1152 封装。MPF300TL-FCSG536I
Microchip Technology · 封装：BGA-536
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 20.6 Mbit、总存储容量 20.6 Mbit、输入／输出数 512 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV、电源电压（最大值） 1.08 V、工作电源电压 1 V, 1.05 V，采用 BGA-536 封装。MPF300TL-FCSG536E
Microchip Technology · 封装：BGA-536
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 20.6 Mbit、输入／输出数 512 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV/1.02 V、电源电压（最大值） 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1.05 V，采用 BGA-536 封装。MPF300TL-FCG784I
Microchip Technology · 封装：BGA-784
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 20.6 Mbit、输入／输出数 512 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV/1.02 V、电源电压（最大值） 1.03 V/1.08 V、工作电源电压 1.05 V，采用 BGA-784 封装。M2GL060T-VFG400I
Microchip Technology · 封装：VFPBGA-400
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 207 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 56520 LE，采用 VFPBGA-400 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。