A3P600-1FGG256
Microchip Technology · 封装：FBGA-256
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 177 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 272 MHz，采用 FBGA-256 封装。FPGA 与可编程逻辑
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27,592 条型号记录A3P600-1FGG256I
Microchip Technology · 封装：FBGA-256
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 177 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 272 MHz，采用 FBGA-256 封装。A3P600-1FGG484
Microchip Technology · 封装：FBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 235 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 272 MHz，采用 FBGA-484 封装。A40MX04-1VQG80
Microchip Technology · 封装：VQFP-80
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 69 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 547 LE，采用 VQFP-80 封装。A42MX09-1PQG100I
Microchip Technology · 封装：PQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 83 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 336 LE，采用 PQFP-100 封装。A40MX04-1VQG80I
Microchip Technology · 封装：VQFP-80
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 69 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 547 LE，采用 VQFP-80 封装。A40MX04-1VQG80M
Microchip Technology · 封装：VQFP-80
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 69 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 547 LE，采用 VQFP-80 封装。A40MX04-2PLG44
Microchip Technology · 封装：PLCC-44
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 34 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 547 LE，采用 PLCC-44 封装。A40MX04-2PLG44I
Microchip Technology · 封装：PLCC-44
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 34 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 547 LE，采用 PLCC-44 封装。A40MX04-VQG80A
Microchip Technology · 封装：VQFP-80
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 69 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、逻辑单元数 547 LE，采用 VQFP-80 封装。A40MX04-VQG80I
Microchip Technology · 封装：VQFP-80
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 69 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 547 LE，采用 VQFP-80 封装。A40MX04-VQG80M
Microchip Technology · 封装：VQFP-80
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 69 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 547 LE，采用 VQFP-80 封装。A42MX09-1PQG100
Microchip Technology · 封装：PQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 83 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 336 LE，采用 PQFP-100 封装。A42MX16-1TQG176M
Microchip Technology · 封装：TQFP-176
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 140 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 608 LE，采用 TQFP-176 封装。A42MX24-TQG176M
Microchip Technology · 封装：TQFP-176
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 150 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 912 LE，采用 TQFP-176 封装。A42MX16-1VQG100
Microchip Technology · 封装：VQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 83 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 608 LE，采用 VQFP-100 封装。A42MX16-1VQG100I
Microchip Technology · 封装：VQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 83 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 608 LE，采用 VQFP-100 封装。A42MX16-VQG100I
Microchip Technology · 封装：VQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 83 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 608 LE，采用 VQFP-100 封装。A42MX16-VQG100M
Microchip Technology · 封装：VQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 83 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 608 LE，采用 VQFP-100 封装。A42MX24-PLG84I
Microchip Technology · 封装：PLCC-84
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 72 个输入／输出、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 912 LE，采用 PLCC-84 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。