XC7K420T-3FFG1156E
AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-1156
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 29.36 Mbit、输入/输出数 400 个输入/输出、电源电压(最小值) 1 V、电源电压(最大值) 1 V、工作电源电压 1 V、数据速率 12.5 Gb/s,采用 FCBGA-1156 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-1156
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 29.36 Mbit、输入/输出数 400 个输入/输出、电源电压(最小值) 1 V、电源电压(最大值) 1 V、工作电源电压 1 V、数据速率 12.5 Gb/s,采用 FCBGA-1156 封装。AMD / Xilinx · 封装:FBGA-2104
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 115.2 Mbit、输入/输出数 778 个输入/输出、电源电压(最小值) 850 mV、电源电压(最大值) 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s, 30.5 Gb/s,采用 FBGA-2104 封装。AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-901
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 29.36 Mbit、输入/输出数 380 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 3.3 V、工作电源电压 1.2~3.3 V、数据速率 6.6 Gb/s,采用 FCBGA-901 封装。AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-1156
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 33.57 Mbit、输入/输出数 400 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV、电源电压(最大值) 1.03 V、工作电源电压 1 V、数据速率 12.5 Gb/s,采用 FCBGA-1156 封装。AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-1156
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 33.57 Mbit、输入/输出数 400 个输入/输出、电源电压(最小值) 1 V、电源电压(最大值) 1 V、工作电源电压 1 V、数据速率 12.5 Gb/s,采用 FCBGA-1156 封装。AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-901
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 33.57 Mbit、输入/输出数 380 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 3.3 V、工作电源电压 1.2~3.3 V、数据速率 6.6 Gb/s,采用 FCBGA-901 封装。AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-676
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 4.75 Mbit、输入/输出数 300 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 3.3 V、工作电源电压 1.2~3.3 V、数据速率 6.6 Gb/s,采用 FCBGA-676 封装。AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-676
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 4.75 Mbit、输入/输出数 300 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV、电源电压(最大值) 1.03 V、工作电源电压 1.2~3.3 V、数据速率 12.5 Gb/s,采用 FCBGA-676 封装。AMD / Xilinx · 封装:FBGA-2104
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 132.9 Mbit、输入/输出数 778 个输入/输出、电源电压(最小值) 850 mV、电源电压(最大值) 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s, 30.5 Gb/s,采用 FBGA-2104 封装。AMD / Xilinx · 封装:FBGA-2104
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 132.9 Mbit、输入/输出数 778 个输入/输出、电源电压(最小值) 850 mV、电源电压(最大值) 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s, 30.5 Gb/s,采用 FBGA-2104 封装。AMD / Xilinx · 封装:CSBGA-196
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 180 kbit、输入/输出数 100 个输入/输出、电源电压(最小值) 1 V、电源电压(最大值) 1 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 6000 LE,采用 CSBGA-196 封装。AMD / Xilinx · 封装:CSBGA-196
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 180 kbit、输入/输出数 100 个输入/输出、电源电压(最小值) 950 mV、电源电压(最大值) 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 6000 LE,采用 CSBGA-196 封装。AMD / Xilinx · 封装:CSBGA-196
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 180 kbit、输入/输出数 100 个输入/输出、电源电压(最小值) 1 V、电源电压(最大值) 1 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 6000 LE,采用 CSBGA-196 封装。AMD / Xilinx · 封装:CSBGA-196
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 2.64 Mbit、输入/输出数 100 个输入/输出、电源电压(最小值) 920 mV、电源电压(最大值) 980 mV、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 52160 LE,采用 CSBGA-196 封装。AMD / Xilinx · 封装:FBGA-484
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 2.64 Mbit、输入/输出数 250 个输入/输出、电源电压(最小值) 950 mV、电源电压(最大值) 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 52160 LE,采用 FBGA-484 封装。AMD / Xilinx · 封装:CSBGA-196
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 2.64 Mbit、输入/输出数 100 个输入/输出、电源电压(最小值) 950 mV、电源电压(最大值) 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 52160 LE,采用 CSBGA-196 封装。AMD / Xilinx · 封装:CSBGA-196
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 360 kbit、输入/输出数 100 个输入/输出、电源电压(最小值) 1 V、电源电压(最大值) 1 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 12800 LE,采用 CSBGA-196 封装。AMD / Xilinx · 封装:FBGA-1517
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 75.9 Mbit、输入/输出数 672 个输入/输出、电源电压(最小值) 850 mV、电源电压(最大值) 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s,采用 FBGA-1517 封装。AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-1156
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 59.1 Mbit、输入/输出数 548 个输入/输出、电源电压(最小值) 850 mV、电源电压(最大值) 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s,采用 FCBGA-1156 封装。AMD / Xilinx · 封装:FBGA-1517
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 75.9 Mbit、输入/输出数 672 个输入/输出、电源电压(最小值) 850 mV、电源电压(最大值) 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s,采用 FBGA-1517 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。