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FPGA 与可编程逻辑

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XC7A200T-L1FBG484I

AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 12.83 Mbit、输入/输出数 285 个输入/输出、电源电压(最小值) 950 mV、电源电压(最大值) 1.05 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.6 Gb/s,采用 FCBGA-484 封装。

XC7A50T-3FGG484E

AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 2.64 Mbit、输入/输出数 250 个输入/输出、电源电压(最小值) 950 mV、电源电压(最大值) 1.05 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.6 Gb/s,采用 FCBGA-484 封装。

XC7A200T-L1FBG676I

AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-676

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 12.83 Mbit、输入/输出数 400 个输入/输出、电源电压(最小值) 950 mV、电源电压(最大值) 1.05 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.6 Gb/s,采用 FCBGA-676 封装。

XC7A200T-L1SBG484I

AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 12.83 Mbit、输入/输出数 285 个输入/输出、电源电压(最小值) 950 mV、电源电压(最大值) 1.05 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.6 Gb/s,采用 FCBGA-484 封装。

XC7A200T-L2FBG484E

AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 12.83 Mbit、输入/输出数 285 个输入/输出、电源电压(最小值) 950 mV、电源电压(最大值) 1.05 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.6 Gb/s,采用 FCBGA-484 封装。

XC7A200T-L2FBG676E

AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-676

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 12.83 Mbit、输入/输出数 400 个输入/输出、电源电压(最小值) 950 mV、电源电压(最大值) 1.05 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.6 Gb/s,采用 FCBGA-676 封装。

XC7A35T-3FGG484E

AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 1.76 Mbit、输入/输出数 250 个输入/输出、电源电压(最小值) 950 mV、电源电压(最大值) 1.05 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.6 Gb/s,采用 FCBGA-484 封装。

XC7A50T-2FTG256I

AMD / Xilinx · 封装:FBGA-256

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 2.64 Mbit、输入/输出数 170 个输入/输出、电源电压(最小值) 950 mV、电源电压(最大值) 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 52160 LE,采用 FBGA-256 封装。

XC7A50T-3CPG236E

AMD / Xilinx · 封装:CSBGA-236

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 2.64 Mbit、输入/输出数 106 个输入/输出、电源电压(最小值) 1 V、电源电压(最大值) 1 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.25 Gb/s,采用 CSBGA-236 封装。

XC7A50T-3CSG325E

AMD / Xilinx · 封装:CSBGA-325

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 2.64 Mbit、输入/输出数 150 个输入/输出、电源电压(最小值) 950 mV、电源电压(最大值) 1.05 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.6 Gb/s,采用 CSBGA-325 封装。

XCKU085-2FLVB1760E

AMD / Xilinx · 封装:FBGA-1760

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 56.9 Mbit、输入/输出数 720 个输入/输出、电源电压(最小值) 850 mV、电源电压(最大值) 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s,采用 FBGA-1760 封装。

XCKU035-1FFVA1156C

AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-1156

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 19 Mbit、输入/输出数 520 个输入/输出、电源电压(最小值) 922 mV、电源电压(最大值) 979 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s,采用 FCBGA-1156 封装。

XCKU085-2FLVA1517I

AMD / Xilinx · 封装:FBGA-1517

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 56.9 Mbit、输入/输出数 620 个输入/输出、电源电压(最小值) 850 mV、电源电压(最大值) 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s,采用 FBGA-1517 封装。

XCKU060-2FFVA1156E

AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-1156

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 38 Mbit、输入/输出数 520 个输入/输出、电源电压(最小值) 922 mV、电源电压(最大值) 979 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s,采用 FCBGA-1156 封装。

XCKU060-1FFVA1517I

AMD / Xilinx · 封装:FBGA-1517

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 38 Mbit、输入/输出数 624 个输入/输出、电源电压(最小值) 922 mV、电源电压(最大值) 979 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s,采用 FBGA-1517 封装。

XCKU060-1FFVA1517C

AMD / Xilinx · 封装:FBGA-1517

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 38 Mbit、输入/输出数 624 个输入/输出、电源电压(最小值) 922 mV、电源电压(最大值) 979 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s,采用 FBGA-1517 封装。

XCKU060-1FFVA1156I

AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-1156

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 38 Mbit、输入/输出数 520 个输入/输出、电源电压(最小值) 922 mV、电源电压(最大值) 979 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s,采用 FCBGA-1156 封装。

XCKU060-1FFVA1156C

AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-1156

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 38 Mbit、输入/输出数 548 个输入/输出、电源电压(最小值) 850 mV、电源电压(最大值) 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s,采用 FCBGA-1156 封装。

XCKU040-L1SFVA784I

AMD / Xilinx · 封装:FBGA-784

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 21.1 Mbit、输入/输出数 476 个输入/输出、电源电压(最小值) 850 mV、电源电压(最大值) 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s,采用 FBGA-784 封装。

XCKU040-1FBVA900C

AMD / Xilinx · 封装:FBGA-900

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 21.1 Mbit、输入/输出数 484 个输入/输出、电源电压(最小值) 850 mV、电源电压(最大值) 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s,采用 FBGA-900 封装。

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