XC7A200T-L1FBG484I
AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-484
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 12.83 Mbit、输入/输出数 285 个输入/输出、电源电压(最小值) 950 mV、电源电压(最大值) 1.05 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.6 Gb/s,采用 FCBGA-484 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-484
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 12.83 Mbit、输入/输出数 285 个输入/输出、电源电压(最小值) 950 mV、电源电压(最大值) 1.05 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.6 Gb/s,采用 FCBGA-484 封装。AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-484
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 2.64 Mbit、输入/输出数 250 个输入/输出、电源电压(最小值) 950 mV、电源电压(最大值) 1.05 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.6 Gb/s,采用 FCBGA-484 封装。AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-676
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 12.83 Mbit、输入/输出数 400 个输入/输出、电源电压(最小值) 950 mV、电源电压(最大值) 1.05 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.6 Gb/s,采用 FCBGA-676 封装。AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-484
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 12.83 Mbit、输入/输出数 285 个输入/输出、电源电压(最小值) 950 mV、电源电压(最大值) 1.05 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.6 Gb/s,采用 FCBGA-484 封装。AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-484
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 12.83 Mbit、输入/输出数 285 个输入/输出、电源电压(最小值) 950 mV、电源电压(最大值) 1.05 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.6 Gb/s,采用 FCBGA-484 封装。AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-676
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 12.83 Mbit、输入/输出数 400 个输入/输出、电源电压(最小值) 950 mV、电源电压(最大值) 1.05 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.6 Gb/s,采用 FCBGA-676 封装。AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-484
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 1.76 Mbit、输入/输出数 250 个输入/输出、电源电压(最小值) 950 mV、电源电压(最大值) 1.05 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.6 Gb/s,采用 FCBGA-484 封装。AMD / Xilinx · 封装:FBGA-256
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 2.64 Mbit、输入/输出数 170 个输入/输出、电源电压(最小值) 950 mV、电源电压(最大值) 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 52160 LE,采用 FBGA-256 封装。AMD / Xilinx · 封装:CSBGA-236
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 2.64 Mbit、输入/输出数 106 个输入/输出、电源电压(最小值) 1 V、电源电压(最大值) 1 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.25 Gb/s,采用 CSBGA-236 封装。AMD / Xilinx · 封装:CSBGA-325
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 2.64 Mbit、输入/输出数 150 个输入/输出、电源电压(最小值) 950 mV、电源电压(最大值) 1.05 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.6 Gb/s,采用 CSBGA-325 封装。AMD / Xilinx · 封装:FBGA-1760
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 56.9 Mbit、输入/输出数 720 个输入/输出、电源电压(最小值) 850 mV、电源电压(最大值) 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s,采用 FBGA-1760 封装。AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-1156
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 19 Mbit、输入/输出数 520 个输入/输出、电源电压(最小值) 922 mV、电源电压(最大值) 979 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s,采用 FCBGA-1156 封装。AMD / Xilinx · 封装:FBGA-1517
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 56.9 Mbit、输入/输出数 620 个输入/输出、电源电压(最小值) 850 mV、电源电压(最大值) 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s,采用 FBGA-1517 封装。AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-1156
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 38 Mbit、输入/输出数 520 个输入/输出、电源电压(最小值) 922 mV、电源电压(最大值) 979 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s,采用 FCBGA-1156 封装。AMD / Xilinx · 封装:FBGA-1517
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 38 Mbit、输入/输出数 624 个输入/输出、电源电压(最小值) 922 mV、电源电压(最大值) 979 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s,采用 FBGA-1517 封装。AMD / Xilinx · 封装:FBGA-1517
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 38 Mbit、输入/输出数 624 个输入/输出、电源电压(最小值) 922 mV、电源电压(最大值) 979 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s,采用 FBGA-1517 封装。AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-1156
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 38 Mbit、输入/输出数 520 个输入/输出、电源电压(最小值) 922 mV、电源电压(最大值) 979 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s,采用 FCBGA-1156 封装。AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-1156
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 38 Mbit、输入/输出数 548 个输入/输出、电源电压(最小值) 850 mV、电源电压(最大值) 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s,采用 FCBGA-1156 封装。AMD / Xilinx · 封装:FBGA-784
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 21.1 Mbit、输入/输出数 476 个输入/输出、电源电压(最小值) 850 mV、电源电压(最大值) 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s,采用 FBGA-784 封装。AMD / Xilinx · 封装:FBGA-900
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 21.1 Mbit、输入/输出数 484 个输入/输出、电源电压(最小值) 850 mV、电源电压(最大值) 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s,采用 FBGA-900 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。