XC5VFX30T-3FFG665C
AMD / Xilinx · 封装:FBGA-665
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 2.39 Mbit、输入/输出数 360 个输入/输出、电源电压(最小值) 1 V、电源电压(最大值) 1 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.5 Gb/s,采用 FBGA-665 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
AMD / Xilinx · 封装:FBGA-665
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 2.39 Mbit、输入/输出数 360 个输入/输出、电源电压(最小值) 1 V、电源电压(最大值) 1 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.5 Gb/s,采用 FBGA-665 封装。AMD / Xilinx · 封装:FBGA-1136
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 5.2 Mbit、输入/输出数 640 个输入/输出、电源电压(最小值) 950 mV、电源电压(最大值) 1.05 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.5 Gb/s,采用 FBGA-1136 封装。AMD / Xilinx · 封装:FBGA-1136
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 5.2 Mbit、输入/输出数 640 个输入/输出、电源电压(最小值) 950 mV、电源电压(最大值) 1.05 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.5 Gb/s,采用 FBGA-1136 封装。AMD / Xilinx · 封装:CSBGA-236
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 2.64 Mbit、输入/输出数 106 个输入/输出、电源电压(最小值) 950 mV、电源电压(最大值) 1.05 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.6 Gb/s,采用 CSBGA-236 封装。AMD / Xilinx · 封装:FBGA-900
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 15.64 Mbit、输入/输出数 500 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 3.3 V、工作电源电压 1.2~3.3 V、数据速率 6.6 Gb/s,采用 FBGA-900 封装。AMD / Xilinx · 封装:FBGA-256
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 3.69 kbit、输入/输出数 170 个输入/输出、电源电压(最小值) 950 mV、电源电压(最大值) 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 75520 LE,采用 FBGA-256 封装。AMD / Xilinx · 封装:FBGA-256
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 3.69 kbit、输入/输出数 170 个输入/输出、电源电压(最小值) 1 V、电源电压(最大值) 1 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.25 Gb/s,采用 FBGA-256 封装。AMD / Xilinx · 封装:CSBGA-324
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 3.69 kbit、输入/输出数 210 个输入/输出、电源电压(最小值) 950 mV、电源电压(最大值) 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 75520 LE,采用 CSBGA-324 封装。AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-676
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 15.64 Mbit、输入/输出数 400 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 3.3 V、工作电源电压 1.2~3.3 V、数据速率 6.6 Gb/s,采用 FCBGA-676 封装。AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-676
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 15.64 Mbit、输入/输出数 400 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 3.3 V、工作电源电压 1.2~3.3 V、数据速率 6.6 Gb/s,采用 FCBGA-676 封装。AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-676
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 15.64 Mbit、输入/输出数 400 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 3.3 V、工作电源电压 1.2~3.3 V、数据速率 6.6 Gb/s,采用 FCBGA-676 封装。AMD / Xilinx · 封装:FBGA-900
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 15.64 Mbit、输入/输出数 500 个输入/输出、电源电压(最小值) 1 V、电源电压(最大值) 1 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.6 Gb/s,采用 FBGA-900 封装。AMD / Xilinx · 封装:FBGA-900
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 19 Mbit、输入/输出数 484 个输入/输出、电源电压(最小值) 850 mV、电源电压(最大值) 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s,采用 FBGA-900 封装。AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-1761
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 51.68 Mbit、输入/输出数 850 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 3.3 V、工作电源电压 1.2~3.3 V、数据速率 28.05 Gb/s,采用 FCBGA-1761 封装。AMD / Xilinx · 封装:FBGA-900
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 19 Mbit、输入/输出数 468 个输入/输出、电源电压(最小值) 922 mV、电源电压(最大值) 979 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s,采用 FBGA-900 封装。AMD / Xilinx · 封装:FBGA-676
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 19 Mbit、输入/输出数 312 个输入/输出、电源电压(最小值) 922 mV、电源电压(最大值) 979 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s,采用 FBGA-676 封装。AMD / Xilinx · 封装:FBGA-676
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 19 Mbit、输入/输出数 312 个输入/输出、电源电压(最小值) 922 mV、电源电压(最大值) 979 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s,采用 FBGA-676 封装。AMD / Xilinx · 封装:BGA-484
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 5.1 Mbit、输入/输出数 216 个输入/输出、电源电压(最小值) 850 mV、电源电压(最大值) 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 12.5 Gb/s,采用 BGA-484 封装。AMD / Xilinx · 封装:BGA-676
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 5.1 Mbit、输入/输出数 240 个输入/输出、电源电压(最小值) 850 mV、电源电压(最大值) 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 12.5 Gb/s,采用 BGA-676 封装。AMD / Xilinx · 封装:BGA-676
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 5.1 Mbit、输入/输出数 240 个输入/输出、电源电压(最小值) 850 mV、电源电压(最大值) 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 12.5 Gb/s,采用 BGA-676 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。