ChipSourceHub 美芯科技

FPGA 与可编程逻辑

按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。

型号列表

27,592 条型号记录
每页 20 条

GW1NS-LV4CS49C5/I4

GOWIN Semiconductor

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 100 C。

GW1N-UV2QN88A4

GOWIN Semiconductor · 封装:QFN-88

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee,采用 QFN-88 封装。

GW1N-UV4CS72C5/I4

GOWIN Semiconductor · 封装:WLCSP-72

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee,采用 WLCSP-72 封装。

GW1N-UV4CS72C6/I5

GOWIN Semiconductor · 封装:WLCSP-72

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee,采用 WLCSP-72 封装。

GW1N-UV4LQ100A4

GOWIN Semiconductor · 封装:LQFP-100

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee,采用 LQFP-100 封装。

GW1N-UV4LQ100C5/I4

GOWIN Semiconductor · 封装:LQFP-100

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee,采用 LQFP-100 封装。

GW1NS-LV4CCS49C7/I6

GOWIN Semiconductor

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位。

GW1NS-LV4CMG64C6/I5

GOWIN Semiconductor

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 100 C。

GW5AR-LV25UG256PC2/I1

GOWIN Semiconductor

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 100 C。

GW5AS-EV25UG256C1/I0

GOWIN Semiconductor

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 100 C。

GWU2UA1A1N

GOWIN Semiconductor

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位。

GWU2XA1A1N

GOWIN Semiconductor

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位。

XC6SLX100T-3FGG484I

AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 4.71 Mbit、输入/输出数 296 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、数据速率 3.2 Gb/s,采用 FCBGA-484 封装。

XC5VLX155T-1FF1136C

AMD / Xilinx · 封装:FBGA-1136

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 7.45 Mbit、输入/输出数 640 个输入/输出、电源电压(最小值) 1 V、电源电压(最大值) 1 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.5 Gb/s,采用 FBGA-1136 封装。

XC6SLX100T-3FGG676C

AMD / Xilinx · 封装:FBGA-676

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 4.71 Mbit、输入/输出数 376 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、数据速率 800 Mb/s,采用 FBGA-676 封装。

XC6SLX100T-3FGG676I

AMD / Xilinx · 封装:FBGA-676

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 4.71 Mbit、输入/输出数 376 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、数据速率 3.2 Gb/s,采用 FBGA-676 封装。

XC6SLX100T-N3FGG900I

AMD / Xilinx · 封装:FBGA-900

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 4.71 Mbit、输入/输出数 498 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、数据速率 800 Mb/s,采用 FBGA-900 封装。

XC6SLX150-2CSG484C

AMD / Xilinx · 封装:CSBGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 4.71 Mbit、输入/输出数 338 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 1.08 GHz,采用 CSBGA-484 封装。

XC6SLX150-2CSG484I

AMD / Xilinx · 封装:CSBGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 4.71 Mbit、输入/输出数 338 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 1.08 GHz,采用 CSBGA-484 封装。

XC6SLX150-2FG484C

AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 4.71 Mbit、输入/输出数 338 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 1.08 GHz,采用 FCBGA-484 封装。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

芯片型号库|技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技