GW1N-LV2QN32C6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：QFN-32
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee，采用 QFN-32 封装。FPGA 与可编程逻辑
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型号列表
27,592 条型号记录GW1N-LV4PG256C5/I4
GOWIN Semiconductor · 封装：PBGA-256
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee，采用 PBGA-256 封装。GW1N-LV4PG256C6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：PBGA-256
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 207 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 4608 LE，采用 PBGA-256 封装。GW1N-LV4PG256MC5/I4
GOWIN Semiconductor · 封装：PBGA-256
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 207 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 4608 LE，采用 PBGA-256 封装。GW1N-LV4PG256MC6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：PBGA-256
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee，采用 PBGA-256 封装。GW1N-LV4QN32C5/I4
GOWIN Semiconductor · 封装：QFN-32
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee，采用 QFN-32 封装。GW1N-LV4QN88C6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：QFN-88
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 180 kbit、输入／输出数 70 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 4608 LE，采用 QFN-88 封装。GW1NZ-LV1CS16C5/I4
GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 100 C。GW2A-LV18MG196C8/I7
GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 114 个输入／输出、逻辑单元数 20736 LE、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 Arora。GW1NZ-LV1CS16C6/I5
GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 72 kbit、输入／输出数 11 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、逻辑单元数 1152 LE、最小工作温度 0 C。GW1NZ-LV1FN32C5/I4
GOWIN Semiconductor · 封装：QFN-32
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 100 C，采用 QFN-32 封装。GW1NZ-LV1FN32C6/I5
GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 25 个输入／输出、逻辑单元数 1152 LE、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee。GW1NZ-LV1FN32FC6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：QFN-32
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 76 kbit、输入／输出数 25 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V，采用 QFN-32 封装。GW1NZ-ZV1CS16I2
GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 11 个输入／输出、逻辑单元数 1152 LE。GW2A-LV18EQ144C8/I7
GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 120 个输入／输出、逻辑单元数 20736 LE、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 Arora。GW2A-LV18LQ144C8/I7
GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 120 个输入／输出、逻辑单元数 20736 LE、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 Arora。GW2A-LV18MG196C7/I6
GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 100 C。GW1N-LV2MG160C6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：MBGA-160
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、原产国家或地区 中国、湿敏性 是、商品名称 LittleBee，采用 MBGA-160 封装。GW1N-LV1LQ100C6/I5
GOWIN Semiconductor · 封装：LQFP-100
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 72 kbit、输入／输出数 79 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.14 V、电源电压（最大值） 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、逻辑单元数 1152 LE，采用 LQFP-100 封装。GW1N-UV2QN48C7/I6
GOWIN Semiconductor · 封装：QFN-48
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、总存储容量 256 kbit、输入／输出数 40 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.71 V、电源电压（最大值） 3.465 V、工作电源电压 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V，采用 QFN-48 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。