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FPGA 与可编程逻辑

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M1A3P1000-2FGG484

Microchip Technology · 封装:FBGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 300 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 310 MHz,采用 FBGA-484 封装。

A40MX04-2VQG80

Microchip Technology · 封装:VQFP-80

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 69 个输入/输出、电源电压(最小值) 4.75 V、电源电压(最大值) 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 547 LE,采用 VQFP-80 封装。

A40MX04-2PLG68

Microchip Technology · 封装:PLCC-68

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 57 个输入/输出、电源电压(最小值) 4.75 V、电源电压(最大值) 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 547 LE,采用 PLCC-68 封装。

A40MX04-2PLG68I

Microchip Technology · 封装:PLCC-68

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 57 个输入/输出、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 547 LE,采用 PLCC-68 封装。

A40MX04-2PQG100

Microchip Technology · 封装:PQFP-100

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 69 个输入/输出、电源电压(最小值) 4.75 V、电源电压(最大值) 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 547 LE,采用 PQFP-100 封装。

M1A3P1000-FG144

Microchip Technology · 封装:FBGA-144

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 97 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 231 MHz,采用 FBGA-144 封装。

M1A3P1000-FGG144M

Microchip Technology · 封装:FBGA-144

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 97 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 350 MHz,采用 FBGA-144 封装。

M1A3P1000-FG144I

Microchip Technology · 封装:FBGA-144

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 97 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 231 MHz,采用 FBGA-144 封装。

M1A3P1000-FG144M

Microchip Technology · 封装:FBGA-144

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 97 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 350 MHz,采用 FBGA-144 封装。

M1A3P1000-FG256

Microchip Technology · 封装:FBGA-256

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 177 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 231 MHz,采用 FBGA-256 封装。

M1A3P1000-FG256I

Microchip Technology · 封装:FBGA-256

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 177 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 231 MHz,采用 FBGA-256 封装。

M1A3P1000-FG484

Microchip Technology · 封装:FBGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 300 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 231 MHz,采用 FBGA-484 封装。

M1A3P1000-FG484I

Microchip Technology · 封装:FBGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 300 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 231 MHz,采用 FBGA-484 封装。

M1A3P1000-FGG144

Microchip Technology · 封装:FBGA-144

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 97 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 231 MHz,采用 FBGA-144 封装。

M1A3P1000-FGG144I

Microchip Technology · 封装:FBGA-144

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 97 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 231 MHz,采用 FBGA-144 封装。

1SG280HU1F50E1VG

Altera · 封装:FBGA-2397

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 229 Mbit、输入/输出数 1160 个输入/输出、电源电压(最小值) 770 mV、电源电压(最大值) 970 mV、工作电源电压 940 mV、数据速率 28.3 Gb/s,采用 FBGA-2397 封装。

EP3SL70F484C3G

Altera · 封装:FBGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 2.57 Mbit、总存储容量 2214 kbit、输入/输出数 296 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.1 V、电源电压(最大值) 1.1 V、工作电源电压 1.1 V,采用 FBGA-484 封装。

1SG280HU1F50E2LG

Altera · 封装:FBGA-2397

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 229 Mbit、输入/输出数 1160 个输入/输出、电源电压(最小值) 770 mV、电源电压(最大值) 970 mV、工作电源电压 940 mV、数据速率 28.3 Gb/s,采用 FBGA-2397 封装。

1SG085HN3F43I2VG

Altera · 封装:FBGA-1760

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 68 Mbit、输入/输出数 688 个输入/输出、电源电压(最小值) 770 mV、电源电压(最大值) 970 mV、工作电源电压 940 mV、数据速率 28.3 Gb/s,采用 FBGA-1760 封装。

1SG085HN3F43I3VG

Altera · 封装:FBGA-1760

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 68 Mbit、输入/输出数 688 个输入/输出、电源电压(最小值) 770 mV、电源电压(最大值) 970 mV、工作电源电压 940 mV、数据速率 28.3 Gb/s,采用 FBGA-1760 封装。

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