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FPGA 与可编程逻辑

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LFE5U-45F-8TG144I

Lattice · 封装:TQFP-144

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、逻辑单元数 45000 LE、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是,采用 TQFP-144 封装。

A40MX04-FPLG68

Microchip Technology · 封装:PLCC-68

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 57 个输入/输出、电源电压(最小值) 4.75 V、电源电压(最大值) 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 547 LE,采用 PLCC-68 封装。

A40MX04-PQG100M

Microchip Technology · 封装:PQFP-100

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 69 个输入/输出、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 547 LE,采用 PQFP-100 封装。

A40MX04-FVQG80

Microchip Technology · 封装:VQFP-80

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 69 个输入/输出、电源电压(最小值) 4.75 V、电源电压(最大值) 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 547 LE,采用 VQFP-80 封装。

A40MX04-PLG44

Microchip Technology · 封装:PLCC-44

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 34 个输入/输出、电源电压(最小值) 4.75 V、电源电压(最大值) 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 547 LE,采用 PLCC-44 封装。

A40MX04-PLG44I

Microchip Technology · 封装:PLCC-44

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 34 个输入/输出、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 547 LE,采用 PLCC-44 封装。

A40MX04-PLG44M

Microchip Technology · 封装:PLCC-44

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 34 个输入/输出、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 547 LE,采用 PLCC-44 封装。

A40MX04-PLG68

Microchip Technology · 封装:PLCC-68

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 57 个输入/输出、电源电压(最小值) 4.75 V、电源电压(最大值) 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 547 LE,采用 PLCC-68 封装。

A40MX04-PLG68I

Microchip Technology · 封装:PLCC-68

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 57 个输入/输出、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 547 LE,采用 PLCC-68 封装。

A40MX04-PLG68M

Microchip Technology · 封装:PLCC-68

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 57 个输入/输出、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 547 LE,采用 PLCC-68 封装。

A40MX04-PQG100A

Microchip Technology · 封装:PQFP-100

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 69 个输入/输出、电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 5 V、逻辑单元数 547 LE,采用 PQFP-100 封装。

A40MX04-VQG80

Microchip Technology · 封装:VQFP-80

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 69 个输入/输出、电源电压(最小值) 4.75 V、电源电压(最大值) 5.25 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、逻辑单元数 547 LE,采用 VQFP-80 封装。

M1A3P1000-2FGG484I

Microchip Technology · 封装:FBGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 300 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 310 MHz,采用 FBGA-484 封装。

M1A3P1000-2FG256I

Microchip Technology · 封装:FBGA-256

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 177 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 310 MHz,采用 FBGA-256 封装。

M1A3P1000-2FG484

Microchip Technology · 封装:FBGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 300 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 310 MHz,采用 FBGA-484 封装。

M1A3P1000-2FG484I

Microchip Technology · 封装:FBGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 300 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 310 MHz,采用 FBGA-484 封装。

M1A3P1000-2FGG144

Microchip Technology · 封装:FBGA-144

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 97 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 310 MHz,采用 FBGA-144 封装。

M1A3P1000-2FGG144I

Microchip Technology · 封装:FBGA-144

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 97 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 310 MHz,采用 FBGA-144 封装。

M1A3P1000-2FGG256

Microchip Technology · 封装:FBGA-256

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 177 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 310 MHz,采用 FBGA-256 封装。

M1A3P1000-2FGG256I

Microchip Technology · 封装:FBGA-256

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 177 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 310 MHz,采用 FBGA-256 封装。

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