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FPGA 与可编程逻辑

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EP4CE15F23I7N

Altera · 封装：FBGA-484

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 504 kbit、总存储容量 504 kbit、输入／输出数 343 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.2 V，采用 FBGA-484 封装。
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EP4CE15F23I8L

Altera · 封装：FBGA-484

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 504 kbit、总存储容量 504 kbit、输入／输出数 343 个输入／输出、电源电压（最小值） 1 V、电源电压（最大值） 1 V、工作电源电压 1 V，采用 FBGA-484 封装。
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EP4CE15F23I8LN

Altera · 封装：FBGA-484

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 504 kbit、总存储容量 504 kbit、输入／输出数 343 个输入／输出、电源电压（最小值） 1 V、电源电压（最大值） 1 V、工作电源电压 1 V，采用 FBGA-484 封装。
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EP4CE15M8I7N

Altera · 封装：MBGA-164

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 504 kbit、总存储容量 504 kbit、输入／输出数 89 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、工作电源电压 1.2 V，采用 MBGA-164 封装。
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1SG110HN3F43I3VGAS

Altera · 封装：FBGA-1760

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 107 Mbit、输入／输出数 688 个输入／输出、电源电压（最小值） 770 mV、电源电压（最大值） 970 mV、工作电源电压 940 mV、数据速率 28.3 Gb/s，采用 FBGA-1760 封装。
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1SG110HN3F43I1VG

Altera · 封装：FBGA-1760

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 107 Mbit、输入／输出数 688 个输入／输出、电源电压（最小值） 770 mV、电源电压（最大值） 970 mV、工作电源电压 940 mV、数据速率 28.3 Gb/s，采用 FBGA-1760 封装。
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1SG110HN3F43I2LG

Altera · 封装：FBGA-1760

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 107 Mbit、输入／输出数 688 个输入／输出、电源电压（最小值） 770 mV、电源电压（最大值） 970 mV、工作电源电压 940 mV、数据速率 28.3 Gb/s，采用 FBGA-1760 封装。
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1SG110HN3F43I2VG

Altera · 封装：FBGA-1760

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 107 Mbit、输入／输出数 688 个输入／输出、电源电压（最小值） 770 mV、电源电压（最大值） 970 mV、工作电源电压 940 mV、数据速率 28.3 Gb/s，采用 FBGA-1760 封装。
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1SG110HN3F43I3VG

Altera · 封装：FBGA-1760

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 107 Mbit、输入／输出数 688 个输入／输出、电源电压（最小值） 770 mV、电源电压（最大值） 970 mV、工作电源电压 940 mV、数据速率 28.3 Gb/s，采用 FBGA-1760 封装。
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10M40DDF672I7G

Altera

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、电源电压（最小值） 1.15 V、电源电压（最大值） 1.25 V、逻辑单元数 40000 LE、湿敏性 是、商品名称 MAX。
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10M50SCE144C8G

Altera · 封装：EQFP-144

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.6 Mbit、输入／输出数 101 个输入／输出、电源电压（最小值） 2.85 V、电源电压（最大值） 3.465 V、工作电源电压 3 V, 3.3 V、最大工作频率 450 MHz，采用 EQFP-144 封装。
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10M40SAE144C8G

Altera · 封装：EQFP-144

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.23 Mbit、输入／输出数 101 个输入／输出、电源电压（最小值） 2.85 V、电源电压（最大值） 3.465 V、工作电源电压 3 V, 3.3 V、最大工作频率 450 MHz，采用 EQFP-144 封装。
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10M40SAE144I7G

Altera · 封装：EQFP-144

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.23 Mbit、输入／输出数 101 个输入／输出、电源电压（最小值） 2.85 V、电源电压（最大值） 3.465 V、工作电源电压 3 V, 3.3 V、最大工作频率 450 MHz，采用 EQFP-144 封装。
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10M40SCE144A7G

Altera · 封装：EQFP-144

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.23 Mbit、输入／输出数 101 个输入／输出、电源电压（最小值） 2.85 V、电源电压（最大值） 3.465 V、工作电源电压 3 V, 3.3 V、最大工作频率 450 MHz，采用 EQFP-144 封装。
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10M40SCE144C8G

Altera · 封装：EQFP-144

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.23 Mbit、输入／输出数 101 个输入／输出、电源电压（最小值） 2.85 V、电源电压（最大值） 3.465 V、工作电源电压 3 V, 3.3 V、最大工作频率 450 MHz，采用 EQFP-144 封装。
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10M40SCE144I7G

Altera · 封装：EQFP-144

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.23 Mbit、输入／输出数 101 个输入／输出、电源电压（最小值） 2.85 V/3.135 V、电源电压（最大值） 3.15 V/3.465 V、工作电源电压 3.3 V、最大工作频率 450 MHz，采用 EQFP-144 封装。
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10M50SAE144C8G

Altera · 封装：EQFP-144

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.6 Mbit、输入／输出数 101 个输入／输出、电源电压（最小值） 2.85 V、电源电压（最大值） 3.465 V、工作电源电压 3 V, 3.3 V、最大工作频率 450 MHz，采用 EQFP-144 封装。
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10M50SAE144I7G

Altera · 封装：EQFP-144

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.6 Mbit、输入／输出数 101 个输入／输出、电源电压（最小值） 2.85 V、电源电压（最大值） 3.465 V、工作电源电压 3 V, 3.3 V、最大工作频率 450 MHz，采用 EQFP-144 封装。
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10M50SCE144A7G

Altera · 封装：EQFP-144

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.6 Mbit、输入／输出数 101 个输入／输出、电源电压（最小值） 2.85 V、电源电压（最大值） 3.465 V、工作电源电压 3 V, 3.3 V、最大工作频率 450 MHz，采用 EQFP-144 封装。
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1SG250HN3F43I3XG

Altera · 封装：FBGA-1760

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 195 Mbit、输入／输出数 1160 个输入／输出、电源电压（最小值） 770 mV、电源电压（最大值） 970 mV、工作电源电压 940 mV、数据速率 28.3 Gb/s，采用 FBGA-1760 封装。
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