XC7S100-L1FGGA484I
AMD / Xilinx · 封装：FBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 4.22 Mbit、输入／输出数 338 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 102400 LE，采用 FBGA-484 封装。FPGA 与可编程逻辑
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27,592 条型号记录XC7S100-2FGGA676I
AMD / Xilinx · 封装：FBGA-676
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 4.22 Mbit、输入／输出数 400 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 102400 LE，采用 FBGA-676 封装。XC7S100-2FGGA676C
AMD / Xilinx · 封装：FBGA-676
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 4.22 Mbit、输入／输出数 400 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 102400 LE，采用 FBGA-676 封装。XC7S100-2FGGA484I
AMD / Xilinx · 封装：FBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 4.22 Mbit、输入／输出数 338 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 102400 LE，采用 FBGA-484 封装。XC7S100-2FGGA484C
AMD / Xilinx · 封装：FBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 4.22 Mbit、输入／输出数 338 个输入／输出、工作电源电压 1 V、电源电压（最大值） 1.05 V、电源电压（最小值） 950 mV、自适应逻辑模块数（ALM） 16000 ALM，采用 FBGA-484 封装。XC7S100-1FGGA676I
AMD / Xilinx · 封装：FBGA-676
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 4.22 Mbit、输入／输出数 400 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 102400 LE，采用 FBGA-676 封装。XC7S100-1FGGA676C
AMD / Xilinx · 封装：FBGA-676
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 4.22 Mbit、输入／输出数 400 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 102400 LE，采用 FBGA-676 封装。XC7S100-1FGGA484Q
AMD / Xilinx · 封装：FBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 4.22 Mbit、输入／输出数 338 个输入／输出、电源电压（最小值） 1 V、电源电压（最大值） 1 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 102400 LE，采用 FBGA-484 封装。XC7S100-1FGGA484I
AMD / Xilinx · 封装：FBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 4.22 Mbit、输入／输出数 338 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 102400 LE，采用 FBGA-484 封装。XC7S100-1FGGA484C
AMD / Xilinx · 封装：FBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 4.22 Mbit、输入／输出数 338 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 102400 LE，采用 FBGA-484 封装。XC7K70T-L2FBG676E
AMD / Xilinx · 封装：FCBGA-676
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 4.75 Mbit、输入／输出数 300 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 3.3 V、工作电源电压 1.2～3.3 V、数据速率 6.6 Gb/s，采用 FCBGA-676 封装。XC7K70T-L2FBG484E
AMD / Xilinx · 封装：FCBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 4.75 Mbit、输入／输出数 285 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 3.3 V、工作电源电压 1.2～3.3 V、数据速率 10.3 Gb/s，采用 FCBGA-484 封装。XC7K70T-3FBG676E
AMD / Xilinx · 封装：FCBGA-676
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 4.75 Mbit、输入／输出数 300 个输入／输出、电源电压（最小值） 970 mV、电源电压（最大值） 1.03 V、工作电源电压 1.2～3.3 V、数据速率 12.5 Gb/s，采用 FCBGA-676 封装。XC7K70T-3FBG484E
AMD / Xilinx · 封装：FCBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 4.75 Mbit、输入／输出数 285 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 3.3 V、工作电源电压 1.2～3.3 V、数据速率 10.3 Gb/s，采用 FCBGA-484 封装。10AX115N2F45I2SG
Altera · 封装：FBGA-1932
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 52.99 Mbit、输入／输出数 768 个输入／输出、电源电压（最小值） 870 mV、电源电压（最大值） 980 mV、工作电源电压 950 mV、数据速率 17.4 Gb/s，采用 FBGA-1932 封装。10AX115N4F40E3LG
Altera · 封装：FBGA-1517
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 52.99 Mbit、输入／输出数 768 个输入／输出、电源电压（最小值） 870 mV、电源电压（最大值） 980 mV、工作电源电压 950 mV、数据速率 17.4 Gb/s，采用 FBGA-1517 封装。10AX115N3F40E2LG
Altera · 封装：FBGA-1517
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 52.99 Mbit、输入／输出数 768 个输入／输出、电源电压（最小值） 870 mV、电源电压（最大值） 980 mV、工作电源电压 950 mV、数据速率 17.4 Gb/s，采用 FBGA-1517 封装。10AX115N3F40E2SG
Altera · 封装：FBGA-1517
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 52.99 Mbit、输入／输出数 768 个输入／输出、电源电压（最小值） 870 mV、电源电压（最大值） 980 mV、工作电源电压 950 mV、数据速率 17.4 Gb/s，采用 FBGA-1517 封装。10AX115N3F40I2LG
Altera · 封装：FBGA-1517
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 52.99 Mbit、输入／输出数 768 个输入／输出、电源电压（最小值） 870 mV、电源电压（最大值） 980 mV、工作电源电压 950 mV、数据速率 17.4 Gb/s，采用 FBGA-1517 封装。10AX115N3F40I2SG
Altera · 封装：FBGA-1517
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 52.99 Mbit、输入／输出数 768 个输入／输出、电源电压（最小值） 870 mV、电源电压（最大值） 980 mV、工作电源电压 950 mV、数据速率 17.4 Gb/s，采用 FBGA-1517 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。