XC7S50-1FGA484I
AMD / Xilinx · 封装：FBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.64 Mbit、输入／输出数 250 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 52160 LE，采用 FBGA-484 封装。FPGA 与可编程逻辑
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27,592 条型号记录XC7S50-1CSGA324Q
AMD / Xilinx · 封装：CSGA-324
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.64 Mbit、输入／输出数 210 个输入／输出、电源电压（最小值） 1 V、电源电压（最大值） 1 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 52160 LE，采用 CSGA-324 封装。XC7S50-1CSGA324I
AMD / Xilinx · 封装：CSGA-324
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.64 Mbit、输入／输出数 210 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 52160 LE，采用 CSGA-324 封装。XC7S50-1CSGA324C
AMD / Xilinx · 封装：CSGA-324
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 2.64 Mbit、输入／输出数 210 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 52160 LE，采用 CSGA-324 封装。XC7S25-L1FTGB196I
AMD / Xilinx · 封装：CSBGA-196
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.58 Mbit、输入／输出数 100 个输入／输出、电源电压（最小值） 1 V、电源电压（最大值） 1 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 23360 LE，采用 CSBGA-196 封装。XC7S25-L1CSGA324I
AMD / Xilinx · 封装：CSGA-324
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.58 Mbit、输入／输出数 150 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 23360 LE，采用 CSGA-324 封装。XC7S25-L1CSGA225I
AMD / Xilinx · 封装：CSBGA-225
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.58 Mbit、输入／输出数 150 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 23360 LE，采用 CSBGA-225 封装。XC7S25-2FTGB196I
AMD / Xilinx · 封装：CSBGA-196
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.58 Mbit、输入／输出数 100 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 23360 LE，采用 CSBGA-196 封装。XC7S25-2FTGB196C
AMD / Xilinx · 封装：CSBGA-196
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.58 Mbit、输入／输出数 100 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 23360 LE，采用 CSBGA-196 封装。XC7S25-2CSGA324I
AMD / Xilinx · 封装：CSGA-324
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.58 Mbit、输入／输出数 150 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 23360 LE，采用 CSGA-324 封装。XC7S25-2CSGA324C
AMD / Xilinx · 封装：CSGA-324
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.58 Mbit、输入／输出数 150 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 23360 LE，采用 CSGA-324 封装。XC7S25-2CSGA225I
AMD / Xilinx · 封装：CSBGA-225
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.58 Mbit、输入／输出数 150 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 23360 LE，采用 CSBGA-225 封装。XC7S25-2CSGA225C
AMD / Xilinx · 封装：CSBGA-225
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.58 Mbit、输入／输出数 150 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 23360 LE，采用 CSBGA-225 封装。XC7S25-1FTGB196Q
AMD / Xilinx · 封装：CSBGA-196
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.58 Mbit、输入／输出数 100 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 23360 LE，采用 CSBGA-196 封装。XC7S25-1FTGB196I
AMD / Xilinx · 封装：CSBGA-196
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.58 Mbit、输入／输出数 100 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 23360 LE，采用 CSBGA-196 封装。XC7S25-1FTGB196C
AMD / Xilinx · 封装：CSBGA-196
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.58 Mbit、输入／输出数 100 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 23360 LE，采用 CSBGA-196 封装。XC7S25-1CSGA324Q
AMD / Xilinx · 封装：CSGA-324
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.58 Mbit、输入／输出数 150 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 23360 LE，采用 CSGA-324 封装。XC7S25-1CSGA324I
AMD / Xilinx · 封装：CSGA-324
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.58 Mbit、输入／输出数 150 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 23360 LE，采用 CSGA-324 封装。XC7S25-1CSGA324C
AMD / Xilinx · 封装：CSGA-324
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.58 Mbit、输入／输出数 150 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 23360 LE，采用 CSGA-324 封装。XC7S25-1CSGA225Q
AMD / Xilinx · 封装：CSBGA-225
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.58 Mbit、输入／输出数 150 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、逻辑单元数 23360 LE，采用 CSBGA-225 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。