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FPGA 与可编程逻辑

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XCKU040-1FFVA1156C

AMD / Xilinx · 封装：FCBGA-1156

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 21.1 Mbit、输入／输出数 520 个输入／输出、电源电压（最小值） 922 mV、电源电压（最大值） 979 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FCBGA-1156 封装。
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XCKU040-1FBVA900I

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-900

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 21.1 Mbit、输入／输出数 484 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-900 封装。
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XCKU040-1FBVA676I

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-676

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 21.1 Mbit、输入／输出数 312 个输入／输出、电源电压（最小值） 922 mV、电源电压（最大值） 979 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-676 封装。
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XCKU040-1FBVA676C

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-676

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 21.1 Mbit、输入／输出数 328 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-676 封装。
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XCKU035-L1FBVA900I

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-900

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 19 Mbit、输入／输出数 484 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-900 封装。
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XCKU035-L1FBVA676I

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-676

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 19 Mbit、输入／输出数 328 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-676 封装。
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XCKU035-3SFVA784E

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-784

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 19 Mbit、输入／输出数 476 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-784 封装。
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XCKU035-3FFVA1156E

AMD / Xilinx · 封装：FCBGA-1156

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 19 Mbit、输入／输出数 536 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FCBGA-1156 封装。
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XCKU035-3FBVA900E

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-900

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 19 Mbit、输入／输出数 484 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-900 封装。
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XCKU035-3FBVA676E

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-676

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 19 Mbit、输入／输出数 328 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-676 封装。
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XCKU035-2SFVA784I

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-784

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 19 Mbit、输入／输出数 476 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-784 封装。
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XCKU035-2SFVA784E

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-784

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 19 Mbit、输入／输出数 468 个输入／输出、电源电压（最小值） 922 mV、电源电压（最大值） 979 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-784 封装。
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XCKU035-2FFVA1156I

AMD / Xilinx · 封装：FCBGA-1156

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 19 Mbit、输入／输出数 520 个输入／输出、电源电压（最小值） 922 mV、电源电压（最大值） 979 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FCBGA-1156 封装。
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XCKU035-2FFVA1156E

AMD / Xilinx · 封装：FCBGA-1156

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 19 Mbit、输入／输出数 520 个输入／输出、电源电压（最小值） 922 mV、电源电压（最大值） 979 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FCBGA-1156 封装。
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XCKU035-2FBVA900I

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-900

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 19 Mbit、输入／输出数 484 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-900 封装。
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XCKU035-2FBVA900E

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-900

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 19 Mbit、输入／输出数 468 个输入／输出、电源电压（最小值） 922 mV、电源电压（最大值） 979 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-900 封装。
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XCKU035-2FBVA676I

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-676

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 19 Mbit、输入／输出数 328 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-676 封装。
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XCKU035-2FBVA676E

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-676

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 19 Mbit、输入／输出数 328 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-676 封装。
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XCKU035-1SFVA784I

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-784

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 19 Mbit、输入／输出数 476 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-784 封装。
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XCKU035-1SFVA784C

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-784

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 19 Mbit、输入／输出数 468 个输入／输出、电源电压（最小值） 922 mV、电源电压（最大值） 979 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-784 封装。
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