XCKU115-2FLVD1924E
AMD / Xilinx · 封装:FBGA-1924
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 75.9 Mbit、输入/输出数 884 个输入/输出、电源电压(最小值) 850 mV、电源电压(最大值) 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s,采用 FBGA-1924 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
AMD / Xilinx · 封装:FBGA-1924
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 75.9 Mbit、输入/输出数 884 个输入/输出、电源电压(最小值) 850 mV、电源电压(最大值) 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s,采用 FBGA-1924 封装。AMD / Xilinx · 封装:FBGA-1517
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 75.9 Mbit、输入/输出数 402 个输入/输出、电源电压(最小值) 850 mV、电源电压(最大值) 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s,采用 FBGA-1517 封装。AMD / Xilinx · 封装:FBGA-1517
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 75.9 Mbit、输入/输出数 402 个输入/输出、电源电压(最小值) 850 mV、电源电压(最大值) 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s,采用 FBGA-1517 封装。AMD / Xilinx · 封装:FBGA-2104
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 75.9 Mbit、输入/输出数 766 个输入/输出、电源电压(最小值) 850 mV、电源电压(最大值) 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s,采用 FBGA-2104 封装。AMD / Xilinx · 封装:FBGA-2104
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 75.9 Mbit、输入/输出数 766 个输入/输出、电源电压(最小值) 850 mV、电源电压(最大值) 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s,采用 FBGA-2104 封装。AMD / Xilinx · 封装:FBGA-1760
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 75.9 Mbit、输入/输出数 702 个输入/输出、电源电压(最小值) 922 mV、电源电压(最大值) 979 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s,采用 FBGA-1760 封装。AMD / Xilinx · 封装:FBGA-1760
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 75.9 Mbit、输入/输出数 754 个输入/输出、电源电压(最小值) 850 mV、电源电压(最大值) 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s,采用 FBGA-1760 封装。AMD / Xilinx · 封装:FBGA-2104
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 75.9 Mbit、输入/输出数 884 个输入/输出、电源电压(最小值) 850 mV、电源电压(最大值) 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s,采用 FBGA-2104 封装。AMD / Xilinx · 封装:FBGA-2104
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 75.9 Mbit、输入/输出数 884 个输入/输出、电源电压(最小值) 850 mV、电源电压(最大值) 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s,采用 FBGA-2104 封装。AMD / Xilinx · 封装:FBGA-1517
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 75.9 Mbit、输入/输出数 672 个输入/输出、电源电压(最小值) 850 mV、电源电压(最大值) 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s,采用 FBGA-1517 封装。AMD / Xilinx · 封装:FBGA-1517
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 75.9 Mbit、输入/输出数 624 个输入/输出、电源电压(最小值) 922 mV、电源电压(最大值) 979 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s,采用 FBGA-1517 封装。AMD / Xilinx · 封装:FBGA-1924
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 75.9 Mbit、输入/输出数 792 个输入/输出、电源电压(最小值) 850 mV、电源电压(最大值) 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s,采用 FBGA-1924 封装。AMD / Xilinx · 封装:FBGA-1924
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 75.9 Mbit、输入/输出数 884 个输入/输出、电源电压(最小值) 850 mV、电源电压(最大值) 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s,采用 FBGA-1924 封装。AMD / Xilinx · 封装:FBGA-1924
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 75.9 Mbit、输入/输出数 884 个输入/输出、电源电压(最小值) 850 mV、电源电压(最大值) 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s,采用 FBGA-1924 封装。AMD / Xilinx · 封装:FBGA-1517
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 75.9 Mbit、输入/输出数 402 个输入/输出、电源电压(最小值) 850 mV、电源电压(最大值) 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s,采用 FBGA-1517 封装。AMD / Xilinx · 封装:FBGA-1517
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 75.9 Mbit、输入/输出数 402 个输入/输出、电源电压(最小值) 850 mV、电源电压(最大值) 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s,采用 FBGA-1517 封装。AMD / Xilinx · 封装:FBGA-2104
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 75.9 Mbit、输入/输出数 766 个输入/输出、电源电压(最小值) 850 mV、电源电压(最大值) 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s,采用 FBGA-2104 封装。AMD / Xilinx · 封装:FBGA-1760
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 75.9 Mbit、输入/输出数 754 个输入/输出、电源电压(最小值) 850 mV、电源电压(最大值) 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s,采用 FBGA-1760 封装。AMD / Xilinx · 封装:FBGA-1760
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 75.9 Mbit、输入/输出数 754 个输入/输出、电源电压(最小值) 850 mV、电源电压(最大值) 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s,采用 FBGA-1760 封装。AMD / Xilinx · 封装:FBGA-2104
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 75.9 Mbit、输入/输出数 884 个输入/输出、电源电压(最小值) 850 mV、电源电压(最大值) 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s,采用 FBGA-2104 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。