XCKU11P-2FFVE1517E
AMD / Xilinx · 封装：FBGA-1517
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 21.1 Mbit、输入／输出数 564 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-1517 封装。FPGA 与可编程逻辑
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型号列表
27,592 条型号记录XCKU11P-2FFVD900I
AMD / Xilinx · 封装：FBGA-900
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 21.1 Mbit、输入／输出数 424 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-900 封装。XCKU11P-2FFVD900E
AMD / Xilinx · 封装：FBGA-900
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 21.1 Mbit、输入／输出数 424 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-900 封装。XCKU11P-2FFVA1156I
AMD / Xilinx · 封装：FCBGA-1156
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 21.1 Mbit、输入／输出数 492 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FCBGA-1156 封装。XCKU11P-2FFVA1156E
AMD / Xilinx · 封装：FCBGA-1156
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 21.1 Mbit、输入／输出数 464 个输入／输出、电源电压（最小值） 825 mV、电源电压（最大值） 876 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FCBGA-1156 封装。XCKU11P-1FFVE1517I
AMD / Xilinx · 封装：FBGA-1517
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 21.1 Mbit、输入／输出数 564 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-1517 封装。XCKU11P-1FFVE1517E
AMD / Xilinx · 封装：FBGA-1517
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 21.1 Mbit、输入／输出数 564 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-1517 封装。XCKU11P-1FFVD900E
AMD / Xilinx · 封装：FBGA-900
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 21.1 Mbit、输入／输出数 424 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-900 封装。XCKU11P-1FFVA1156I
AMD / Xilinx · 封装：FCBGA-1156
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 21.1 Mbit、输入／输出数 492 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FCBGA-1156 封装。XCKU11P-1FFVA1156E
AMD / Xilinx · 封装：FCBGA-1156
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 21.1 Mbit、输入／输出数 464 个输入／输出、电源电压（最小值） 825 mV、电源电压（最大值） 876 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FCBGA-1156 封装。XCKU115-L1FLVF1924I
AMD / Xilinx · 封装：FBGA-1924
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 75.9 Mbit、输入／输出数 792 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-1924 封装。XCKU115-L1FLVA1517I
AMD / Xilinx · 封装：FBGA-1517
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 75.9 Mbit、输入／输出数 672 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-1517 封装。XCKU115-3FLVF1924E
AMD / Xilinx · 封装：FBGA-1924
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 75.9 Mbit、输入／输出数 792 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-1924 封装。XCKU115-3FLVB2104E
AMD / Xilinx · 封装：FBGA-2104
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 75.9 Mbit、输入／输出数 766 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-2104 封装。XCKU115-3FLVB1760E
AMD / Xilinx · 封装：FBGA-1760
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 75.9 Mbit、输入／输出数 754 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-1760 封装。XCKU115-3FLVA2104E
AMD / Xilinx · 封装：FBGA-2104
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 75.9 Mbit、输入／输出数 884 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-2104 封装。XCKU115-3FLVA1517E
AMD / Xilinx · 封装：FBGA-1517
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 75.9 Mbit、输入／输出数 672 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-1517 封装。XCKU115-2FLVF1924I
AMD / Xilinx · 封装：FBGA-1924
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 75.9 Mbit、输入／输出数 792 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-1924 封装。XCKU115-2FLVF1924E
AMD / Xilinx · 封装：FBGA-1924
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 75.9 Mbit、输入／输出数 792 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-1924 封装。XCKU115-2FLVD1924I
AMD / Xilinx · 封装：FBGA-1924
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 75.9 Mbit、输入／输出数 884 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-1924 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。