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FPGA 与可编程逻辑

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XCKU15P-1FFVE1760E

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-1760

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 34.6 Mbit、输入／输出数 724 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s, 32.75 Gb/s，采用 FBGA-1760 封装。
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XCKU15P-1FFVE1517I

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-1517

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 34.6 Mbit、输入／输出数 568 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s, 32.75 Gb/s，采用 FBGA-1517 封装。
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XCKU15P-1FFVE1517E

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-1517

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 34.6 Mbit、输入／输出数 568 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s, 32.75 Gb/s，采用 FBGA-1517 封装。
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XCKU15P-1FFVA1760I

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-1760

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 34.6 Mbit、输入／输出数 588 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s, 32.75 Gb/s，采用 FBGA-1760 封装。
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XCKU15P-1FFVA1760E

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-1760

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 34.6 Mbit、输入／输出数 588 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s, 32.75 Gb/s，采用 FBGA-1760 封装。
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XCKU15P-1FFVA1156I

AMD / Xilinx · 封装：FCBGA-1156

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 34.6 Mbit、输入／输出数 544 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FCBGA-1156 封装。
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XCKU15P-1FFVA1156E

AMD / Xilinx · 封装：FCBGA-1156

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 34.6 Mbit、输入／输出数 516 个输入／输出、电源电压（最小值） 825 mV、电源电压（最大值） 876 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FCBGA-1156 封装。
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XCKU13P-L1FFVE900I

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-900

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 26.2 Mbit、输入／输出数 332 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-900 封装。
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XCKU13P-2FFVE900I

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-900

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 26.2 Mbit、输入／输出数 332 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-900 封装。
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XCKU13P-2FFVE900E

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-900

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 26.2 Mbit、输入／输出数 332 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-900 封装。
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XCKU13P-1FFVE900I

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-900

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 26.2 Mbit、输入／输出数 332 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-900 封装。
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XCKU13P-1FFVE900E

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-900

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 26.2 Mbit、输入／输出数 332 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-900 封装。
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XCKU11P-L2FFVE1517E

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-1517

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 21.1 Mbit、输入／输出数 564 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-1517 封装。
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XCKU11P-L2FFVA1156E

AMD / Xilinx · 封装：FCBGA-1156

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 21.1 Mbit、输入／输出数 492 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FCBGA-1156 封装。
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XCKU11P-L1FFVE1517I

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-1517

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 21.1 Mbit、输入／输出数 564 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-1517 封装。
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XCKU11P-L1FFVD900I

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-900

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 21.1 Mbit、输入／输出数 424 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-900 封装。
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XCKU11P-L1FFVA1156I

AMD / Xilinx · 封装：FCBGA-1156

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 21.1 Mbit、输入／输出数 492 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FCBGA-1156 封装。
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XCKU11P-3FFVE1517E

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-1517

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 21.1 Mbit、输入／输出数 564 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-1517 封装。
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XCKU11P-3FFVD900E

AMD / Xilinx · 封装：FBGA-900

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 21.1 Mbit、输入／输出数 424 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FBGA-900 封装。
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XCKU11P-3FFVA1156E

AMD / Xilinx · 封装：FCBGA-1156

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 21.1 Mbit、输入／输出数 492 个输入／输出、电源电压（最小值） 850 mV、电源电压（最大值） 850 mV、工作电源电压 850 mV、数据速率 16.3 Gb/s，采用 FCBGA-1156 封装。
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