XC7K160T-1FF676C
AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-676
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 11.43 Mbit、输入/输出数 400 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 3.3 V、工作电源电压 1.2~3.3 V、数据速率 6.6 Gb/s,采用 FCBGA-676 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-676
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 11.43 Mbit、输入/输出数 400 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 3.3 V、工作电源电压 1.2~3.3 V、数据速率 6.6 Gb/s,采用 FCBGA-676 封装。AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-676
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 11.43 Mbit、输入/输出数 400 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV、电源电压(最大值) 1.03 V、工作电源电压 1.2~3.3 V、数据速率 12.5 Gb/s,采用 FCBGA-676 封装。AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-676
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 11.43 Mbit、输入/输出数 400 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV、电源电压(最大值) 1.03 V、工作电源电压 1.2~3.3 V、数据速率 12.5 Gb/s,采用 FCBGA-676 封装。AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-676
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 11.43 Mbit、输入/输出数 400 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV、电源电压(最大值) 1.03 V、工作电源电压 1.2~3.3 V、数据速率 12.5 Gb/s,采用 FCBGA-676 封装。AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-484
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 11.43 Mbit、输入/输出数 285 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 3.3 V、工作电源电压 1.2~3.3 V、数据速率 10.3 Gb/s,采用 FCBGA-484 封装。AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-676
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 11.43 Mbit、输入/输出数 400 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV、电源电压(最大值) 1.03 V、工作电源电压 1.2~3.3 V、数据速率 12.5 Gb/s,采用 FCBGA-676 封装。AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-484
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 11.43 Mbit、输入/输出数 285 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV、电源电压(最大值) 1.03 V、工作电源电压 1.2~3.3 V、数据速率 12.5 Gb/s,采用 FCBGA-484 封装。AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-484
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 11.43 Mbit、输入/输出数 285 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV、电源电压(最大值) 1.03 V、工作电源电压 1.2~3.3 V、数据速率 12.5 Gb/s,采用 FCBGA-484 封装。AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-676
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 11.43 Mbit、输入/输出数 400 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV、电源电压(最大值) 1.03 V、工作电源电压 1.2~3.3 V、数据速率 12.5 Gb/s,采用 FCBGA-676 封装。AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-676
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 11.43 Mbit、输入/输出数 400 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV、电源电压(最大值) 1.03 V、工作电源电压 1.2~3.3 V、数据速率 12.5 Gb/s,采用 FCBGA-676 封装。AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-676
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 11.43 Mbit、输入/输出数 400 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 3.3 V、工作电源电压 1.2~3.3 V、数据速率 6.6 Gb/s,采用 FCBGA-676 封装。AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-676
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 11.43 Mbit、输入/输出数 400 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV、电源电压(最大值) 1.03 V、工作电源电压 1.2~3.3 V、数据速率 12.5 Gb/s,采用 FCBGA-676 封装。AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-676
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 11.43 Mbit、输入/输出数 400 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV、电源电压(最大值) 1.03 V、工作电源电压 1.2~3.3 V、数据速率 12.5 Gb/s,采用 FCBGA-676 封装。AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-676
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 11.43 Mbit、输入/输出数 400 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV、电源电压(最大值) 1.03 V、工作电源电压 1.2~3.3 V、数据速率 12.5 Gb/s,采用 FCBGA-676 封装。AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-484
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 11.43 Mbit、输入/输出数 285 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV、电源电压(最大值) 1.03 V、工作电源电压 1.2~3.3 V、数据速率 12.5 Gb/s,采用 FCBGA-484 封装。AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-676
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 11.43 Mbit、输入/输出数 400 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV、电源电压(最大值) 1.03 V、工作电源电压 1.2~3.3 V、数据速率 12.5 Gb/s,采用 FCBGA-676 封装。AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-676
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 11.43 Mbit、输入/输出数 400 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV、电源电压(最大值) 1.03 V、工作电源电压 1.2~3.3 V、数据速率 12.5 Gb/s,采用 FCBGA-676 封装。AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-484
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 11.43 Mbit、输入/输出数 285 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 3.3 V、工作电源电压 1.2~3.3 V、数据速率 10.3 Gb/s,采用 FCBGA-484 封装。AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-484
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 11.43 Mbit、输入/输出数 285 个输入/输出、电源电压(最小值) 970 mV、电源电压(最大值) 1.03 V、工作电源电压 1.2~3.3 V、数据速率 12.5 Gb/s,采用 FCBGA-484 封装。AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-676
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 11.43 Mbit、输入/输出数 400 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 3.3 V、工作电源电压 1.2~3.3 V、数据速率 6.6 Gb/s,采用 FCBGA-676 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。