XC7A200T-1SBG484C
AMD / Xilinx · 封装：FCBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 12.83 Mbit、输入／输出数 285 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.6 Gb/s，采用 FCBGA-484 封装。FPGA 与可编程逻辑
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27,592 条型号记录XC7A200T-1SBG484I
AMD / Xilinx · 封装：FCBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 12.83 Mbit、输入／输出数 285 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.6 Gb/s，采用 FCBGA-484 封装。XC7A200T-2FB484I
AMD / Xilinx · 封装：FCBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 12.83 Mbit、输入／输出数 285 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.6 Gb/s，采用 FCBGA-484 封装。XC7A200T-2FB676I
AMD / Xilinx · 封装：FCBGA-676
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 12.83 Mbit、输入／输出数 400 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.6 Gb/s，采用 FCBGA-676 封装。XC7A200T-2FBG484C
AMD / Xilinx · 封装：FCBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 12.83 Mbit、输入／输出数 285 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.6 Gb/s，采用 FCBGA-484 封装。XC7A200T-2FBG484I
AMD / Xilinx · 封装：FCBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 12.83 Mbit、输入／输出数 285 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.6 Gb/s，采用 FCBGA-484 封装。XC7A200T-2FBG676C
AMD / Xilinx · 封装：FCBGA-676
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 12.83 Mbit、输入／输出数 400 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.6 Gb/s，采用 FCBGA-676 封装。XC7A200T-2FBG676I
AMD / Xilinx · 封装：FCBGA-676
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 12.83 Mbit、输入／输出数 400 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.6 Gb/s，采用 FCBGA-676 封装。XC7A200T-2FF1156I
AMD / Xilinx · 封装：FCBGA-1156
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 12.83 Mbit、输入／输出数 500 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.6 Gb/s，采用 FCBGA-1156 封装。XC7A200T-2FFG1156C
AMD / Xilinx · 封装：FCBGA-1156
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 12.83 Mbit、输入／输出数 500 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.6 Gb/s，采用 FCBGA-1156 封装。XC7A200T-2FFG1156I
AMD / Xilinx · 封装：FCBGA-1156
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 12.83 Mbit、输入／输出数 500 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.6 Gb/s，采用 FCBGA-1156 封装。XC7A200T-2SB484I
AMD / Xilinx · 封装：FCBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 12.83 Mbit、输入／输出数 285 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.6 Gb/s，采用 FCBGA-484 封装。XC7A200T-2SBG484C
AMD / Xilinx · 封装：FCBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 12.83 Mbit、输入／输出数 285 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.6 Gb/s，采用 FCBGA-484 封装。XC7A200T-2SBG484I
AMD / Xilinx · 封装：FCBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 12.83 Mbit、输入／输出数 285 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.6 Gb/s，采用 FCBGA-484 封装。XC7A200T-3FBG484E
AMD / Xilinx · 封装：FCBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 12.83 Mbit、输入／输出数 285 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.6 Gb/s，采用 FCBGA-484 封装。XC7A200T-L2FFG1156E
AMD / Xilinx · 封装：FCBGA-1156
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 12.83 Mbit、输入／输出数 500 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.6 Gb/s，采用 FCBGA-1156 封装。XC7A200T-L2SBG484E
AMD / Xilinx · 封装：FCBGA-484
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 12.83 Mbit、输入／输出数 285 个输入／输出、电源电压（最小值） 1 V、电源电压（最大值） 1 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.25 Gb/s，采用 FCBGA-484 封装。XC7A25T-1CPG238C
AMD / Xilinx · 封装：CSBGA-238
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.58 Mbit、输入／输出数 112 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.6 Gb/s，采用 CSBGA-238 封装。XC7A25T-1CPG238I
AMD / Xilinx · 封装：CSBGA-238
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.58 Mbit、输入／输出数 112 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.6 Gb/s，采用 CSBGA-238 封装。XC7A25T-1CSG325C
AMD / Xilinx · 封装：CSBGA-325
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 1.58 Mbit、输入／输出数 150 个输入／输出、电源电压（最小值） 950 mV、电源电压（最大值） 1.05 V、工作电源电压 1 V、数据速率 6.6 Gb/s，采用 CSBGA-325 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。