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FPGA 与可编程逻辑

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27,592 条型号记录
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XC6SLX75T-3FG676I

AMD / Xilinx · 封装:FBGA-676

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 3.02 Mbit、输入/输出数 348 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、数据速率 800 Mb/s,采用 FBGA-676 封装。

XC6SLX75T-3FGG484C

AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 3.02 Mbit、输入/输出数 268 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、数据速率 3.2 Gb/s,采用 FCBGA-484 封装。

XC6SLX75T-3FGG484I

AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 3.02 Mbit、输入/输出数 268 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、数据速率 3.2 Gb/s,采用 FCBGA-484 封装。

XC6SLX75T-3FGG676C

AMD / Xilinx · 封装:FBGA-676

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 3.02 Mbit、输入/输出数 348 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、数据速率 3.2 Gb/s,采用 FBGA-676 封装。

XC6SLX75T-3FGG676I

AMD / Xilinx · 封装:FBGA-676

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 3.02 Mbit、输入/输出数 348 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、数据速率 3.2 Gb/s,采用 FBGA-676 封装。

XC6SLX75T-N3FGG484C

AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 3.02 Mbit、输入/输出数 268 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、数据速率 800 Mb/s,采用 FCBGA-484 封装。

XC6SLX75T-N3FGG484I

AMD / Xilinx · 封装:FCBGA-484

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 3.02 Mbit、输入/输出数 268 个输入/输出、工作电源电压 1.2 V、电源电压(最大值) 1.26 V、电源电压(最小值) 1.14 V、数据速率 3.2 Gb/s,采用 FCBGA-484 封装。

XC6SLX9-2CPG196C

AMD / Xilinx · 封装:FBGA-196

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 576 kbit、输入/输出数 106 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 1.08 GHz,采用 FBGA-196 封装。

XC6SLX9-2CPG196I

AMD / Xilinx · 封装:FBGA-196

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 576 kbit、输入/输出数 106 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 1.08 GHz,采用 FBGA-196 封装。

XC6SLX9-2CSG225C

AMD / Xilinx · 封装:CSBGA-225

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 576 kbit、输入/输出数 160 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 1.08 GHz,采用 CSBGA-225 封装。

XC6SLX9-2CSG225I

AMD / Xilinx · 封装:CSBGA-225

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 576 kbit、输入/输出数 160 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 1.08 GHz,采用 CSBGA-225 封装。

XC6SLX9-2CSG324C

AMD / Xilinx · 封装:CSBGA-324

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 576 kbit、输入/输出数 200 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 1.08 GHz,采用 CSBGA-324 封装。

XC6SLX9-2CSG324I

AMD / Xilinx · 封装:CSBGA-324

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 576 kbit、输入/输出数 200 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 1.08 GHz,采用 CSBGA-324 封装。

XC6SLX9-2FT256C

AMD / Xilinx · 封装:FBGA-256

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 576 kbit、输入/输出数 186 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 1.08 GHz,采用 FBGA-256 封装。

XC6SLX9-2FT256I

AMD / Xilinx · 封装:FBGA-256

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 576 kbit、输入/输出数 186 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 1.08 GHz,采用 FBGA-256 封装。

XC6SLX9-2FTG256C

AMD / Xilinx · 封装:FBGA-256

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 576 kbit、输入/输出数 186 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 1.08 GHz,采用 FBGA-256 封装。

XC6SLX9-3CSG225C

AMD / Xilinx · 封装:CSBGA-225

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 576 kbit、输入/输出数 160 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 1.08 GHz,采用 CSBGA-225 封装。

XC6SLX9-3CSG225I

AMD / Xilinx · 封装:CSBGA-225

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 576 kbit、输入/输出数 160 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 1.08 GHz,采用 CSBGA-225 封装。

XC6SLX9-3CSG324C

AMD / Xilinx · 封装:CSBGA-324

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 576 kbit、输入/输出数 200 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.26 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 1.08 GHz,采用 CSBGA-324 封装。

XC6SLX9-3CSG324I

AMD / Xilinx · 封装:CSBGA-324

该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 576 kbit、输入/输出数 200 个输入/输出、电源电压(最小值) 1.2 V、电源电压(最大值) 1.2 V、工作电源电压 1.2 V、最大工作频率 1.08 GHz,采用 CSBGA-324 封装。

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