DIO8355ASS10
DIOO Microcircuits · 封装：SSOP-10
主要参数包括输入／电源电压（最小值） 9.5 V、输入／电源电压（最大值） 34 V、技术 Si、拓扑结构 Flyback、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SSOP-10 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录INN3647C-H606-TL
Power Integrations · 封装：InSOP-24D
主要参数包括输入／电源电压（最小值） 200 V、输入／电源电压（最大值） 1 kV、输出电压 5～24 V、开关频率 25 kHz、技术 Si、类型 Flyback Switcher IC，采用 InSOP-24D 封装。CPZ1061M-TL
Power Integrations · 封装：MinSOP-16A
主要参数包括输入／电源电压（最小值） 85 VAC、输入／电源电压（最大值） 265 VAC、输出电流 3.26 A、开关频率 140 kHz、技术 Si、输出功率 75 W, 85 W，采用 MinSOP-16A 封装。INN3479C-TL
Power Integrations · 封装：InSOP-24D
主要参数包括输入／电源电压（最小值） 85 VAC、输入／电源电压（最大值） 265 VAC、输出电压 750 V、输出电流 10 A、开关频率 132 kHz、技术 Si，采用 InSOP-24D 封装。INN3624C-H606-TL
Power Integrations · 封装：InSOP-24D
主要参数包括输入／电源电压（最小值） 85 V、输入／电源电压（最大值） 580 V、输出电压 3～24 V、开关频率 25～110 kHz、技术 氮化镓（GaN）、输出功率 25 W，采用 InSOP-24D 封装。INN3626C-H606-TL
Power Integrations · 封装：InSOP-24D
主要参数包括输入／电源电压（最小值） 85 V、输入／电源电压（最大值） 580 V、输出电压 3～24 V、开关频率 25～110 kHz、技术 氮化镓（GaN）、输出功率 35 W，采用 InSOP-24D 封装。INN3629C-H606-TL
Power Integrations · 封装：SOP-24D
主要参数包括输入／电源电压（最小值） 85 VAC、输入／电源电压（最大值） 580 VAC、开关频率 25 kHz、技术 Si、输出功率 75 W、工作电源电流 1.95 mA，采用 SOP-24D 封装。INN3876C-H801-TL
Power Integrations · 封装：InSOP-24D
主要参数包括技术 Si、商品名称 PowiGaN，采用 InSOP-24D 封装。INN3977CQ510-TL
Power Integrations · 封装：InSOP-24D
主要参数包括开关频率 25 kHz、技术 Si、类型 Automotive、工作电源电流 200 uA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 InSOP-24D 封装。INN3877C-H801-TL
Power Integrations · 封装：InSOP-24D
主要参数包括技术 Si、商品名称 PowiGaN，采用 InSOP-24D 封装。INN3878C-H801-TL
Power Integrations · 封装：InSOP-24D
主要参数包括输入／电源电压（最小值） 85 VAC、输入／电源电压（最大值） 265 VAC、开关频率 25 kHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Off-Line、输出功率 45 W，采用 InSOP-24D 封装。INN3878C-H802-TL
Power Integrations · 封装：InSOP-24D
主要参数包括技术 Si、类型 Off-Line QR Flyback Switcher、拓扑结构 Flyback、商品名称 PowiGaN，采用 InSOP-24D 封装。INN3878C-H804-TL
Power Integrations · 封装：SOP-24
主要参数包括输入／电源电压（最小值） 3.42 V、输入／电源电压（最大值） 3.78 V、开关频率 25 kHz、技术 氮化镓（GaN）、输出功率 55 W、原产国家或地区 TH，采用 SOP-24 封装。INN3949FQ502-TL
Power Integrations · 封装：InSOP-T28G
主要参数包括输入／电源电压（最小值） 40 V、输入／电源电压（最大值） 1.2 kV、输出电压 5～24 V、开关频率 25～95 kHz、技术 碳化硅（SiC）、输出功率 60 W，采用 InSOP-T28G 封装。INN3977CQ-TL
Power Integrations
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、原产国家或地区 TH、开发套件 RDK-840Q、湿敏性 是、商品名称 InnoSwitch。INN3977CQ0500-TL
Power Integrations · 封装：InSOP-24D
主要参数包括输入／电源电压（最小值） 30 V、输入／电源电压（最大值） 550 V、输出电压 5～24 V、开关频率 132 kHz、技术 Si、类型 Power Converter，采用 InSOP-24D 封装。INN3977CQ0501-TL
Power Integrations · 封装：InSOP-24D
主要参数包括开关频率 25 kHz、技术 Si、类型 Automotive、工作电源电流 200 uA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 InSOP-24D 封装。INN4073C-H185-TL
Power Integrations · 封装：InSOP-24D
主要参数包括输入／电源电压（最小值） 85 VAC、输入／电源电压（最大值） 264 VAC、输出电压 3～24 V、输出电流 6.5 A、开关频率 140 kHz、技术 氮化镓（GaN），采用 InSOP-24D 封装。INN4075C-H181-TL
Power Integrations · 封装：InSOP-24D
主要参数包括输入／电源电压（最小值） 85 VAC、输入／电源电压（最大值） 264 VAC、输出电压 3～24 V、输出电流 14 A、开关频率 140 kHz、技术 氮化镓（GaN），采用 InSOP-24D 封装。INN4073C-H186-TL
Power Integrations · 封装：InSOP-24D
主要参数包括输入／电源电压（最小值） 85 VAC、输入／电源电压（最大值） 264 VAC、输出电压 3～24 V、输出电流 6.5 A、开关频率 140 kHz、技术 氮化镓（GaN），采用 InSOP-24D 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。