NCP11184A130PG
onsemi · 封装：PDIP-7
主要参数包括开关频率 130 kHz、技术 Si、类型 Integrated Power Switcher、输出功率 36 W、拓扑结构 Flyback、占空比（最大值） 90 %，采用 PDIP-7 封装。电源管理与驱动
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
134,686 条型号记录NCP11185A065PG
onsemi · 封装：PDIP-7
主要参数包括输入／电源电压（最小值） 85 VAC、输入／电源电压（最大值） 265 VAC、开关频率 65 kHz、技术 Si、类型 Integrated Power Switcher、输出功率 55 W，采用 PDIP-7 封装。NCP11187A065PG
onsemi · 封装：PDIP-7
主要参数包括输入／电源电压（最小值） 85 VAC、输入／电源电压（最大值） 265 VAC、开关频率 65 kHz、技术 Si、类型 Integrated Power Switcher、输出功率 65 W，采用 PDIP-7 封装。NCP1341B4D1R2G
onsemi · 封装：SOIC-9NB
主要参数包括技术 Si、拓扑结构 Flyback、工作电源电流 1 mA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、原产国家或地区 TH，采用 SOIC-9NB 封装。NCP11187A100PG
onsemi · 封装：PDIP-7
主要参数包括输入／电源电压（最小值） 85 VAC、输入／电源电压（最大值） 265 VAC、开关频率 100 kHz、技术 Si、类型 Integrated Power Switcher、输出功率 60 W，采用 PDIP-7 封装。NCP114AMX092TAG
onsemi
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 马来西亚。NCP1340B3D1R2G
onsemi · 封装：SOIC-9
主要参数包括输出电压 12 V、输出电流 500 mA, 800 mA、开关频率 25 kHz、技术 Si、拓扑结构 Flyback、工作电源电流 1 mA，采用 SOIC-9 封装。NCP1340B5D1R2G
onsemi · 封装：SOIC-9NB
主要参数包括技术 Si、拓扑结构 Flyback、工作电源电流 1 mA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、原产国家或地区 TH，采用 SOIC-9NB 封装。NCP1340B7D1R2G
onsemi · 封装：SOIC-9
主要参数包括输出电流 800 mA、技术 Si、工作电源电流 1 mA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、原产国家或地区 TH，采用 SOIC-9 封装。NCP1340B8D1R2G
onsemi · 封装：SOIC-9
主要参数包括输入／电源电压（最小值） 9 V、输入／电源电压（最大值） 28 V、输出电压 12 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 Quasi-Resonant，采用 SOIC-9 封装。NCP1341A1D1R2G
onsemi · 封装：SOIC-9NB
主要参数包括技术 Si、拓扑结构 Flyback、工作电源电流 1 mA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、原产国家或地区 TH，采用 SOIC-9NB 封装。NCP1341B1D1R2G
onsemi
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH、单件重量 0.002685 oz。NCP1568G03DBR2G
onsemi · 封装：TSOP-16
主要参数包括输入／电源电压（最小值） 10 V、输入／电源电压（最大值） 27 V、输出电流 100 mA、开关频率 1 MHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 AC-DC Active Clamp PWM Controller，采用 TSOP-16 封装。NCP1568G04DBR2G
onsemi · 封装：TSOP-16
主要参数包括输入／电源电压（最小值） 10 V、输入／电源电压（最大值） 27 V、输出电流 100 mA、开关频率 1 MHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 AC-DC Active Clamp PWM Controller，采用 TSOP-16 封装。NCP1568S02DBR2G
onsemi · 封装：TSSOP-16
主要参数包括输入／电源电压（最小值） 10 V、输入／电源电压（最大值） 27 V、输出电压 12 V、输出电流 150 mA、开关频率 100 kHz to 1 MHz、技术 Si，采用 TSSOP-16 封装。NCP1910B65DWR2G
onsemi · 封装：SOIC-24
主要参数包括输入／电源电压（最大值） 20 V、输出电流 5 mA、开关频率 500 kHz、技术 Si、类型 Combo Controller、最小工作温度 - 60 C，采用 SOIC-24 封装。NXV08V080DB1
onsemi
主要参数包括原产国家或地区 中国。TEC2700-12-074RA
Bel Power Solutions
主要参数包括原产国家或地区 中国。DIO8242CTC3
DIOO Microcircuits · 封装：SOT-89-3
主要参数包括输入／电源电压（最大值） 100 V、技术 Si、类型 Adaptive 100/120Hz Current Ripple Remover、工作电源电流 60 mA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C，采用 SOT-89-3 封装。DIO8352SS10
DIOO Microcircuits · 封装：SSOP-10
主要参数包括输入／电源电压（最小值） 9.5 V、输入／电源电压（最大值） 34 V、技术 Si、类型 Off-line Quasi-Resonant Flyback Controller、拓扑结构 Flyback、工作电源电流 1 mA，采用 SSOP-10 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。