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134,686 条型号记录
每页 20 条

NJU6450AC

Nisshinbo · 封装:Chip

主要参数包括最大时钟频率 21 kHz、电源电压(最大值) 6 V、电源电压(最小值) 2.4 V、数字位数 24 Digit、段数 61 Segment、电源电流(最大值) 500 uA,采用 Chip 封装。

NJU6533KQ1-TE4

Nisshinbo · 封装:QFN-48

主要参数包括最大时钟频率 18.2 kHz、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.4 V、段数 128 Segment、电源电流(最大值) 25 uA、耗散功率(Pd) 710 mW,采用 QFN-48 封装。

R1290K001A-E2

Nisshinbo · 封装:QFN0404-24

主要参数包括原产国家或地区 日本,采用 QFN0404-24 封装。

R1290K002A-E2

Nisshinbo · 封装:QFN0404-24

主要参数包括原产国家或地区 日本,采用 QFN0404-24 封装。

R1290K003A-E2

Nisshinbo · 封装:QFN0404-24

主要参数包括原产国家或地区 日本,采用 QFN0404-24 封装。

R1290K101A-E2

Nisshinbo · 封装:QFN0404-24

主要参数包括原产国家或地区 日本,采用 QFN0404-24 封装。

R1290K102A-E2

Nisshinbo · 封装:QFN0404-24

主要参数包括最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C、原产国家或地区 日本,采用 QFN0404-24 封装。

R1290K103A-E2

Nisshinbo · 封装:QFN0404-24

主要参数包括最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C、原产国家或地区 日本,采用 QFN0404-24 封装。

R1293K241A-E2

Nisshinbo · 封装:QFN-PL-0404-32

主要参数包括最大时钟频率 770 kHz、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.2 V、电源电流(最大值) 550 uA、耗散功率(Pd) 1.5 W、最小工作温度 - 40 C,采用 QFN-PL-0404-32 封装。

FAN7317BMX

onsemi

主要参数包括原产国家或地区 美国、单件重量 0.028254 oz。

PCA8551BTT/AY

NXP Semiconductors · 封装:TSSOP-48

主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.8 V、段数 36 Segment、电源电流(最大值) 2.7 uA、耗散功率(Pd) 100 mW、最小工作温度 - 40 C,采用 TSSOP-48 封装。

PCF85176T/1Y

NXP Semiconductors · 封装:TSSOP-56

主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.8 V、接口类型 I2C、段数 40 Segment、电源电流(最大值) 7 uA,采用 TSSOP-56 封装。

PCF8562TT/2,518

NXP Semiconductors · 封装:TSSOP-48

主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.8 V、数字位数 16 Digit、段数 32 Segment、电源电流(最大值) 20 uA,采用 TSSOP-48 封装。

PCA85162T/Q900/1Y

NXP Semiconductors · 封装:TSSOP-48

主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 1.8 V、接口类型 I2C、段数 32 Segment、电源电流(最大值) 7 uA,采用 TSSOP-48 封装。

BU9795BKV-E2

ROHM Semiconductor · 封装:VQFP-48

主要参数包括最大时钟频率 300 kHz、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.5 V、接口类型 3-Wire、段数 140 Segment、电源电流(最大值) 40 uA,采用 VQFP-48 封装。

BU9795ZKS2

ROHM Semiconductor

主要参数包括最大时钟频率 104 Hz、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.5 V、接口类型 3-Wire、段数 140 Segment、电源电流(最大值) 40 uA。

BU9795ZKS2-E2

ROHM Semiconductor

主要参数包括段数 140 Segment、原产国家或地区 韩国、湿敏性 是。

BU97960MUV-E2

ROHM Semiconductor · 封装:VQFN-28

主要参数包括最大时钟频率 104 Hz、电源电压(最大值) 6 V、电源电压(最小值) 2.5 V、接口类型 I2C、段数 120 Segment、电源电流(最大值) 40 uA,采用 VQFN-28 封装。

BU9797AFUV-E2

ROHM Semiconductor · 封装:TSSOP-C48V

主要参数包括最大时钟频率 300 kHz、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.5 V、接口类型 I2C、段数 144 Segment、电源电流(最大值) 20 uA,采用 TSSOP-C48V 封装。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

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