ChipSourceHub 美芯科技

电源管理与驱动

按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。

型号列表

134,686 条型号记录
每页 20 条

INN4275C-H181-TL

Power Integrations · 封装:InSOP-24D

主要参数包括输入/电源电压(最小值) 85 VAC、输入/电源电压(最大值) 265 VAC、开关频率 140 kHz、技术 氮化镓(GaN)、输出功率 90 W、拓扑结构 Flyback,采用 InSOP-24D 封装。

INN4274C-H186-TL

Power Integrations · 封装:InSOP-24D

主要参数包括输入/电源电压(最小值) 85 VAC、输入/电源电压(最大值) 265 VAC、开关频率 140 kHz、技术 氮化镓(GaN)、输出功率 85 W、拓扑结构 Flyback,采用 InSOP-24D 封装。

INN4274C-H185-TL

Power Integrations · 封装:InSOP-24D

主要参数包括输入/电源电压(最小值) 85 VAC、输入/电源电压(最大值) 265 VAC、开关频率 140 kHz、技术 氮化镓(GaN)、输出功率 85 W、拓扑结构 Flyback,采用 InSOP-24D 封装。

INN4274C-H183-TL

Power Integrations · 封装:InSOP-24D

主要参数包括输入/电源电压(最小值) 85 VAC、输入/电源电压(最大值) 265 VAC、开关频率 140 kHz、技术 氮化镓(GaN)、输出功率 85 W、拓扑结构 Flyback,采用 InSOP-24D 封装。

INN4274C-H182-TL

Power Integrations · 封装:InSOP-24D

主要参数包括输入/电源电压(最小值) 85 VAC、输入/电源电压(最大值) 265 VAC、开关频率 140 kHz、技术 氮化镓(GaN)、输出功率 85 W、拓扑结构 Flyback,采用 InSOP-24D 封装。

INN4274C-H181-TL

Power Integrations · 封装:InSOP-24D

主要参数包括输入/电源电压(最小值) 85 VAC、输入/电源电压(最大值) 265 VAC、开关频率 140 kHz、技术 氮化镓(GaN)、输出功率 85 W、拓扑结构 Flyback,采用 InSOP-24D 封装。

INN4177C-H192-TL

Power Integrations

主要参数包括技术 氮化镓(GaN)、湿敏性 是、商品名称 PowiGaN。

INN4177C-H191-TL

Power Integrations

主要参数包括技术 氮化镓(GaN)、湿敏性 是、商品名称 PowiGaN。

INN4177C-H190-TL

Power Integrations

主要参数包括技术 氮化镓(GaN)、湿敏性 是、商品名称 PowiGaN。

ST-ONE

STMicroelectronics

主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。

ST-ONEMP

STMicroelectronics

主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。

ST-ONEMPTR

STMicroelectronics

主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是、单件重量 0.005291 oz。

ST-ONETR

STMicroelectronics · 封装:SSOP-36

主要参数包括输入/电源电压(最小值) - 300 mV、输入/电源电压(最大值) 16 V、输出电流 11 mA、开关频率 132 MHz、技术 Si、类型 Smart Charger,采用 SSOP-36 封装。

NCP11185A130PG

onsemi · 封装:PDIP-7

主要参数包括输入/电源电压(最小值) 85 VAC、输入/电源电压(最大值) 265 VAC、开关频率 130 kHz、技术 Si、类型 Integrated Power Switcher、输出功率 52 W,采用 PDIP-7 封装。

NCP1077STAT3G

onsemi · 封装:SOT-223-4

主要参数包括开关频率 65 kHz、技术 Si、输出功率 25 W、拓扑结构 Flyback、占空比(最大值) 73 %、工作电源电流 1 mA,采用 SOT-223-4 封装。

NCP1077STBT3G

onsemi · 封装:SOT-223-4

主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 马来西亚、单件重量 0.003880 oz,采用 SOT-223-4 封装。

NCP1077STCT3G

onsemi · 封装:SOT-223-4

主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 马来西亚、单件重量 0.003880 oz,采用 SOT-223-4 封装。

NCP10970B1DR2G

onsemi

主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 菲律宾、湿敏性 是。

NCP11184A065PG

onsemi · 封装:PDIP-7

主要参数包括开关频率 65 kHz、技术 Si、类型 Integrated Power Switcher、输出功率 45 W、拓扑结构 Flyback、占空比(最大值) 90 %,采用 PDIP-7 封装。

NCP11184A100PG

onsemi · 封装:PDIP-7

主要参数包括开关频率 100 kHz、技术 Si、类型 Integrated Power Switcher、输出功率 40 W、拓扑结构 Flyback、占空比(最大值) 90 %,采用 PDIP-7 封装。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

芯片型号库|技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技