CP2402-GM
Silicon Labs · 封装：QFN-32
主要参数包括最大时钟频率 25 MHz、工作电源电压 1.8～3.6 V、段数 64 Segment、电源电流（最大值） 740 uA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 QFN-32 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录BU9728AKV-E2
ROHM Semiconductor
主要参数包括最大时钟频率 36 kHz、工作电源电压 2.5～5.5 V、段数 128 Segment、电源电流（最大值） 250 uA、耗散功率（Pd） 400 mW、最小工作温度 - 40 C。R1294L102A-E2
Ricoh Electronic Devices Company · 封装：QFN0404-24
主要参数包括最大时钟频率 1500 kHz、工作电源电压 2.5～5.5 V、电源电流（最大值） 3.5 mA、耗散功率（Pd） 3400 mW、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 95 C，采用 QFN0404-24 封装。R1290K102A-E2
Ricoh Electronic Devices Company · 封装：QFN0404-24
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 105 C、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C，采用 QFN0404-24 封装。R1290K103A-E2
Ricoh Electronic Devices Company · 封装：QFN0404-24
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 105 C、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C，采用 QFN0404-24 封装。LC75833W-E
ON Semiconductor · 封装：SQFP-48
主要参数包括最大时钟频率 45.6 kHz、工作电源电压 2.7～6 V、耗散功率（Pd） 150 mW、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、湿敏性 是，采用 SQFP-48 封装。CP2401-GQ
Silicon Labs · 封装：QFP-48
主要参数包括最大时钟频率 25 MHz、工作电源电压 1.8～3.6 V、段数 128 Segment、电源电流（最大值） 740 uA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 QFP-48 封装。LC75813T-E
ON Semiconductor · 封装：QFP-100 E
主要参数包括最大时钟频率 38 kHz、工作电源电压 2.7～6 V、数字位数 8 Digit、段数 344 Segment、电源电流（最大值） 300 uA、耗散功率（Pd） 200 mW，采用 QFP-100 E 封装。TC7116CLW
Microchip Technology · 封装：PLCC-44
主要参数包括工作电源电压 5 V、耗散功率（Pd） 1230 mW、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、高度 3.87 mm、长度 16.59 mm，采用 PLCC-44 封装。MAX8795AGCJ+
Maxim Integrated · 封装：LQFP-32
主要参数包括型号别名 MAX8795A、单件重量 0.027302 oz，采用 LQFP-32 封装。MAX8726EUE+
Maxim Integrated
主要参数包括型号别名 MAX8726。CP2400-GQ
Silicon Labs · 封装：QFP-48
主要参数包括最大时钟频率 25 MHz、工作电源电压 1.8～3.6 V、段数 128 Segment、电源电流（最大值） 740 uA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 QFP-48 封装。CP2401-GM
Silicon Labs · 封装：QFN-48
主要参数包括最大时钟频率 25 MHz、工作电源电压 1.8～3.6 V、接口类型 SPI、段数 128 Segment、电源电流（最大值） 740 uA、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-48 封装。CP2400-GM
Silicon Labs · 封装：QFN-48
主要参数包括最大时钟频率 25 MHz、工作电源电压 1.8～3.6 V、段数 128 Segment、电源电流（最大值） 740 uA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 QFN-48 封装。FAN7317BMX
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括单件重量 0.028254 oz。CP2403-GM
Silicon Labs · 封装：QFN-32
主要参数包括最大时钟频率 25 MHz、工作电源电压 1.8～3.6 V、段数 64 Segment、电源电流（最大值） 740 uA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 QFN-32 封装。S1D13L04F00A100
Epson ICs · 封装：QFP-208
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、工作电源电压 1.8 V、接口类型 Serial、耗散功率（Pd） 200 mW、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 QFP-208 封装。R1293K241A-E2
Ricoh Electronic Devices Company · 封装：QFN-PLP-0404-32
主要参数包括最大时钟频率 770 kHz、工作电源电压 2.2～5.5 V、电源电流（最大值） 550 uA、耗散功率（Pd） 1.5 W、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 QFN-PLP-0404-32 封装。PCF8576DT/S400/2,1
NXP Semiconductors · 封装：TSSOP-56
主要参数包括最大时钟频率 2.64 MHz、工作电源电压 1.8～5.5 V、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、接口类型 I2C、数字位数 20 Digit、段数 40 Segment，采用 TSSOP-56 封装。TSL1014IYFT
STMicroelectronics
主要参数包括湿敏性 是、认证等级 AEC-Q100。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。