LC75836W-E
ON Semiconductor · 封装：SQFP-48
主要参数包括最大时钟频率 76 kHz、工作电源电压 4.5～6 V、耗散功率（Pd） 100 mW、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、湿敏性 是，采用 SQFP-48 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录MAX131ACPL+
Maxim Integrated · 封装：PDIP-40
主要参数包括工作电源电压 4.5～14 V、接口类型 LCD、耗散功率（Pd） 800 mW、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、高度 4.45 mm (Max)，采用 PDIP-40 封装。AY0438T/L
Microchip Technology · 封装：PLCC-44
主要参数包括最大时钟频率 1.5 MHz、工作电源电压 3～8.5 V、段数 32 Segment、电源电流（最大值） 60 uA、耗散功率（Pd） 250 mW、最小工作温度 0 C，采用 PLCC-44 封装。TPS65132B0YFFR
Texas Instruments · 封装：DSBGA-15
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 85 C、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、特性 I2C, programming sequencing、单件重量 0.000127 oz，采用 DSBGA-15 封装。MAX136CPL+
Maxim Integrated · 封装：PDIP-40
主要参数包括工作电源电压 9 V、接口类型 LCD、耗散功率（Pd） 800 mW、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、高度 4.45 mm (Max)，采用 PDIP-40 封装。TC7106CKW
Microchip Technology · 封装：PQFP-44
主要参数包括工作电源电压 9 V、耗散功率（Pd） 1000 mW、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、高度 2 mm、长度 10 mm，采用 PQFP-44 封装。BU97501KV-E2
ROHM Semiconductor · 封装：VQFP-64
主要参数包括最大时钟频率 600 kHz、工作电源电压 2.7～6 V、接口类型 3-Wire Serial、段数 204 Segment、电源电流（最大值） 140 uA、耗散功率（Pd） 1 W，采用 VQFP-64 封装。LC79431KNE-E
ON Semiconductor
主要参数包括湿敏性 是。TPS65123RGTT
Texas Instruments · 封装：VQFN-16
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 85 C、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、特性 Adjustable sequencing、湿敏性 是、单件重量 0.000808 oz，采用 VQFN-16 封装。LC79430KNE-E
ON Semiconductor · 封装：QIP-100E
主要参数包括工作电源电压 2.7～5.5 V、最小工作温度 - 20 C、最大工作温度 + 85 C、湿敏性 是、单件重量 0.056438 oz，采用 QIP-100E 封装。CD4054BM96
Texas Instruments · 封装：SOP-16
主要参数包括最大时钟频率 8 MHz、工作电源电压 10 V、工作温度范围 - 55 C to + 125 C、段数 4 Segment、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 125 C，采用 SOP-16 封装。ICM7224IQH+D
Maxim Integrated · 封装：PLCC-44
主要参数包括最大时钟频率 19 kHz、工作电源电压 3～3.6 V、数字位数 4.5 Digit、段数 30 Segment、耗散功率（Pd） 1 W、最小工作温度 0 C，采用 PLCC-44 封装。MAX7231BFIQH+D
Maxim Integrated · 封装：PLCC-44
主要参数包括工作电源电压 4.5～5.5 V、数字位数 8 Digit、段数 56 Segment、电源电流（最大值） 100 uA、耗散功率（Pd） 0.5 W、最小工作温度 - 20 C，采用 PLCC-44 封装。ICM7211AIQH+D
Maxim Integrated · 封装：PLCC-44
主要参数包括最大时钟频率 16 kHz、工作电源电压 3～6 V、数字位数 4 Digit、段数 28 Segment、电源电流（最大值） 10 uA、耗散功率（Pd） 0.5 W，采用 PLCC-44 封装。TPS5100IPW
Texas Instruments · 封装：TSSOP-16
主要参数包括最小工作温度 - 20 C、最大工作温度 + 85 C、单件重量 0.002183 oz，采用 TSSOP-16 封装。TC7116CPL
Microchip Technology · 封装：PDIP-40
主要参数包括工作电源电压 9 V、耗散功率（Pd） 1230 mW、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、高度 4.95 mm (Max)、长度 53.21 mm (Max)，采用 PDIP-40 封装。LC75857W-E
ON Semiconductor · 封装：SQFP-64
主要参数包括最大时钟频率 76 kHz、工作电源电压 2.7～6 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、湿敏性 是，采用 SQFP-64 封装。PCF85134HL/1,118
NXP Semiconductors · 封装：LQFP-80
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、工作电源电压 1.8～5.5 V、数字位数 30 Digit、段数 240 Segment、电源电流（最大值） 50 mA、耗散功率（Pd） 400 mW，采用 LQFP-80 封装。TC7126CPL
Microchip Technology · 封装：PDIP-40
主要参数包括工作电源电压 15 V、耗散功率（Pd） 1230 mW、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、高度 4.95 mm (Max)、长度 53.21 mm (Max)，采用 PDIP-40 封装。LC75814VS-TLM-E
ON Semiconductor
主要参数包括湿敏性 是。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。