CD4056BM96
Texas Instruments · 封装：SOP-16
主要参数包括最大时钟频率 8 MHz、工作电源电压 3～18 V、工作温度范围 - 55 C to + 125 C、段数 4:7 Segment、电源电流（最大值） 300 uA、最小工作温度 - 55 C，采用 SOP-16 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录PCF8578T/1,118
NXP Semiconductors · 封装：VSO-56
主要参数包括最大时钟频率 3.3 kHz、工作电源电压 2.5～6 V、数字位数 24 Digit、段数 7 Segment、电源电流（最大值） 50 mA、耗散功率（Pd） 400 mW，采用 VSO-56 封装。MAX1494CCJ+
Maxim Integrated · 封装：LQFP-32
主要参数包括工作电源电压 2.7～5.25 V、接口类型 SPI、耗散功率（Pd） 1652.9 mW、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、高度 1.45 mm (Max)，采用 LQFP-32 封装。MAX1493CCJ+
Maxim Integrated · 封装：LQFP-32
主要参数包括工作电源电压 2.7～5.25 V、接口类型 Parallel、耗散功率（Pd） 1652.9 mW、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、高度 1.45 mm (Max)，采用 LQFP-32 封装。MAX1495CCJ+
Maxim Integrated · 封装：LQFP-32
主要参数包括工作电源电压 2.7～5.25 V、接口类型 Parallel、耗散功率（Pd） 1652.9 mW、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、高度 1.45 mm (Max)，采用 LQFP-32 封装。MAX8795AGCJ/V+
Maxim Integrated
主要参数包括认证等级 AEC-Q100、型号别名 MAX8795A。MAX131CPL+
Maxim Integrated · 封装：PDIP-40
主要参数包括工作电源电压 4.5～14 V、接口类型 LCD、耗散功率（Pd） 800 mW、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、高度 4.45 mm (Max)，采用 PDIP-40 封装。ML9470-12GAZ0ARL
ROHM Semiconductor · 封装：QFP-100
主要参数包括最大时钟频率 4 MHz、工作电源电压 3～5.5 V、段数 160 Segment、电源电流（最大值） 500 uA、耗散功率（Pd） 781 mW、最小工作温度 - 40 C，采用 QFP-100 封装。MM145453VX/NOPB
Texas Instruments · 封装：PLCC-44
主要参数包括工作电源电压 3～10 V、工作温度范围 0 C to + 70 C、段数 33 Segment、电源电流（最大值） 10 uA、耗散功率（Pd） 350 mW、最小工作温度 0 C，采用 PLCC-44 封装。LC75812PTS-8565-H
ON Semiconductor · 封装：TQFP-100
主要参数包括最大时钟频率 600 kHz、工作电源电压 2.7～3.6 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、湿敏性 是，采用 TQFP-100 封装。LC75812PTH-8565-H
ON Semiconductor · 封装：TQFP-100
主要参数包括最大时钟频率 600 kHz、工作电源电压 2.7～3.6 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、湿敏性 是，采用 TQFP-100 封装。BD8153EFV-E2
ROHM Semiconductor · 封装：HTSSOP-B-28
主要参数包括最大时钟频率 750 kHz、工作电源电压 12 V、电源电流（最大值） 18 V、耗散功率（Pd） 4.7 W、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 HTSSOP-B-28 封装。MM5453VX/NOPB
Texas Instruments · 封装：PLCC-44
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、数字位数 4.5 Digit、段数 33 Segment、耗散功率（Pd） 350 mW、最小工作温度 - 40 C，采用 PLCC-44 封装。BU9799KV-E2
ROHM Semiconductor
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 BU9799KV、单件重量 0.010229 oz。BD9862MUV-E2
ROHM Semiconductor
主要参数包括最大时钟频率 1.4 MHz、工作电源电压 1.8～4.5 V、电源电流（最大值） 1.6 mA、耗散功率（Pd） 700 mW、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C。LC75890W-NH
ON Semiconductor
主要参数包括湿敏性 是。PCF8537AH/1,518
NXP Semiconductors · 封装：TQFP-64
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 I2C、数字位数 44 Digit、段数 7 Segment、电源电流（最大值） 50 mA，采用 TQFP-64 封装。BU97981KV-E2
ROHM Semiconductor · 封装：VQFP-64
主要参数包括最大时钟频率 4 MHz、工作电源电压 1.8～3.6 V、接口类型 Serial, 3-Wire、段数 196 Segment、电源电流（最大值） 48 uA、耗散功率（Pd） 1 W，采用 VQFP-64 封装。LC75832WS-TBM-E
ON Semiconductor
主要参数包括湿敏性 是。TPS65100QPWPRQ1
Texas Instruments · 封装：HTSSOP-24
主要参数包括最大时钟频率 1.6 MHz、工作电源电压 3.3 V, 5 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、数字位数 3 Digit、段数 3 Segment、电源电流（最大值） 0.7 mA，采用 HTSSOP-24 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。