BU91510KV-ME2
ROHM Semiconductor · 封装：VQFP-64
主要参数包括最大时钟频率 360 kHz、工作电源电压 2.7～6 V、接口类型 Serial, 3-Wire、段数 216 Segment、电源电流（最大值） 5 uA、最小工作温度 - 40 C，采用 VQFP-64 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录BU91501KV-ME2
ROHM Semiconductor · 封装：VQFP-64
主要参数包括工作电源电压 2.7～6 V、接口类型 Serial, 3-Wire、段数 204 Segment、电源电流（最大值） 5 uA、耗散功率（Pd） 1 W、最小工作温度 - 40 C，采用 VQFP-64 封装。BU97530KVT-E2
ROHM Semiconductor · 封装：TQFP-100
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 BU97530KVT、单件重量 0.024798 oz，采用 TQFP-100 封装。BU97530KVT-ME2
ROHM Semiconductor · 封装：TQFP100V-100
主要参数包括最大时钟频率 720 kHz、工作电源电压 2.7～6 V、接口类型 Serial, 3-Wire、段数 445 Segment、电源电流（最大值） 5 uA、最小工作温度 - 40 C，采用 TQFP100V-100 封装。BU97540KV-ME2
ROHM Semiconductor · 封装：VQFP-80
主要参数包括最大时钟频率 688 kHz、工作电源电压 2.7～6 V、接口类型 Serial, 3-Wire、段数 335 Segment、电源电流（最大值） 5 uA、最小工作温度 - 40 C，采用 VQFP-80 封装。BU91799KV-ME2
ROHM Semiconductor · 封装：VQFP-64
主要参数包括最大时钟频率 300 kHz、工作电源电压 2.5～6 V、接口类型 Serial, 2-Wire、段数 200 Segment、电源电流（最大值） 20 uA、耗散功率（Pd） 1 W，采用 VQFP-64 封装。BU91530KVT-ME2
ROHM Semiconductor · 封装：TQFP100V-100
主要参数包括最大时钟频率 1000 kHz、工作电源电压 2.7～6 V、接口类型 Serial, 3-Wire、段数 445 Segment、电源电流（最大值） 5 uA、最小工作温度 - 40 C，采用 TQFP100V-100 封装。BU97981GU-ZE2
ROHM Semiconductor · 封装：VBGA-64
主要参数包括最大时钟频率 4 MHz、工作电源电压 1.8～3.6 V、接口类型 Serial, 3-Wire、段数 196 Segment、电源电流（最大值） 48 uA、耗散功率（Pd） 800 mW，采用 VBGA-64 封装。BU91600FUV-ME2
ROHM Semiconductor · 封装：TSSOPC48V-48
主要参数包括最大时钟频率 720 Hz、工作电源电压 2.7～6 V、接口类型 Serial, 3-Wire、段数 148 Segment、电源电流（最大值） 5 uA、最小工作温度 - 40 C，采用 TSSOPC48V-48 封装。BU91600FV-ME2
ROHM Semiconductor · 封装：SSOP-B40
主要参数包括最大时钟频率 720 Hz、工作电源电压 2.7～6 V、接口类型 Serial, 3-Wire、段数 116 Segment、电源电流（最大值） 5 uA、最小工作温度 - 40 C，采用 SSOP-B40 封装。BU91797MUF-ME2
ROHM Semiconductor · 封装：VQFN-48
主要参数包括最大时钟频率 300 kHz、工作电源电压 2.5～6 V、接口类型 Serial, 2-Wire、段数 144 Segment、电源电流（最大值） 30 uA、耗散功率（Pd） 0.93 W，采用 VQFN-48 封装。BU9797FUV-ME2
ROHM Semiconductor · 封装：TSSOPC48V-48
主要参数包括最大时钟频率 104 Hz、工作电源电压 2.5～5.5 V、接口类型 Serial, 2-Wire、段数 144 Segment、电源电流（最大值） 1 uA、耗散功率（Pd） 640 mW，采用 TSSOPC48V-48 封装。BU97550KV-ME2
ROHM Semiconductor · 封装：VQFP-80
主要参数包括湿敏性 是、认证等级 AEC-Q100、型号别名 BU97550KV-M、单件重量 0.013404 oz，采用 VQFP-80 封装。BD83850GWL-E2
ROHM Semiconductor · 封装：UCSP50L1C-12
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、工作电源电压 2.5～4.5 V、电源电流（最大值） 5 mA、耗散功率（Pd） 0.69 W、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 UCSP50L1C-12 封装。PCA85262ATT/AJ
NXP Semiconductors · 封装：TSSOP-48
主要参数包括最大时钟频率 400 kHz、工作电源电压 5.5 V、接口类型 I2C、数字位数 16 Digit、段数 32 Segment、电源电流（最大值） 18 uA，采用 TSSOP-48 封装。PCA85176H/Q900/1,5
NXP Semiconductors · 封装：TQFP-64
主要参数包括最大时钟频率 4800 Hz、工作电源电压 1.8～5.5 V、数字位数 20 Digit、段数 40 Segment、电源电流（最大值） 20 uA、耗散功率（Pd） 400 mW，采用 TQFP-64 封装。PCA8546BTT/AJ
NXP Semiconductors
主要参数包括型号别名 935302991118、单件重量 0.007568 oz。LM2705MFX-ADJ/NOPB
Texas Instruments · 封装：SOT-23-5
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 85 C、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、特性 Enable、单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-5 封装。PCF8545BTT/AJ
NXP Semiconductors
主要参数包括型号别名 935302988118、单件重量 0.007568 oz。PCF85176T/1,118
NXP Semiconductors · 封装：TSSOP-56
主要参数包括最大时钟频率 2640 Hz、工作电源电压 1.8～5.5 V、数字位数 20 Digit、段数 40 Segment、电源电流（最大值） 20 uA、耗散功率（Pd） 400 mW，采用 TSSOP-56 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。