LF2110BTR
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 20 V、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side、逻辑类型 CMOS、产品 Driver ICs - Various，采用 SOIC-16 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录LF21904NTR
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side、逻辑类型 CMOS, TTL、产品 Driver ICs - Various，采用 SOIC-14 封装。LF2190NTR
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side、逻辑类型 CMOS, TTL、产品 Driver ICs - Various，采用 SOIC-8 封装。IX4341NETR
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 18 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 Low-Side，采用 SOIC-8 封装。IX4341NTR
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 18 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 Low-Side，采用 SOIC-8 封装。IX4341UETR
IXYS Integrated Circuits · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 18 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 Low-Side，采用 MSOP-8 封装。IX4342NETR
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 18 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 Low-Side，采用 SOIC-8 封装。IX4342NTR
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 18 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 Low-Side，采用 SOIC-8 封装。IX4342UETR
IXYS Integrated Circuits · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 18 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 Low-Side，采用 MSOP-8 封装。NCD57090FDWR2G
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括组装国家或地区 菲律宾、晶圆制造国家或地区 美国、原产国家或地区 菲律宾，采用 SOIC-8 封装。FDMF3172
onsemi · 封装：PQFN-39
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 12 V、输出电流 55 A、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side，采用 PQFN-39 封装。FDMF3180
onsemi · 封装：PQFN-39
主要参数包括输出电压 800 mV、输出电流 70 A、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 PQFN-39 封装。LF2181NTR
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side、逻辑类型 CMOS, TTL、产品 Driver ICs - Various，采用 SOIC-8 封装。NCD57091ADWR2G
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括组装国家或地区 菲律宾、晶圆制造国家或地区 日本、原产国家或地区 菲律宾，采用 SOIC-8 封装。NCD57091BDWR2G
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括组装国家或地区 菲律宾、晶圆制造国家或地区 美国、原产国家或地区 美国，采用 SOIC-8 封装。NCD57091CDWR2G
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括组装国家或地区 菲律宾、晶圆制造国家或地区 美国、原产国家或地区 菲律宾，采用 SOIC-8 封装。NCP1392BDR2G
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电流 1 A、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SOIC-8 封装。NCP302155AMNTWG
onsemi
主要参数包括组装国家或地区 马来西亚、晶圆制造国家或地区 日本、原产国家或地区 日本。LMG3411R150RWHT
Texas Instruments · 封装：VQFN-32
主要参数包括电源电压（最小值） 9.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 12 A、技术 氮化镓（GaN）、类型 Half-Bridge、逻辑类型 CMOS，采用 VQFN-32 封装。LMG3422R030RQZR
Texas Instruments · 封装：VQFN-54
主要参数包括电源电压（最小值） 7.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 1.2 A、技术 氮化镓（GaN）、类型 Half-Bridge、逻辑类型 CMOS，采用 VQFN-54 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。