TPS48121QRGERQ1
Texas Instruments · 封装：VQFN-23
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 95 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 High-Side、逻辑类型 CMOS，采用 VQFN-23 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录TPS48130QDGXRQ1
Texas Instruments · 封装：VSSOP-19
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 95 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 High-Side、逻辑类型 CMOS，采用 VSSOP-19 封装。TPSI3100LQDVXRQ1
Texas Instruments · 封装：SO-MOD-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 17 V、输出电流 1.5 A, 2.5 A、技术 碳化硅（SiC）、产品 Gate Drivers，采用 SO-MOD-16 封装。UCC27282DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5.5 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电流 3.5 A、类型 Half-Bridge、逻辑类型 TTL、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。UCC27282DRG4
Texas Instruments
主要参数包括原产国家或地区 MX、湿敏性 是。V62/07624-01XE
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 15 V、技术 Si、类型 Low-Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。UCC27282QDRCTQ1
Texas Instruments · 封装：SON-10
主要参数包括电源电压（最小值） 5.5 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电流 3.5 A、类型 Half-Bridge、逻辑类型 TTL、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SON-10 封装。UCC27444QDRQ1
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 4 A、技术 Si、类型 Low-Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。UCC27511ADBVRG4
Texas Instruments
主要参数包括湿敏性 是。UCC27511DBVTG4
Texas Instruments
Gate Drivers 4-A/8-A single-chann el gate driver withUCC57108WQDRQ1
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8.5 V、电源电压（最大值） 26 V、输出电流 3 A、技术 碳化硅（SiC）、类型 Low-Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。UCC57138CDR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8.5 V、电源电压（最大值） 26 V、输出电流 3 A、技术 碳化硅（SiC）、类型 Low-Side、逻辑类型 TTL，采用 SOIC-8 封装。UCC57138CQDRQ1
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8.5 V、电源电压（最大值） 26 V、输出电流 3 A、技术 碳化硅（SiC）、类型 Low-Side、逻辑类型 TTL，采用 SOIC-8 封装。UCD74106RGMRG4
Texas Instruments
Gate Drivers Digital Synchronous Buck Power DriverV62/07624-02YE
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电流 4 A、技术 Si、逻辑类型 CMOS、上升时间 20 ns，采用 SOIC-8 封装。V62/08601-03XE
Texas Instruments · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 14 V、输出电流 2 A、技术 Si、逻辑类型 CMOS、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOT-23-5 封装。V62/08601-04XE
Texas Instruments · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 14 V、输出电流 2 A、技术 Si、逻辑类型 CMOS、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOT-23-5 封装。2EDF7258GXTMA1
Infineon Technologies · 封装：PG-VSON-14
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 17 V、技术 Si、逻辑类型 TTL、产品 Gate Driver、输出数 2 Output，采用 PG-VSON-14 封装。2EDF7268GXTMA1
Infineon Technologies · 封装：PG-VSON-14
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 17 V、技术 Si、逻辑类型 TTL、产品 Gate Driver、输出数 2 Output，采用 PG-VSON-14 封装。IX4352NETR
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 13 V、电源电压（最大值） 25 V、输出电流 9 A、技术 碳化硅（SiC）、类型 Low-Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。